- •Оглавление
- •Глава 1 ОСНОВЫЕ ПОНЯТИЯ ТЕОРИИ КАЧЕСТВА И НАДЕЖНОСТИ
- •1.1 ОСНОВНЫЕ ПОНЯТИЯ И ОПРЕДЕЛЕНИЯ
- •1.2 ПОКАЗАТЕЛИ НАДЕЖНОСТИ ТЕХНИЧЕСКИХ УСТРОЙСТВ
- •1.3 ТЕРМИНЫ И ОПРЕДЕЛЕНИЯ ПРИМЕНИТЕЛЬНО К ИЗДЕЛИЯМ МИКРОЭЛЕКТРОНИКИ
- •1.4 КРИТЕРИИ И КОЛИЧЕСТВЕННЫЕ ПОКАЗАТЕЛИ НАДЕЖНОСТИ
- •1.5 ЗАВИСИМОСТИ МЕЖДУ ОСНОВНЫМИ ХАРАКТЕРИСТИКАМИ НАДЕЖНОСТИ
- •1.6 ПРИМЕРЫ РЕШЕНИЯ ЗАДАЧ ПО НАДЕЖНОСТИ
- •Глава 2 ОБЕСПЕЧЕНИЕ НАДЕЖНОСТИ НА ЭТАПЕ ПРОЕКТИРОВАНИЯ
- •2.1 ОБЩИЕ ПРИНЦИПЫ ОБЕСПЕЧЕНИЯ НАДЕЖНОСТИ
- •2.2 ПРОГРАММНЫЕ ДОКУМЕНТЫ ПО ОБЕСПЕЧЕНИЮ НАДЕЖНОСТИ
- •2.2.1 Типовая структура и содержание программы обеспечения надежности космического аппарата
- •2.2.2 Основные нормативные требования к составу и содержанию КПЭО КА
- •2.3 АНАЛИЗЫ ПО ОБЕСПЕЧЕНИЮ НАДЕЖНОСТИ ОБОРУДОВАНИЯ, БОРТОВЫХ СИСТЕМ И КОСМИЧЕСКОГО АППАРАТА
- •2.3.1 Функциональный анализ
- •2.3.2 Анализ (расчет) надежности
- •2.3.2.2. Методы нормирования показателей надежности по составным частям космического аппарата
- •2.3.2.3.Методы анализа и оценки показателей надежности на соответствие нормативным значениям (расчетные, расчетно-экспериментальные методы)
- •2.3.2.5 Надежность КА при хранении
- •2.3.3 Анализ видов, последствий и критичности отказов
- •2.3.3 Анализ электрических и тепловых нагрузок на комплектующие и мер по облегчению нагрузок для комплектующих.
- •2.3.4 Анализ худшего случая.
- •2.3.5 Анализ обеспечения требуемого ресурса и сохраняемости.
- •2.3.6 Перечень и программа контроля критичных элементов
- •Глава 3 СТРУКТУРА ЭКСПЕРИМЕНТАЛЬНОЙ ОТРАБОТКИ БОРТОВЫХ СИСТЕМ И БОРТОВОГО ОБОРУДОВАНИЯ
- •Глава 4 ОБЩЕЕ ПРЕДСТАВЛЕНИЕ ОБ ОТКАЗАХ ИЗДЕЛИЙ МИКРОЭЛЕКТРОНИКИ
- •4.1 ФИЗИЧЕСКАЯ МОДЕЛЬ ОТКАЗОВ
- •4.2 МЕХАНИЗМЫ ВНЕЗАПНЫХ И ПОСТЕПЕННЫХ ОТКАЗОВ
- •4.3 СТРУКТУРНЫЕ ДЕФЕКТЫ КОМПОНЕНТОВ БИС
- •4.4 ОБЩИЕ ДЕФЕКТЫ В ТВЕРДЫХ ТЕЛАХ
- •4.5 ДЕФЕКТЫ В КРЕМНИЕВОЙ ПОДЛОЖКЕ
- •4.5.1 Механизм образования "отрицательных нитевидных кристаллов".
