Добавил:
Upload Опубликованный материал нарушает ваши авторские права? Сообщите нам.
Вуз: Предмет: Файл:
Надежность САУ Федосов В В 4261.pdf
Скачиваний:
846
Добавлен:
17.03.2015
Размер:
11.03 Mб
Скачать

 

 

 

 

 

323

 

 

 

 

 

R,кОм

-0.19

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

-0.195

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

-0.2

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

-0.205

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

-0.21

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

-0.215

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

-0.22

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

-0.2250

10

20

30

40

50

60

70

80

90

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Шт.

Рис. 95 График распределения сопротивления открытого ключа Rотк. 1127КН6 (партия

99 дата изг. 02.04 кол-во 86 шт.) при Ucc=±8.1 B; Uсм= 0 В

 

 

 

 

Подобные иллюстрации можно привести для других параметров и других типов ЭРИ. Вид же графиков будет аналогичен приведенному. Поскольку каждая ИС имеет индивидуальные электрические параметры, причем зависящие от электрического режима работы, то и момент выхода за границы ТУ для каждой ИС в различных электрических режимах будет также индивидуальным, а следовательно, и уровень радиационной стойкости также будет различными для каждого отдельного корпуса ИС.

11.2.2Экспериментальные данные разброса радиационной стойкости ЭРИ

На рис.96 приведены интегральные функции распределения отказавших ИС 564ЛА7 от дозы облучения. Анализ приведенных зависимостей показывает, что разброс по уровню стойкости достаточно широк, причем зависит еще и от предыстории облучения и отжига радиационных дефектов, но это уже информация для разработки методики классификации ЭРИ по уровню радиационной стойкости [109].

 

 

 

 

324

 

 

 

 

 

Дозы отказа ИС 564 ЛА7

 

 

 

100

 

 

 

 

 

 

90

 

 

 

 

 

 

80

 

 

 

 

 

отказов

70

 

 

 

 

 

60

 

 

 

 

 

50

 

 

 

 

 

Процент

 

 

 

 

 

40

 

 

 

 

 

30

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

20

 

 

 

 

 

 

10

 

 

 

 

 

 

0

 

 

 

 

 

 

20000

40000

60000

80000

100000

160000

 

 

 

 

Доза отказа, рад

 

 

 

 

 

1 - D=10000 P и отжиг при 125 С

 

 

 

 

 

2 - D=100000 P и отжигпри 125 С

 

 

 

 

 

3 - D=10000 P при 100 С и отжиг при 125 С

 

 

 

 

 

4 - Контрольная партия

 

 

Рис. 96 Разброс уровня радиационной стойкости ИС в производственной партии

Радиационные повреждения ИС зависят от вида излучения и его временных характеристик: представляет оно собой короткий динамический мощный импульс или действует в течение длительного времени [104].

11.2.3Обоснование номенклатуры критически важных ЭРИ определяющих радиационные характеристики бортовой аппаратуры КА

Стойкость РЭА ограничивается, как правило, небольшим количеством типов ЭРИ. При этом среди ЭРИ из одной партии обязательно присутствуют образцы, уровень стойкости которых намного выше (до порядка величины) установленного в ТУ. В соответствии с этим стойкость РЭА к воздействию заряженных частиц ЕРПЗ и искусственных радиационных поясов Земли (ИРПЗ) по дозовым эффектам может быть обеспечена путем использования отбраковочных испытаний с целью либо отбраковки потенциально нестойких изделий, либо выбора изделий с требуемым уровнем стойкости (повышенным по сравнению с ТУ). Имеющиеся в настоящее время методики отбраковочных испытаний ЭРИ [106] основаны на статистических методах и требуют большого объема предварительных испытаний обучающей выборки ЭРИ. То есть, помимо больших затрат на испытания, они требуют представительные выборки ЭРИ.

325

С целью обоснования критически важной номенклатуры ЭРИ произведен сбор и обобщение информации о применяемости ЭРИ в БА перспективных КА.

В качестве основной номенклатуры ЭРИ обобщенного перечня были использованы ЭРИ, заявленные кооперацией НПО ПМ – как предприятия, разрабатывающего наибольшее количество КА различного назначения – связи, телевидения, навигации и ретрансляции. Этот перечень был дополнен номенклатурой ЭРИ, применяемой и предполагаемой к применению кооперацией НПО ПМ, РКК "Энергия" и ГНП РКЦ "ЦСКБ – Прогресс"– в перечне эти ЭРИ выделены особо.

