- •Оглавление
- •Глава 1 ОСНОВЫЕ ПОНЯТИЯ ТЕОРИИ КАЧЕСТВА И НАДЕЖНОСТИ
- •1.1 ОСНОВНЫЕ ПОНЯТИЯ И ОПРЕДЕЛЕНИЯ
- •1.2 ПОКАЗАТЕЛИ НАДЕЖНОСТИ ТЕХНИЧЕСКИХ УСТРОЙСТВ
- •1.3 ТЕРМИНЫ И ОПРЕДЕЛЕНИЯ ПРИМЕНИТЕЛЬНО К ИЗДЕЛИЯМ МИКРОЭЛЕКТРОНИКИ
- •1.4 КРИТЕРИИ И КОЛИЧЕСТВЕННЫЕ ПОКАЗАТЕЛИ НАДЕЖНОСТИ
- •1.5 ЗАВИСИМОСТИ МЕЖДУ ОСНОВНЫМИ ХАРАКТЕРИСТИКАМИ НАДЕЖНОСТИ
- •1.6 ПРИМЕРЫ РЕШЕНИЯ ЗАДАЧ ПО НАДЕЖНОСТИ
- •Глава 2 ОБЕСПЕЧЕНИЕ НАДЕЖНОСТИ НА ЭТАПЕ ПРОЕКТИРОВАНИЯ
- •2.1 ОБЩИЕ ПРИНЦИПЫ ОБЕСПЕЧЕНИЯ НАДЕЖНОСТИ
- •2.2 ПРОГРАММНЫЕ ДОКУМЕНТЫ ПО ОБЕСПЕЧЕНИЮ НАДЕЖНОСТИ
- •2.2.1 Типовая структура и содержание программы обеспечения надежности космического аппарата
- •2.2.2 Основные нормативные требования к составу и содержанию КПЭО КА
- •2.3 АНАЛИЗЫ ПО ОБЕСПЕЧЕНИЮ НАДЕЖНОСТИ ОБОРУДОВАНИЯ, БОРТОВЫХ СИСТЕМ И КОСМИЧЕСКОГО АППАРАТА
- •2.3.1 Функциональный анализ
- •2.3.2 Анализ (расчет) надежности
- •2.3.2.2. Методы нормирования показателей надежности по составным частям космического аппарата
- •2.3.2.3.Методы анализа и оценки показателей надежности на соответствие нормативным значениям (расчетные, расчетно-экспериментальные методы)
- •2.3.2.5 Надежность КА при хранении
- •2.3.3 Анализ видов, последствий и критичности отказов
- •2.3.3 Анализ электрических и тепловых нагрузок на комплектующие и мер по облегчению нагрузок для комплектующих.
- •2.3.4 Анализ худшего случая.
- •2.3.5 Анализ обеспечения требуемого ресурса и сохраняемости.
- •2.3.6 Перечень и программа контроля критичных элементов
- •Глава 3 СТРУКТУРА ЭКСПЕРИМЕНТАЛЬНОЙ ОТРАБОТКИ БОРТОВЫХ СИСТЕМ И БОРТОВОГО ОБОРУДОВАНИЯ
- •Глава 4 ОБЩЕЕ ПРЕДСТАВЛЕНИЕ ОБ ОТКАЗАХ ИЗДЕЛИЙ МИКРОЭЛЕКТРОНИКИ
- •4.1 ФИЗИЧЕСКАЯ МОДЕЛЬ ОТКАЗОВ
- •4.2 МЕХАНИЗМЫ ВНЕЗАПНЫХ И ПОСТЕПЕННЫХ ОТКАЗОВ
- •4.3 СТРУКТУРНЫЕ ДЕФЕКТЫ КОМПОНЕНТОВ БИС
- •4.4 ОБЩИЕ ДЕФЕКТЫ В ТВЕРДЫХ ТЕЛАХ
- •4.5 ДЕФЕКТЫ В КРЕМНИЕВОЙ ПОДЛОЖКЕ
- •4.5.1 Механизм образования "отрицательных нитевидных кристаллов".