- •4.5.2 Растворение кремния алюминием
- •4.6 ДЕФЕКТЫ ПЛЕНОК ПОЛИКРИСТАЛЛИЧЕСКОГО КРЕМНИЯ
- •4.7 ДЕФЕКТЫ СТРУКТУРЫ ДИЭЛЕКТРИЧЕСКИХ СЛОЕВ
- •4.7.1 Локализованные дефекты структуры и состава диэлектрических слоев
- •4.7.2 Химические и физические нелокализованные дефекты
- •Глава 5 ОТБРАКОВОЧНЫЕ ИСПЫТАНИЯ – СРЕДСТВО ПОВЫШЕНИЯ НАДЕЖНОСТИ ПАРТИЙ ИЗДЕЛИЙ МИКРОЭЛЕКТРОНИКИ
- •5.1 СОСТАВ ОТБРАКОВОЧНЫХ ИСПЫТАНИЙ
- •5.2 ТРЕНИРОВКА
- •5.3 ЭЛЕКТРОТРЕНИРОВКА
- •5.4 ЭЛЕКТРОТЕРМОТРЕНИРОВКА
- •5.5 ТЕРМОТРЕНИРОВКА
- •5.6 ПРОДОЛЖИТЕЛЬНОСТЬ ТРЕНИРОВОК
- •Глава 6 МОДЕЛЬ ВНЕШНИХ ВОЗДЕЙСТВУЮЩИХ ФАКТОРОВ ДЛЯ ЭЛЕКТРОРАДИОИЗДЕЛИЙ, ЭКСПЛУАТИРУЕМЫХ В КОСМИЧЕСКИХ АППАРАТАХ ДЛИТЕЛЬНОГО ФУНКЦИОНИРОВАНИЯ
- •6.5.1 Излучения естественных радиационных поясов Земли
- •6.5.2 Воздействие одиночных частиц
- •Глава 7 МЕТОДЫ ОБЕСПЕЧЕНИЯ АППАРАТУРЫ КА ИЗДЕЛИЯМИ МИКРОЭЛЕКТРОНИКИ НЕОБХОДИМОГО УРОВНЯ КАЧЕСТВА И НАДЕЖНОСТИ
- •Глава 8 ВОЗДЕЙСТВИЕ ЭЛЕКТРОСТАТИЧЕСКИХ ЗАРЯДОВ НА ИЗДЕЛИЯ МИКРОЭЛЕКТРОНИКИ
- •Глава 9 НЕРАЗРУШАЮЩИЕ МЕТОДЫ АНАЛИЗА МИКРОСХЕМ
- •9.1.1 Обзор систем формирования рентгеновского изображения
- •9.1.2 Неразрушающее формирование трехмерного изображения
- •9.1.3 Практическое использование рентгеновских инспекционных установок в лабораториях анализа отказов
- •Влияние облучения на образец
- •9.2.1 Сравнение РЭМ и оптического микроскопа
- •9.2.2 Электронная оптика
- •Зарядка образца
- •Скорость сканирования и качество изображения
- •Краткое описание
- •Глава 10 МЕТРОЛОГИЧЕСКОЕ ОБЕСПЕЧЕНИЕ
- •Глава 11 РАСЧЕТНО-ЭКСПЕРИМЕНТАЛЬНЫЕ МЕТОДЫ ПРОГНОЗИРОВАНИЯ РАБОТОСПОСОБНОСТИ ИЗДЕЛИЙ МИКРОЭЛЕКТРОНИКИ ПРИ ВОЗДЕЙСТВИИ ФАКТОРОВ КОСМИЧЕСКОГО ПРОСТРАНСТВА
- •11.1.1 Метод прогнозирования работоспособности ЭРИ к воздействию электрических и тепловых нагрузок в КА негерметичного исполнения
- •11.1.2 Определение допустимого коэффициента электрической нагрузки ИС в КА негерметичного исполнения
- •11.1.3 Справочник конструктора по применению изделий микроэлектроники в КА негерметичного исполнения длительного функционирования
- •11.2.1 Причины разбросов показателей радиационной стойкости ЭРИ от образца к образцу
- •11.2.2 Экспериментальные данные разброса радиационной стойкости ЭРИ
- •11.2.3 Обоснование номенклатуры критически важных ЭРИ определяющих радиационные характеристики бортовой аппаратуры КА
- •11.2.4 Обеспечение радиационной стойкости критически стойких ЭРИ
- •11.2.5 Влияние идеологии проведения ВК, ОИ и ДНК на уровень радиационной стойкости ЭРИ, устанавливаемых в аппаратуру
- •11.3.1 Разработка подхода к оценке работоспособности ЭРИ в условиях комплексного воздействия ФКП
308
Глава 11 РАСЧЕТНО-ЭКСПЕРИМЕНТАЛЬНЫЕ МЕТОДЫ ПРОГНОЗИРОВАНИЯ РАБОТОСПОСОБНОСТИ ИЗДЕЛИЙ МИКРОЭЛЕКТРОНИКИ ПРИ ВОЗДЕЙСТВИИ ФАКТОРОВ КОСМИЧЕСКОГО ПРОСТРАНСТВА
11.1МЕТОДЫ ПРОГНОЗИРОВАНИЯ РАБОТОСПОСОБНОСТИ ИЗДЕЛИЙ МИКРОЭЛЕКТРОНИКИ ПРИ ВОЗДЕЙСТВИИ ЭЛЕКТРИЧЕСКИХ И ТЕПЛОВЫХ НАГРУЗОК
11.1.1Метод прогнозирования работоспособности ЭРИ к воздействию электрических и тепловых нагрузок в КА негерметичного исполнения
Методы прогнозирования работоспособности ЭРИ к воздействию электрических и тепловых нагрузок должны быть разделены на две части в зависимости от гарантируемой по ТУ наработки ЭРИ:
•для ЭРИ, удовлетворяющих требованиям по наработке, предъявляемой к КА;
•для ЭРИ с недостаточной наработкой.