Учитывая, что радиационная стойкость БА определяется стойкостью активных ЭРИ, применяемых в ней, в обобщенный перечень были включены интегральные микросхемы, полупроводниковые приборы (транзисторы, диоды, стабилитроны и др.) и оптоэлектронные приборы.

Обобщенный перечень активных ЭРИ состоит из двух частей – перечня отечественных ЭРИ и перечня предполагаемых к применению ЭРИ иностранного производства.

Под ЭРИ отечественного производства, в соответствии со сложившейся практикой работы, понимаются ЭРИ, изготавливаемые на предприятиях России, стран СНГ (Беларусь, Украина, Узбекистан) и республик Балтии (Латвия, Литва, Эстония).

На данном этапе не следует принимать к рассмотрению номенклатуру ЭРИ иностранного производства:

детальный анализ этой номенклатуры головными разработчиками КА не проводился, к применению заявлены ЭРИ с различными уровнями качества (надежности) – начиная от коммерческих ЭРИ и заканчивая ЭРИ космического назначения;

не проводилась минимизация номенклатуры, что привело к включению в перечень заявленных к применению ЭРИ иностранного производства ЭРИ одного функционального назначения с близкими характеристиками, но изготавливаемых различными фирмами;

учитывая, что большинство ЭРИ космического назначения, особенно определяющих современный уровень ТТХ аппаратуры КА микросхем, про-

326

изводятся фирмами США, на их экспорт в Россию требуется разрешение Госдепартамента США, что в большинстве случаев (особенно для серийно изготавливаемых КА военного назначения) более чем сомнительно.

ЭРИ космического и военного назначения, как правило, выпускаются с различными уровнями стойкости, что оговаривается в контрактах на закупку.

На ЭРИ космического и военного назначения имеются обширные, доступные для пользователей, базы данных по радиационной стойкости ЭРИ и их испытаниям на эти воздействия. Например, электронная база данных COMRAD, разработанная английской фирмой SPUR по поручению ESA и находящаяся по адресу www.comrad-uk.net, через которую также можно выйти на другие базы данных – RADNET, Sandia и др.

На ЭРИ коммерческого и индустриального назначения уровень радиационной стойкости изготовителями не определяется и не гарантируется, для различных партий одного и того же типы ЭРИ этот уровень (по результатам испытаний) отличается. Испытания, проведенные для какой либо партии конкретного типа ЭРИ (например, микросхемы) будут неинформативны для других партий этого же типа ЭРИ, поскольку в подавляющем большинстве случаев неизвестна предыстория изготовления ЭРИ коммерческого и индустриального назначения.

Учитывая изложенное, а также руководствуясь данными, приведенными в табл. 71, видно, что тактико-технические характеристики БА по радиационной стойкости будут определять:

цифровые микросхемы, изготавливаемые по КМОМ – технологии:

серий 1526 и 564В (наиболее часто применяемы цифровые микросхемы в космической аппаратуре);

серий 1554 и 1564 (микросхемы с пониженным напряжением питания и повышенным быстродействием; микросхемы серии 1554),

запоминающие устройства – серии 537 (наиболее часто применяемые схемы памяти, изготавливаемые по КМОП – технологии);

схемы организации микропроцессорных систем:

327

серии 588 (наиболее часто применяемая в настоящее время микропроцессорная серия, изготавливаемая по КМОП – технологии, включающая в себя большой набор микросхем различного функционального назначения);

серий Л1839 / Н1839 (перспективный микропроцессорный набор, изготавливаемый по КМОП – технологии, широкое применение сдерживается отсутствием серийного производства);

серий 1806 / Н1806 (изготавливаются по КМОП – технологии, применяются различными потребителями);

аналоговые микросхемы:

операционные усилители серии 140, разработанные по биполярной технологии и освоенные ОАО "Восход – КРЛЗ" (г. Калуга) взамен аналогичной серии микросхем, разработанных и изготавливаемых на Украине; наиболее часто используемая серия операционных усилителей;

коммутаторы и ключи серии 1127 (наиболее часто применяются в аппаратуре, изготавливаются по КМОП – технологии);

аналого-цифровые и цифро-аналоговые преобразователи серии 521, изготавливаемые по биполярной технологии (основной производитель – Латвия, но начато производство и в России).

