- •Оглавление
- •Глава 1 ОСНОВЫЕ ПОНЯТИЯ ТЕОРИИ КАЧЕСТВА И НАДЕЖНОСТИ
- •1.1 ОСНОВНЫЕ ПОНЯТИЯ И ОПРЕДЕЛЕНИЯ
- •1.2 ПОКАЗАТЕЛИ НАДЕЖНОСТИ ТЕХНИЧЕСКИХ УСТРОЙСТВ
- •1.3 ТЕРМИНЫ И ОПРЕДЕЛЕНИЯ ПРИМЕНИТЕЛЬНО К ИЗДЕЛИЯМ МИКРОЭЛЕКТРОНИКИ
- •1.4 КРИТЕРИИ И КОЛИЧЕСТВЕННЫЕ ПОКАЗАТЕЛИ НАДЕЖНОСТИ
- •1.5 ЗАВИСИМОСТИ МЕЖДУ ОСНОВНЫМИ ХАРАКТЕРИСТИКАМИ НАДЕЖНОСТИ
- •1.6 ПРИМЕРЫ РЕШЕНИЯ ЗАДАЧ ПО НАДЕЖНОСТИ
- •Глава 2 ОБЕСПЕЧЕНИЕ НАДЕЖНОСТИ НА ЭТАПЕ ПРОЕКТИРОВАНИЯ
- •2.1 ОБЩИЕ ПРИНЦИПЫ ОБЕСПЕЧЕНИЯ НАДЕЖНОСТИ
- •2.2 ПРОГРАММНЫЕ ДОКУМЕНТЫ ПО ОБЕСПЕЧЕНИЮ НАДЕЖНОСТИ
- •2.2.1 Типовая структура и содержание программы обеспечения надежности космического аппарата
- •2.2.2 Основные нормативные требования к составу и содержанию КПЭО КА
- •2.3 АНАЛИЗЫ ПО ОБЕСПЕЧЕНИЮ НАДЕЖНОСТИ ОБОРУДОВАНИЯ, БОРТОВЫХ СИСТЕМ И КОСМИЧЕСКОГО АППАРАТА
- •2.3.1 Функциональный анализ
- •2.3.2 Анализ (расчет) надежности
- •2.3.2.2. Методы нормирования показателей надежности по составным частям космического аппарата
- •2.3.2.3.Методы анализа и оценки показателей надежности на соответствие нормативным значениям (расчетные, расчетно-экспериментальные методы)
- •2.3.2.5 Надежность КА при хранении
- •2.3.3 Анализ видов, последствий и критичности отказов
- •2.3.3 Анализ электрических и тепловых нагрузок на комплектующие и мер по облегчению нагрузок для комплектующих.
- •2.3.4 Анализ худшего случая.
- •2.3.5 Анализ обеспечения требуемого ресурса и сохраняемости.
- •2.3.6 Перечень и программа контроля критичных элементов
- •Глава 3 СТРУКТУРА ЭКСПЕРИМЕНТАЛЬНОЙ ОТРАБОТКИ БОРТОВЫХ СИСТЕМ И БОРТОВОГО ОБОРУДОВАНИЯ
- •Глава 4 ОБЩЕЕ ПРЕДСТАВЛЕНИЕ ОБ ОТКАЗАХ ИЗДЕЛИЙ МИКРОЭЛЕКТРОНИКИ
- •4.1 ФИЗИЧЕСКАЯ МОДЕЛЬ ОТКАЗОВ
- •4.2 МЕХАНИЗМЫ ВНЕЗАПНЫХ И ПОСТЕПЕННЫХ ОТКАЗОВ
- •4.3 СТРУКТУРНЫЕ ДЕФЕКТЫ КОМПОНЕНТОВ БИС
- •4.4 ОБЩИЕ ДЕФЕКТЫ В ТВЕРДЫХ ТЕЛАХ
- •4.5 ДЕФЕКТЫ В КРЕМНИЕВОЙ ПОДЛОЖКЕ
- •4.5.1 Механизм образования "отрицательных нитевидных кристаллов".