Данное различие вызвано тем, что для первого случая известна и приведе-
на в ТУ максимально допустимая температура кристалла (активной области) ЭРИ, а для второго она требует определения и чаще всего экспериментальными методами.
В отношении к тепловым эффектам все применяемые в КА ЭРИ можно условно разделить на три группы:
•к первой группе относятся ЭРИ, конструкция которых обеспечивает (в идеальном случае) равенство температуры корпуса ЭРИ и температуры посадочного места. Это - мощные транзисторы, диоды, микросхемы, в конструкции которых предусмотрено крепление на теплоотводах. Для этих ЭРИ оценивается возможность обеспечения работоспособности при заданной температуре корпуса;
•ко второй группе относятся ЭРИ, тепловые режимы которых существенно зависят от конкретных способов монтажа в аппаратуре. Работоспособность их, особенно, при пониженном давлении (для негерметичных КА) часто может быть гарантирована только при обеспечении снижения до-
309
пустимой мощности рассеяния. Это касается резисторов, маломощных транзисторов, диодов, оптоэлектронных приборов, ИС и т.д.;
•третья группа - это не тепловыделяющие ЭРИ: конденсаторы, изделия пьезоэлектроники, герконы, изделия из ферритов и магнитодиэлектрики и т.д.
Допустимые тепловые и электрические режимы работы ЭРИ определяются максимально допустимой температурой кристалла (для полупроводниковых ЭРИ), резистивного элемента (для резисторов) и так далее. В общем виде эту температуру можно определить как температуру активной области ЭРИ. Температура активной области есть функция от коэффициента нагрузки и температуры, в качестве которой в герметичном КА выступает температура окружающей среды, а в негерметичном - температура посадочного места ЭРИ:
Тс = f (Т, Kн ) , где
Тс - температура активной области (p-n перехода и т.д.) ЭРИ, °С;
Т - температура окружающей среды (посадочного места), °С;
Кн - коэффициент электрической нагрузки.
Температура активной области ЭРИ определяется из выражения:
Тс = Т + Т , где
Т- перегрев ЭРИ за счет выделяемой электрической мощности.
Всвою очередь
Т= Rt Ptot Kн , где
Rt - суммарное тепловое сопротивление рабочий элемент ЭРИ – среда для герметичных КА и рабочий элемент -посадочное место для негерметичного КА, °С/Вт;
Рtotмощность рассеяния ЭРИ в нормальных условиях, Вт.
Из приведенного ясно, что температура активной области (p-n перехода и т.д.) ЭРИ будет определяться соотношением:
Тс =T + Rt Ptot Kн
вкотором Тс есть величина "абсолютная", определенная либо из данных ТУ либо по результатам экспериментов. Переменными величинами в данном
310
выражении являются температура среды (посадочного места) Т и суммарное тепловое сопротивление Rt. Температура среды зависит от принятой системы терморегулирования (для герметичных КА), температура посадочного места (для негерметичных КА) - от конструкции КА, от величины мощности, выделяемой аппаратурой, от режима ее работы и должна определяться для каждой конкретной БА, и по отношению к ЭРИ выступает как внешнее воздействие. Поэтому величиной остающейся в "распоряжении" разработчика БА, с целью обеспечения максимальной допустимой мощности ЭРИ, а значит в итоге и минимальных массогабаритных характеристик БА, является суммарное тепловое сопротивление: активная область ЭРИ – окружающая среда (посадочное место).
Подход к обеспечению допустимых тепловых режимов ЭРИ изложен в справочнике [29] однако практическое использование для ЭРИ, применяемых в негерметичных КА, затруднено:
•рекомендации по снижению электрических нагрузок приведены только для некоторых конкретных типов ЭРИ при их монтаже пайкой за выводы;
•не учтено необходимое снижение допустимой температуры кристалла ИС с учетом длительной работоспособности;
•не содержится подхода к правилам применения ЭРИ при различных вариантах монтажа, что неизбежно приведет к занижению допустимой элек-
трической нагрузки ЭРИ, а значит к увеличению массогабаритных характеристик БА.