Таблица 71Стойкость микросхем к ионизирующим излучениям космического пространства

Серии микросхем

Технология

Стойкость к факторам

К1 [C1]

К3 [C3]

 

 

Серия М1006

Биполярная

Серия 101

Биполярная

[3У]

[3У]

Серии 106, 706-1

ТТЛ

1У – 3У

1У – 3У

Серии 1108, Н1108

Биполярная

Серия 1109

Биполярная

Серия 1113

Биполярная

1,1 1У

0,1 1У

Серия 1114

Биполярная

Серия 1116

 

Серия 1121

Биполярная

Серии 1127, Б1127-2

КМОП

Серия 1133

Биполярная

Серия 1134

ТТЛ

Серия 1135

Биполярная

Серия 1145

Биполярная

Серия 1148

Биполярная

328

Серии микросхем

Технология

Стойкость к факторам

К1 [C1]

К3 [C3]

 

 

Серия 1156

 

Серия 122

Биполярная

Серия 129-1

Биполярная

Серии 133, Н133

ТТЛ

Серии 134, 734-1

ТТЛ

3У – 4У

Серии 1401, Н1401

Биполярная

1У – 2У

1У – 3У

Серия 1407

Биполярная

[2У]

Серии 140, Н140

 

 

 

Б140-1, Б140-2,

Биполярная

(0,1 – 1) 1У

(0,1 – 1) 1У

740-1

 

 

 

Серии 1417, Б1417-2

Биполярная

Серии 142, Б142-4

Биполярная

Серия 1432

Биполярная

Серия 146

Биполярная

 

 

Серия 149

ТТЛШ

Серия 1505

ТТЛ

3У – 4У

Серии 1515, Н1515

КМОП

0,1 1У

0,1 1У

Серии 1526, Б1526-2

КМОП

Серии 1533, Б1533-2

ТТЛ-ALS

Серии Н1537, Б1537-4

КМОП

Серии 153, Н153

Биполярная

 

[2У – 3У]

Серия 154

Биполярная

0,1 1У

0,1 1У

Серия 1564

КМОП

0,02 1У

0,02 1У

Серия 1582

КМОП

2,5 1У

 

Серия 1617

КМОП

1У – 2У

2У – 3У

Серия Н1619

КМОП

Серия 1623

КМОП

1У – 2У

1У – 2У

Серия 168

Биполярная

0,6 1У

Серия 169

ТТЛ

1У – 4У

1У – 4У

Серия 174

Биполярная

Серия 175

Биполярная

Серии 1806, Н1806

КМОП

0,1 1У

0,01 1У

Серия М1821

КМОП

(0,001 – 0,1) 1У

(0,05 – 0,1) 1У

Серия Н1830

КМОП

 

 

Серия Н1836

КМОП

0,5 2У

Серии Л1839, Н1839

КМОП

(0,04 – 0,1) 1У

(0,004 – 0,1) 1У

Серия 1842

 

1У – 2У

0,1 1У – 2У

Серия 1867

КМОП

 

 

Серии 193, Н193

Биполярная

Серия 198

Биполярная

Серия 286

Гибридная

Серия 432

Гибридная

Серии 521, Б521-1, Б521-2,

Биполярная

Б521-4

 

 

 

Серия 522

Биполярная

Серия 525

 

Серия 526

Биполярная

Серия 530

ТТЛ-S

329

Серии микросхем

 

Технология

Стойкость к факторам

 

К1 [C1]

К3 [C3]

 

 

 

Серии 533, Н533 Б533-2

ТТЛ-LS

Серии 537, Н537

 

КМОП

(0,4 – 0,1) 1У

(0,01 – 0,1) 1У

Серия 541

 

И2Л

1У – 4У

1У – 4У

Серия 542

 

Биполярная

Серии 544, Б544-2

744-1

БИМОП

Серия Н5503

 

КМОП

 

 

Серии 556, М556

 

ТТЛ-S

Серии 559, Н559

 

ТТЛ-S

Серия Н563

 

КМОП

0,5 1У

0,2 1У

Серии 564В, 765В-1

 

КМОП

Серии 572, Н572

Б572-

Униполярная

(0,1 –1) 1У

(0,1 – 1) !У

2

 

 

 

 

Серия 574

 

Биполярная

Серии 588, Н588

 

КМОП / ТТЛ-S

(0,1 – 1) 1У /

(0,1 – 1) 1У /

 

 

 

Серии 590, Н590

 

КМОП

0,006 1У

0,05 1У

Серия 591

 

КМОП

0,02 1У

Серия 594

 

Биполярная

Серия 597

 

Биполярная