- •4.5.2 Растворение кремния алюминием
- •4.6 ДЕФЕКТЫ ПЛЕНОК ПОЛИКРИСТАЛЛИЧЕСКОГО КРЕМНИЯ
- •4.7 ДЕФЕКТЫ СТРУКТУРЫ ДИЭЛЕКТРИЧЕСКИХ СЛОЕВ
- •4.7.1 Локализованные дефекты структуры и состава диэлектрических слоев
- •4.7.2 Химические и физические нелокализованные дефекты
- •Глава 5 ОТБРАКОВОЧНЫЕ ИСПЫТАНИЯ – СРЕДСТВО ПОВЫШЕНИЯ НАДЕЖНОСТИ ПАРТИЙ ИЗДЕЛИЙ МИКРОЭЛЕКТРОНИКИ
- •5.1 СОСТАВ ОТБРАКОВОЧНЫХ ИСПЫТАНИЙ
- •5.2 ТРЕНИРОВКА
- •5.3 ЭЛЕКТРОТРЕНИРОВКА
- •5.4 ЭЛЕКТРОТЕРМОТРЕНИРОВКА
- •5.5 ТЕРМОТРЕНИРОВКА
- •5.6 ПРОДОЛЖИТЕЛЬНОСТЬ ТРЕНИРОВОК
- •Глава 6 МОДЕЛЬ ВНЕШНИХ ВОЗДЕЙСТВУЮЩИХ ФАКТОРОВ ДЛЯ ЭЛЕКТРОРАДИОИЗДЕЛИЙ, ЭКСПЛУАТИРУЕМЫХ В КОСМИЧЕСКИХ АППАРАТАХ ДЛИТЕЛЬНОГО ФУНКЦИОНИРОВАНИЯ
- •6.5.1 Излучения естественных радиационных поясов Земли
- •6.5.2 Воздействие одиночных частиц
- •Глава 7 МЕТОДЫ ОБЕСПЕЧЕНИЯ АППАРАТУРЫ КА ИЗДЕЛИЯМИ МИКРОЭЛЕКТРОНИКИ НЕОБХОДИМОГО УРОВНЯ КАЧЕСТВА И НАДЕЖНОСТИ
- •Глава 8 ВОЗДЕЙСТВИЕ ЭЛЕКТРОСТАТИЧЕСКИХ ЗАРЯДОВ НА ИЗДЕЛИЯ МИКРОЭЛЕКТРОНИКИ
- •Глава 9 НЕРАЗРУШАЮЩИЕ МЕТОДЫ АНАЛИЗА МИКРОСХЕМ
- •9.1.1 Обзор систем формирования рентгеновского изображения
- •9.1.2 Неразрушающее формирование трехмерного изображения
- •9.1.3 Практическое использование рентгеновских инспекционных установок в лабораториях анализа отказов
- •Влияние облучения на образец
- •9.2.1 Сравнение РЭМ и оптического микроскопа
- •9.2.2 Электронная оптика
- •Зарядка образца
- •Скорость сканирования и качество изображения
- •Краткое описание
- •Глава 10 МЕТРОЛОГИЧЕСКОЕ ОБЕСПЕЧЕНИЕ
- •Глава 11 РАСЧЕТНО-ЭКСПЕРИМЕНТАЛЬНЫЕ МЕТОДЫ ПРОГНОЗИРОВАНИЯ РАБОТОСПОСОБНОСТИ ИЗДЕЛИЙ МИКРОЭЛЕКТРОНИКИ ПРИ ВОЗДЕЙСТВИИ ФАКТОРОВ КОСМИЧЕСКОГО ПРОСТРАНСТВА
- •11.1.1 Метод прогнозирования работоспособности ЭРИ к воздействию электрических и тепловых нагрузок в КА негерметичного исполнения
- •11.1.2 Определение допустимого коэффициента электрической нагрузки ИС в КА негерметичного исполнения
- •11.1.3 Справочник конструктора по применению изделий микроэлектроники в КА негерметичного исполнения длительного функционирования
- •11.2.1 Причины разбросов показателей радиационной стойкости ЭРИ от образца к образцу
- •11.2.2 Экспериментальные данные разброса радиационной стойкости ЭРИ
- •11.2.3 Обоснование номенклатуры критически важных ЭРИ определяющих радиационные характеристики бортовой аппаратуры КА
- •11.2.4 Обеспечение радиационной стойкости критически стойких ЭРИ
- •11.2.5 Влияние идеологии проведения ВК, ОИ и ДНК на уровень радиационной стойкости ЭРИ, устанавливаемых в аппаратуру
- •11.3.1 Разработка подхода к оценке работоспособности ЭРИ в условиях комплексного воздействия ФКП
|
|
|
|
|
323 |
|
|
|
|
|
R,кОм |
-0.19 |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
-0.195 |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
-0.2 |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
-0.205 |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
-0.21 |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
-0.215 |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
-0.22 |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
-0.2250 |
10 |
20 |
30 |
40 |
50 |
60 |
70 |
80 |
90 |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
Шт. |
Рис. 95 График распределения сопротивления открытого ключа Rотк. 1127КН6 (партия |
||||||||||
99 дата изг. 02.04 кол-во 86 шт.) при Ucc=±8.1 B; Uсм= 0 В |
|
|
|
|
Подобные иллюстрации можно привести для других параметров и других типов ЭРИ. Вид же графиков будет аналогичен приведенному. Поскольку каждая ИС имеет индивидуальные электрические параметры, причем зависящие от электрического режима работы, то и момент выхода за границы ТУ для каждой ИС в различных электрических режимах будет также индивидуальным, а следовательно, и уровень радиационной стойкости также будет различными для каждого отдельного корпуса ИС.
