- •ВВЕДЕНИЕ
- •§1. Краткие сведения по квантовой механике
- •§2. Уравнение Шредингера
- •§3. Энергетические состояния электронов в водородоподобных системах
- •РАЗДЕЛ 1. ОСНОВЫ ФИЗИКИ ПОЛУПРОВОДНИКОВ
- •1.1. Полупроводники
- •Энергетические (зонные) диаграммы полупроводников.
- •Уровень Ферми
- •Физические процессы в полупроводниках
- •Беспримесный полупроводник.
- •Процесс генерации пар зарядов.
- •Примеси в полупроводниках.
- •Дырочный полупроводник (р-типа).
- •1.2 Типы рекомбинации
- •1.3. Электронно-дырочный переход.
- •§1. Классификация. Методы изготовления.
- •§2. Свойства р-n-перехода.
- •Р-n-переход при прямом включении.
- •P-n-переход при обратном включении
- •Учет дополнительных факторов, влияющих на вольт-амперную характеристику диода. Пробой.
- •РАЗДЕЛ 2. ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ ПРИБОРЫ
- •2.1. Полупроводниковые диоды
- •§ 1. ВЫПРЯМИТЕЛЬНЫЕ ДИОДЫ.
- •§2. ВЫСОКОЧАСТОТНЫЕ ДИОДЫ.
- •§ 3. ИМПУЛЬСНЫЕ ДИОДЫ.
- •§ 4. СВЕРХВЫСОКОЧАСТОТНЫЕ ДИОДЫ.
- •§ 5. СТАБИЛИТРОНЫ.
- •§ 6. ВАРИКАПЫ.
- •§ 8. ОБРАЩЕННЫЕ ДИОДЫ.
- •§ 9. РАБОЧИЙ РЕЖИМ ДИОДА.
- •2.2. Биполярные транзисторы
- •§ 1. Общие сведения. Устройство.
- •§ 2. Физические процессы, протекающие в VT. Токи VT.
- •§3. Основные схемы включения транзисторов.
- •§4 Влияние температуры на статические характеристики VTа.
- •§5 Эквивалентные схемы замещения транзистора.
- •§6 Представление транзистора в виде четырехполюсника и системы статистических параметров.
- •§7 Эл. пар-ры, классификация и система обозначений VTов.
- •2.3 Полевые транзисторы
- •§1. Полевые транзисторы с управляющим переходом.
- •§2. Статические характеристики полевого транзистора с управляющим p-n-переходом.
- •§3. Полевые транзисторы с изолированным затвором.
- •2.4. Тиристоры (VS)
- •§ 1. Принцип действия.
- •§ 2. Математический анализ работы тиристора (не нужно).
- •§ 3. Вольт – амперная характеристика тиристора.
- •§ 4. Типы тиристоров.
- •§ 5. Особенности работы и параметры тиристоров.
- •2.5. Оптоэлектронные полупроводниковые приоры.
- •Полупроводниковые излучатели
- •Фотоприемники (общие сведения)
- •Фоторезисторы
- •Фотодиоды
- •Фотоэлементы
- •Фототранзисторы
- •Фототиристоры
- •Оптроны
- •2.6. Интегральные микросхемы
- •РАЗДЕЛ 3. УСИЛИТЕЛИ
- •§1. Анализ процесса усиления электрических сигналов
- •§2. Работа УЭ с нагрузкой.
- •Динамические х-ки.
- •Нагруз. линии У и их построение.
- •Сквозная характеристика У на биполярном VT.
- •§3. Стр - рная схема У. Классификация У.
- •Общие сведения.
- •Классификация У.
- •§4 Основные параметры и характеристики усилителей.
- •§5 Обратная связь в усилителях.
- •Режимы работы УЭ.
- •РАЗДЕЛ 4. ОПЕРАЦИОННЫЕ УСИЛИТЕЛИ
- •Общие сведения
- •Инвертирующий усилитель
- •Интегратор
- •Содержание
3.ШПУ (20 Гц – 300 МГц)
4.Избирательные У.
Полосовые У. (10 – 100 кГц)
Резонансные У. (в ВЧ обл.)
По назначению:
Измерительные У. (малые шумы на выходе и высокая линейность преобразования)
Логарифмические У. (сигнал на выходе log входного сигнала)
ОУ (используются для выполнения различных арифметических операций:«-», «+», «*», «/», и т.д.)
** У. ограничители (усиливают и ограничивают сигнал на заданном уровне).
§4 Основные параметры и характеристики усилителей.
Любое усилительное устройство включено между источником сигнала и нагрузкой и предназначено для усиления мощности, напряжения или тока. В связи с этим основными техническими показателями У. являются:
1) Входные и выходные параметры
2) Потребляемая мощность и КПД
3) Коэффициенты усиления (передачи)
4) Линейные и нелинейные искажения
5) Собственные помехи У.
6) Амплитудная характеристика
7) Динамический диапазон
В |
зависимости |
от |
|
|
|
|
|
|||
соотношения |
|
|
|
|
|
|
|
|
||
внутреннего |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
сопротивления |
|
|
|
|
|
|
|
|
||
источника |
|
входного |
|
|
|
|
|
|||
сигнала |
Rr |
и входного |
|
|
|
|
|
|||
сопротивления У. RВХ |
|
|
|
|
|
|||||
источник сигнала может |
|
|
|
|
|
|||||
работать в |
режиме |
ХХ |
|
|
|
|
|
|||
(RВХ |
! |
Rr |
|
- |
У. |
|
|
|
|
|
напряжения), КЗ |
(RВХ |
|
|
|
|
|
||||
Rr – У. тока) |
и |
согласования |
(RВХ = |
Rr – У. мощности). На рис. 14 представлена |
||||||
эквивалентная схема У. |
|
|
|
|
|
|||||
В общем случае нагрузка У. представляет собой комплексное сопротивление ZН. |
По |
|||||||||
соотношению м/у выходным |
RВЫХ |
и нагрузочным |
RН |
сопротивлениями У. |
с |
|||||
потенциальным выходом (RН !! RВЫХ), с токовым выходом (RН RВЫХ) и с мощностным |
||||||||||
выходом (RН = RВЫХ) |
|
|
|
|
|
|