- •4.5.2 Растворение кремния алюминием
- •4.6 ДЕФЕКТЫ ПЛЕНОК ПОЛИКРИСТАЛЛИЧЕСКОГО КРЕМНИЯ
- •4.7 ДЕФЕКТЫ СТРУКТУРЫ ДИЭЛЕКТРИЧЕСКИХ СЛОЕВ
- •4.7.1 Локализованные дефекты структуры и состава диэлектрических слоев
- •4.7.2 Химические и физические нелокализованные дефекты
- •Глава 5 ОТБРАКОВОЧНЫЕ ИСПЫТАНИЯ – СРЕДСТВО ПОВЫШЕНИЯ НАДЕЖНОСТИ ПАРТИЙ ИЗДЕЛИЙ МИКРОЭЛЕКТРОНИКИ
- •5.1 СОСТАВ ОТБРАКОВОЧНЫХ ИСПЫТАНИЙ
- •5.2 ТРЕНИРОВКА
- •5.3 ЭЛЕКТРОТРЕНИРОВКА
- •5.4 ЭЛЕКТРОТЕРМОТРЕНИРОВКА
- •5.5 ТЕРМОТРЕНИРОВКА
- •5.6 ПРОДОЛЖИТЕЛЬНОСТЬ ТРЕНИРОВОК
- •Глава 6 МОДЕЛЬ ВНЕШНИХ ВОЗДЕЙСТВУЮЩИХ ФАКТОРОВ ДЛЯ ЭЛЕКТРОРАДИОИЗДЕЛИЙ, ЭКСПЛУАТИРУЕМЫХ В КОСМИЧЕСКИХ АППАРАТАХ ДЛИТЕЛЬНОГО ФУНКЦИОНИРОВАНИЯ
- •6.5.1 Излучения естественных радиационных поясов Земли
- •6.5.2 Воздействие одиночных частиц
- •Глава 7 МЕТОДЫ ОБЕСПЕЧЕНИЯ АППАРАТУРЫ КА ИЗДЕЛИЯМИ МИКРОЭЛЕКТРОНИКИ НЕОБХОДИМОГО УРОВНЯ КАЧЕСТВА И НАДЕЖНОСТИ
- •Глава 8 ВОЗДЕЙСТВИЕ ЭЛЕКТРОСТАТИЧЕСКИХ ЗАРЯДОВ НА ИЗДЕЛИЯ МИКРОЭЛЕКТРОНИКИ
- •Глава 9 НЕРАЗРУШАЮЩИЕ МЕТОДЫ АНАЛИЗА МИКРОСХЕМ
- •9.1.1 Обзор систем формирования рентгеновского изображения
- •9.1.2 Неразрушающее формирование трехмерного изображения
- •9.1.3 Практическое использование рентгеновских инспекционных установок в лабораториях анализа отказов
- •Влияние облучения на образец
- •9.2.1 Сравнение РЭМ и оптического микроскопа
- •9.2.2 Электронная оптика
- •Зарядка образца
- •Скорость сканирования и качество изображения
- •Краткое описание
- •Глава 10 МЕТРОЛОГИЧЕСКОЕ ОБЕСПЕЧЕНИЕ
- •Глава 11 РАСЧЕТНО-ЭКСПЕРИМЕНТАЛЬНЫЕ МЕТОДЫ ПРОГНОЗИРОВАНИЯ РАБОТОСПОСОБНОСТИ ИЗДЕЛИЙ МИКРОЭЛЕКТРОНИКИ ПРИ ВОЗДЕЙСТВИИ ФАКТОРОВ КОСМИЧЕСКОГО ПРОСТРАНСТВА
- •11.1.1 Метод прогнозирования работоспособности ЭРИ к воздействию электрических и тепловых нагрузок в КА негерметичного исполнения
- •11.1.2 Определение допустимого коэффициента электрической нагрузки ИС в КА негерметичного исполнения
- •11.1.3 Справочник конструктора по применению изделий микроэлектроники в КА негерметичного исполнения длительного функционирования
- •11.2.1 Причины разбросов показателей радиационной стойкости ЭРИ от образца к образцу
- •11.2.2 Экспериментальные данные разброса радиационной стойкости ЭРИ
- •11.2.3 Обоснование номенклатуры критически важных ЭРИ определяющих радиационные характеристики бортовой аппаратуры КА
- •11.2.4 Обеспечение радиационной стойкости критически стойких ЭРИ
- •11.2.5 Влияние идеологии проведения ВК, ОИ и ДНК на уровень радиационной стойкости ЭРИ, устанавливаемых в аппаратуру
- •11.3.1 Разработка подхода к оценке работоспособности ЭРИ в условиях комплексного воздействия ФКП
337
при измерениях, учитывая, что измеряемые значения составляют 40÷50 нА;
• наблюдается небольшое (~ 10%) уменьшение коэффициента усиления, но это, возможно связано с необходимостью увеличения суммарного времени отжига.