11.2.2Экспериментальные данные разброса радиационной стойкости ЭРИ
На рис.96 приведены интегральные функции распределения отказавших ИС 564ЛА7 от дозы облучения. Анализ приведенных зависимостей показывает, что разброс по уровню стойкости достаточно широк, причем зависит еще и от предыстории облучения и отжига радиационных дефектов, но это уже информация для разработки методики классификации ЭРИ по уровню радиационной стойкости [109].
|
|
|
|
324 |
|
|
|
|
|
Дозы отказа ИС 564 ЛА7 |
|
|
|
|
100 |
|
|
|
|
|
|
90 |
|
|
|
|
|
|
80 |
|
|
|
|
|
отказов |
70 |
|
|
|
|
|
60 |
|
|
|
|
|
|
50 |
|
|
|
|
|
|
Процент |
|
|
|
|
|
|
40 |
|
|
|
|
|
|
30 |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
20 |
|
|
|
|
|
|
10 |
|
|
|
|
|
|
0 |
|
|
|
|
|
|
20000 |
40000 |
60000 |
80000 |
100000 |
160000 |
|
|
|
|
Доза отказа, рад |
|
|
|
|
|
1 - D=10000 P и отжиг при 125 С |
|
|
|
|
|
|
2 - D=100000 P и отжигпри 125 С |
|
|
|
|
|
|
3 - D=10000 P при 100 С и отжиг при 125 С |
|
|
|
|
|
|
4 - Контрольная партия |
|
|
|
Рис. 96 Разброс уровня радиационной стойкости ИС в производственной партии |
Радиационные повреждения ИС зависят от вида излучения и его временных характеристик: представляет оно собой короткий динамический мощный импульс или действует в течение длительного времени [104].
11.2.3Обоснование номенклатуры критически важных ЭРИ определяющих радиационные характеристики бортовой аппаратуры КА
Стойкость РЭА ограничивается, как правило, небольшим количеством типов ЭРИ. При этом среди ЭРИ из одной партии обязательно присутствуют образцы, уровень стойкости которых намного выше (до порядка величины) установленного в ТУ. В соответствии с этим стойкость РЭА к воздействию заряженных частиц ЕРПЗ и искусственных радиационных поясов Земли (ИРПЗ) по дозовым эффектам может быть обеспечена путем использования отбраковочных испытаний с целью либо отбраковки потенциально нестойких изделий, либо выбора изделий с требуемым уровнем стойкости (повышенным по сравнению с ТУ). Имеющиеся в настоящее время методики отбраковочных испытаний ЭРИ [106] основаны на статистических методах и требуют большого объема предварительных испытаний обучающей выборки ЭРИ. То есть, помимо больших затрат на испытания, они требуют представительные выборки ЭРИ.
325
С целью обоснования критически важной номенклатуры ЭРИ произведен сбор и обобщение информации о применяемости ЭРИ в БА перспективных КА.
В качестве основной номенклатуры ЭРИ обобщенного перечня были использованы ЭРИ, заявленные кооперацией НПО ПМ – как предприятия, разрабатывающего наибольшее количество КА различного назначения – связи, телевидения, навигации и ретрансляции. Этот перечень был дополнен номенклатурой ЭРИ, применяемой и предполагаемой к применению кооперацией НПО ПМ, РКК "Энергия" и ГНП РКЦ "ЦСКБ – Прогресс"– в перечне эти ЭРИ выделены особо.
Учитывая, что радиационная стойкость БА определяется стойкостью активных ЭРИ, применяемых в ней, в обобщенный перечень были включены интегральные микросхемы, полупроводниковые приборы (транзисторы, диоды, стабилитроны и др.) и оптоэлектронные приборы.
Обобщенный перечень активных ЭРИ состоит из двух частей – перечня отечественных ЭРИ и перечня предполагаемых к применению ЭРИ иностранного производства.