Поэтому ниже предложен более детальный подход к обеспечению допустимых электрических и тепловых режимов ЭРИ, применяемых в негерметичных КА, с учетом различных способов монтажа и температур посадочных мест ЭРИ.
По установившимся правилам оценку работоспособности ЭРИ в условиях пониженного давления до 10-13 мм рт.ст. по тепловым эффектам проводят исходя из следующих предпосылок:
•в соответствии с [95] для ЭРИ, предназначенных для эксплуатации при давлении Р=10-9 мм рт.ст., допускается проводить испытания при Р=10 -6 мм рт.ст.;
311
•в соответствии с ОТУ на ИС и полупроводниковые приборы [96, 97] допускается их применение в условиях пониженного давления до 10-13 мм рт.ст. при соблюдении конструктивных мер, обеспечивающих температурный режим, установленный в НТД. Так в справочнике [98] указано, что для моделирования теплового воздействия космического вакуума с
погрешностью 1% достаточно создать в вакуумной камере давление Р =10- 3 мм рт. ст. При этом теплоотвод за счет теплопроводности воздуха и конвекции пренебрежимо мал и отвод тепла осуществляется только кондуктивным методом.
Однако непосредственное воздействие вакуума может проявиться и в возникновении электрических разрядов между выводами ЭРИ и в сублимации материалов, из которых они изготовлены.
Возникновение электрических разрядов связано с электрической прочностью среды (закон Пашена), которая минимальна в области давлений от 30 до 102 мм. рт. ст. и составляет не менее 300 В [29]. Таким образом в электрических цепях с напряжением менее 300 В статического электрического пробоя быть не может, а бортовое напряжение (23 ÷ 34)В.
Явление сублимации материалов не окажет влияния на работоспособность ЭРИ, так как положительная максимальная температура, при которой этот процесс имеет практическое значение значительно (не менее чем в 10 раз) превышает температуру ЭРИ в герметичном и негерметизированном КА [99].
Таким образом, проблема эксплуатации ЭРИ при давлении до Р=10-13 мм рт.ст. (по тепловым эффектам) сводится к обеспечению нормированного теплового режима.
В дальнейших рассуждениях сделано следующее допущение: теплообмен излучением пренебрежительно мал по сравнению с кондукцией по конструкции.
Принципиально возможны два варианта монтажа ЭРИ:
•крепление только за выводы пайкой;
•крепление за выводы пайкой с приклейкой корпуса к печатной плате. Для данных вариантов монтажа можно привести эквивалентные тепловые
модели:
Крепление за выводы пайкой:
|
|
|
312 |
|
|
|
|
|
Rtпл1 |
|
Rtвыв |
|
Rtс-кор |
||
Тпм |
|
|
Тпл |
|
Ткор |
|
Тс |
|
|
|
|
||||
|
|
|
|
|
|
|
|
Rt = Rt пл1 + Rtвыв |
+ Rtc − кор |
|
|
|
Крепление за выводы пайкой с приклейкой корпуса к печатной плате:
|
Rtпл1 |
|
Rtвыв |
|
Rtс-кор |
|
Тпм |
|
Тпл |
|
Ткор |
|
Тс |
|
|
|
||||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
Rtпл2 |
|
|
|
|
|
|
|
|
Rt = |
( Rtпл 1 |
+ Rtвыв ) Rtпл 2 |
+ Rtc −кор , где |
|
Rtпл 1 |
|
|
||
|
+ Rtвыв + Rtпл 2 |
Rtпл1 - тепловое сопротивление печатной платы под выводами ЭРИ, °С/Вт;
Тпл - температура печатной платы, °С;
Rtвыв - тепловое сопротивление выводов ЭРИ, °С/Вт;
Rtпл2 - тепловое сопротивление печатной платы под корпусом ЭРИ, °С/Вт; Rtс-кор - тепловое сопротивление рабочий элемент ЭРИ - корпус ЭРИ °С/Вт.
В свою очередь тепловые сопротивления определяются из выражений:
Rtпл1 |
= |
|
|
J |
|
|
; |
|||
n S |
|
Lпл |
|
|||||||
|
|
|
|
|
|
|||||
R tпл 2 |
= |
|
|
J к |
|
|
; |
|||
|
|
S эри |
|
L к |
|
|||||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
||
Rtвыв |
= |
|
|
|
d |
|
|
|
|
, где |
|
n S в |
L |
|
|
|
|||||
|
|
|
в |
j, jk - толщина печатной платы, слоя клея под ЭРИ соответственно, м; n- число выводов ЭРИ;
S, Sэри - площадь печатной платы под выводами ЭРИ и площадь корпуса ЭРИ со стороны печатной платы, м2;