Результаты проведенных исследований по влиянию предварительного облучения на показатели радиационной стойкости и надежности показали следующее [109]:
•у биполярных ИС наблюдается некоторое снижение предельной стойкости после РТО - интегральная функция распределения числа отказавших ИС сдвигается в область меньших доз;
•у КМОП ИС после РТО стойкостные характеристики сдвигаются в сторону больших доз;
•у транзисторов после РТО также наблюдается некоторое увеличение стойкости.
•при исследовании влияния РТО на надежность ИС 564ЛЕ6 в режиме испытаний на долговечность в форсированном режиме в течении 8000 часов
отказов не обнаружено.
Приведенные результаты говорят о принципиальной возможности обеспечения радиационной стойкости критически стойких ЭРИ, при их предварительной радиационной обработке, но необходимы дополнительные исследования с увеличением номенклатуры ЭРИ. Некоторые результаты проведенных работ опубликованы в [110].
11.2.5Влияние идеологии проведения ВК, ОИ и ДНК на уровень радиационной стойкости ЭРИ, устанавливаемых в аппаратуру
Как уже отмечалось, качество ЭРИ закладывается в процессе изготовления и зависит от самого процесса изготовления так и от качества применяемых материалов. Поскольку в нашей реальной жизни невозможно влиять на данный процесс остается один путь обеспечения высокого качества БА КА:
Классификация ЭРИ на условно "хорошие" и условно "плохие".
338
"Условно" - так как степень нашего знания этих понятий хоть и повышается, но не является абсолютной. Критерием правильности и достаточности принимаемых мер по "обеспечению" качества ЭРИ до установки в аппаратуру могут быть только отсутствие отказов по результатам эксплуатации аппаратуры, в которой использованы ЭРИ отбракованные по определенным правилам. На сегодня такие результаты имеются по КА "Sesat", выведенном на геостационарную орбиту 18 апреля 2000 г., и не имеющим отказов ЭРИ за более чем за 10 лет эксплуатации.
Для того чтобы классифицировать ЭРИ по какому-то признаку необходимо определить логику (последовательность) действий и обеспечить технологический процесс аппаратными и программными (для работы тестерного оборудования и обработки данных измерений) средствами.
Схема входного диагностического неразрушающего контроля ЭРИ, сложившаяся на сегодня в ИТЦ-НПО ПМ, является результатом работ по комплектации многих КА и КА "Sesat" изготовления ОАО «ИСС». Такое разделение связано с тем, что для КА "Sesat", были введены принципиальные изменения в структуру процедур по классификации ЭРИ, включающие:
•100% ЭТТ для всех активных ЭРИ (полупроводниковые приборы и микросхемы);
•запись измеренных параметров для каждой партии ЭРИ с привязкой к индивидуальному номеру ЭРИ;
•расчет дрейфа электрических параметров;
•систему разбраковки по ужесточенным нормам по сравнению с нормами ТУ на ЭРИ.
Для всех партий ЭРИ проводятся входной контроль ВК, ОИ и ДНК для
каждого класса ЭРИ. Данные результатов измерений должны быть записаны в процессе выполнения ВК, ОИ и ДНК на магнитный или любой другой носитель информации для хранения в течение всего времени эксплуатации КА.
Результаты измерений считываются и записываются в соответствии с серийными номерами ЭРИ (сериализация требуется для ЭРИ, у которых вычисляется дрейф параметров).
339
Технология установки норм отбраковки по ужесточенным нормам и определения границ допустимого дрейфа параметров заключается в следующем:
•измеряются электрические параметры;
•строятся гистограммы распределения параметров по каждому параметру;
•устанавливаются границы разбраковки партии.
Необходимо отметить, что граничные нормы на электрические параметры при приемосдаточных испытаниях, установленные в ТУ на ЭРИ, имеют значительный запас от реальных значений параметров (иногда на несколько порядков величины). При проведении ОИ и ДНК границы на электрические параметры ЭРИ, устанавливаются исходя из реально измеренных значений параметров. Вопрос назначения конкретных уровней разбраковки конкретного параметра весьма не прост и зависит от многих причин: от ответственности аппаратуры; от глубины резервирования; от имеющегося количества данного типа ЭРИ и от требуемого количества для установки в БА и т.д.
Таким образом, отобранные из партии для установки в БА ЭРИ, имея реальный запас по параметрам, имеют и надежность и радиационную стойкость значительно выше, чем получаемые с завода-изготовителя. А учитывая, что подобная разбраковка проводится и по дрейфу параметров, который не оценивается заводами-изготовителями из-за отсутствия требований в российской норма- тивно-технической документации, становится очевидным, что отобранные ЭРИ являются существенно более качественными и более радиационно-стойкими.