Под ЭРИ отечественного производства, в соответствии со сложившейся практикой работы, понимаются ЭРИ, изготавливаемые на предприятиях России, стран СНГ (Беларусь, Украина, Узбекистан) и республик Балтии (Латвия, Литва, Эстония).
На данном этапе не следует принимать к рассмотрению номенклатуру ЭРИ иностранного производства:
•детальный анализ этой номенклатуры головными разработчиками КА не проводился, к применению заявлены ЭРИ с различными уровнями качества (надежности) – начиная от коммерческих ЭРИ и заканчивая ЭРИ космического назначения;
•не проводилась минимизация номенклатуры, что привело к включению в перечень заявленных к применению ЭРИ иностранного производства ЭРИ одного функционального назначения с близкими характеристиками, но изготавливаемых различными фирмами;
•учитывая, что большинство ЭРИ космического назначения, особенно определяющих современный уровень ТТХ аппаратуры КА микросхем, про-
326
изводятся фирмами США, на их экспорт в Россию требуется разрешение Госдепартамента США, что в большинстве случаев (особенно для серийно изготавливаемых КА военного назначения) более чем сомнительно.
ЭРИ космического и военного назначения, как правило, выпускаются с различными уровнями стойкости, что оговаривается в контрактах на закупку.
На ЭРИ космического и военного назначения имеются обширные, доступные для пользователей, базы данных по радиационной стойкости ЭРИ и их испытаниям на эти воздействия. Например, электронная база данных COMRAD, разработанная английской фирмой SPUR по поручению ESA и находящаяся по адресу www.comrad-uk.net, через которую также можно выйти на другие базы данных – RADNET, Sandia и др.
На ЭРИ коммерческого и индустриального назначения уровень радиационной стойкости изготовителями не определяется и не гарантируется, для различных партий одного и того же типы ЭРИ этот уровень (по результатам испытаний) отличается. Испытания, проведенные для какой либо партии конкретного типа ЭРИ (например, микросхемы) будут неинформативны для других партий этого же типа ЭРИ, поскольку в подавляющем большинстве случаев неизвестна предыстория изготовления ЭРИ коммерческого и индустриального назначения.
Учитывая изложенное, а также руководствуясь данными, приведенными в табл. 71, видно, что тактико-технические характеристики БА по радиационной стойкости будут определять:
•цифровые микросхемы, изготавливаемые по КМОМ – технологии:
•серий 1526 и 564В (наиболее часто применяемы цифровые микросхемы в космической аппаратуре);
•серий 1554 и 1564 (микросхемы с пониженным напряжением питания и повышенным быстродействием; микросхемы серии 1554),
•запоминающие устройства – серии 537 (наиболее часто применяемые схемы памяти, изготавливаемые по КМОП – технологии);
•схемы организации микропроцессорных систем:
327
•серии 588 (наиболее часто применяемая в настоящее время микропроцессорная серия, изготавливаемая по КМОП – технологии, включающая в себя большой набор микросхем различного функционального назначения);
•серий Л1839 / Н1839 (перспективный микропроцессорный набор, изготавливаемый по КМОП – технологии, широкое применение сдерживается отсутствием серийного производства);
•серий 1806 / Н1806 (изготавливаются по КМОП – технологии, применяются различными потребителями);
•аналоговые микросхемы:
•операционные усилители серии 140, разработанные по биполярной технологии и освоенные ОАО "Восход – КРЛЗ" (г. Калуга) взамен аналогичной серии микросхем, разработанных и изготавливаемых на Украине; наиболее часто используемая серия операционных усилителей;
•коммутаторы и ключи серии 1127 (наиболее часто применяются в аппаратуре, изготавливаются по КМОП – технологии);
•аналого-цифровые и цифро-аналоговые преобразователи серии 521, изготавливаемые по биполярной технологии (основной производитель – Латвия, но начато производство и в России).