Ниже приведены примеры гистограмм распределения нескольких параметров и установленные нормы для партии 216 шт. микросхем 564ИЕ10В.
340
Шт. |
564ИЕ10В партия 19, Iol, норма ТУ > 0.4 mA |
25
20
15
10
5
0 |
2 |
2.2 |
2.4 |
2.6 |
2.8 |
1.8 |
mA
Рис. 104 Гистограмма распределения величины выходного тока низкого уровня для партии ИМС 564ИЕ10В. Ужесточенная граница установлена> 1.5 мА.
Шт. |
564ИЕ10В партия 19, дрейф Iol |
60
50
40
30
20
10
0 |
-0.06 |
-0.04 |
-0.02 |
0 |
0.02 |
0.04 |
0.06 |
-0.08 |
mA
Рис. 105 Гистограмма распределения дрейфа выходного тока низкого уровня для партии ИМС 564ИЕ10В. Границы дрейфа параметра установлены от –0.1 до 0.15 мА.
341
Шт. |
564ИЕ10В партия 19, Ioh, норма ТУ > 1 mA |
30
25
20
15
10
5
0 |
5 |
5.5 |
6 |
6.5 |
4.5 |
mA
Рис. 106 Гистограмма распределения величины выходного тока высокого уровня для партии ИМС 564ИЕ10В. Ужесточенная граница установлена > 3.5 мА.
Шт. |
564ИЕ10В партия 19, дрейф Ioh |
40
35
30
25
20
15
10
5
0 |
-0.05 |
0 |
0.05 |
0.1 |
0.15 |
-0.1 |
mA
Рис. 107 Гистограмма распределения дрейфа выходного тока высокого уровня для партии ИМС 564ИЕ10В. Границы дрейфа установлены в пределах от –0.3 до 0.2мА.
342
Шт. |
564ИЕ10В партия 19, Icc, норма ТУ < 20 мкА |
140
120
100
80
60
40
20
00 |
0.5 |
1 |
1.5 |
2 |
2.5 |
3 |
x 10-5 mA
Рис. 108 Распределение тока потребления для партии ИМС 564ИЕ10В. Ужесточенная граница установлена < 50 нА.
Шт. |
564ИЕ10В партия 19, дрейф Icc |
100
90
80
70
60
50
40
30
20
10
0 |
-2 |
-1 |
0 |
1 |
2 |
3 |
-3 |
x 10-5 mA
Рис. 109 Распределение дрейфа тока потребления для партии ИМС 564ИЕ10В. Границы дрейфа установлены в пределах от –20 до 20 нА.
"Побочным" продуктом идеологии проведения ВК ОИ и ДНК является "повышение" радиационной стойкости ЭРИ к дозовым эффектам.
Имея реальный запас по параметрам для каждого ЭРИ, радиационная стойкость в рамках параметров ТУ будет значительно выше. Степень превыше-
343
ния необходимо подтвердить экспериментально и ввести в "Перечень ЭРИ, разрешенных к применению при разработке (модернизации), производстве и эксплуатации аппаратуры, приборов, устройств и оборудования военного назначения" [111] графу, смысл которой заключается в следующем: если ЭРИ прошли ОИ и ДНК, то уровень радиационной стойкости соответствует такой-то величине. В поддержку этого подхода свидетельствует и тот факт, что радиационные испытания ЭРИ завод-изготовитель проводит один раз на этапе квалификационных испытаний.
Реализация такого подхода позволяет:
•исключить из партий ЭРИ, устанавливаемых в аппаратуру, элементы с аномально низкой радиационной стойкостью (повышенным дрейфом параметров);
•гарантировать уровень стойкости ЭРИ, устанавливаемых в аппаратуру;
•существенно сократить количество радиационных испытаний аппаратуры на моделирующих установках.
Данные процедуры, в том числе и по данным [112], повышают качество применяемых партий ЭРИ, снижают интенсивность отказов в партиях за счет исключения из них ЭРИ со скрытыми дефектами и позволяют применять понижающий коэффициент Kитц , уточняющий аналогичные значения НТД с учетом
эффективности проведения в специализированных испытательных технических центрах, отбраковочных испытаний, диагностического неразрушающего контроля и разрушающего физического анализа ЭРИ, поставляемых для комплектации аппаратуры КА.
Выводы:
¾Индивидуальные физические характеристики каждой ИС зависит от огромного количества факторов процесса производства, поэтому каждая ИС имеет индивидуальные электрические параметры и момент выхода параметра за границы ТУ, а значит, уровень радиационной стойкости для каждой ИС будет также индивидуален. Разброс значений стойкости составляет в диапазоне от 2 до 10.