Таблица 71Стойкость микросхем к ионизирующим излучениям космического пространства
Серии микросхем |
Технология |
Стойкость к факторам |
||
К1 [C1] |
К3 [C3] |
|||
|
|
|||
Серия М1006 |
Биполярная |
2У |
2У |
|
Серия 101 |
Биполярная |
[3У] |
[3У] |
|
Серии 106, 706-1 |
ТТЛ |
1У – 3У |
1У – 3У |
|
Серии 1108, Н1108 |
Биполярная |
1У |
1У |
|
Серия 1109 |
Биполярная |
2У |
2У |
|
Серия 1113 |
Биполярная |
1,1 1У |
0,1 1У |
|
Серия 1114 |
Биполярная |
1У |
1У |
|
Серия 1116 |
|
2У |
2У |
|
Серия 1121 |
Биполярная |
2У |
2У |
|
Серии 1127, Б1127-2 |
КМОП |
2У |
3У |
|
Серия 1133 |
Биполярная |
3У |
3У |
|
Серия 1134 |
ТТЛ |
3У |
3У |
|
Серия 1135 |
Биполярная |
3У |
3У |
|
Серия 1145 |
Биполярная |
3У |
3У |
|
Серия 1148 |
Биполярная |
3У |
3У |
328
Серии микросхем |
Технология |
Стойкость к факторам |
||
К1 [C1] |
К3 [C3] |
|||
|
|
|||
Серия 1156 |
|
1У |
1У |
|
Серия 122 |
Биполярная |
3У |
3У |
|
Серия 129-1 |
Биполярная |
3У |
3У |
|
Серии 133, Н133 |
ТТЛ |
3У |
3У |
|
Серии 134, 734-1 |
ТТЛ |
3У |
3У – 4У |
|
Серии 1401, Н1401 |
Биполярная |
1У – 2У |
1У – 3У |
|
Серия 1407 |
Биполярная |
[2У] |
3У |
|
Серии 140, Н140 |
|
|
|
|
Б140-1, Б140-2, |
Биполярная |
(0,1 – 1) 1У |
(0,1 – 1) 1У |
|
740-1 |
|
|
|
|
Серии 1417, Б1417-2 |
Биполярная |
3У |
3У |
|
Серии 142, Б142-4 |
Биполярная |
2У |
2У |
|
Серия 1432 |
Биполярная |
2У |
2У |
|
Серия 146 |
Биполярная |
|
|
|
Серия 149 |
ТТЛШ |
2У |
2У |
|
Серия 1505 |
ТТЛ |
3У |
3У – 4У |
|
Серии 1515, Н1515 |
КМОП |
0,1 1У |
0,1 1У |
|
Серии 1526, Б1526-2 |
КМОП |
3У |
3У |
|
Серии 1533, Б1533-2 |
ТТЛ-ALS |
3У |
3У |
|
Серии Н1537, Б1537-4 |
КМОП |
2У |
2У |
|
Серии 153, Н153 |
Биполярная |
|
[2У – 3У] |
|
Серия 154 |
Биполярная |
0,1 1У |
0,1 1У |
|
Серия 1564 |
КМОП |
0,02 1У |
0,02 1У |
|
Серия 1582 |
КМОП |
2,5 1У |
|
|
Серия 1617 |
КМОП |
1У – 2У |
2У – 3У |
|
Серия Н1619 |
КМОП |
1У |
2У |
|
Серия 1623 |
КМОП |
1У – 2У |
1У – 2У |
|
Серия 168 |
Биполярная |
1У |
0,6 1У |
|
Серия 169 |
ТТЛ |
1У – 4У |
1У – 4У |
|
Серия 174 |
Биполярная |
4У |
4У |
|
Серия 175 |
Биполярная |
3У |
3У |
|
Серии 1806, Н1806 |
КМОП |
0,1 1У |
0,01 1У |
|
Серия М1821 |
КМОП |
(0,001 – 0,1) 1У |
(0,05 – 0,1) 1У |
|
Серия Н1830 |
КМОП |
|
|
|
Серия Н1836 |
КМОП |
0,5 2У |
3У |
|
Серии Л1839, Н1839 |
КМОП |
(0,04 – 0,1) 1У |
(0,004 – 0,1) 1У |
|
Серия 1842 |
|
1У – 2У |
0,1 1У – 2У |
|
Серия 1867 |
КМОП |
|
|
|
Серии 193, Н193 |
Биполярная |
4У |
4У |
|
Серия 198 |
Биполярная |
3У |
4У |
|
Серия 286 |
Гибридная |
2У |
2У |
|
Серия 432 |
Гибридная |
3У |
3У |
|
Серии 521, Б521-1, Б521-2, |
Биполярная |
1У |
1У |
|
Б521-4 |
|
|
|
|
Серия 522 |
Биполярная |
3У |
3У |
|
Серия 525 |
|
1У |
1У |
|
Серия 526 |
Биполярная |
3У |
3У |
|
Серия 530 |
ТТЛ-S |
2У |
2У |
329
Серии микросхем |
|
Технология |
Стойкость к факторам |
|
|
К1 [C1] |
К3 [C3] |
||
|
|
|
||
Серии 533, Н533 Б533-2 |
ТТЛ-LS |
3У |
3У |
|
Серии 537, Н537 |
|
КМОП |
(0,4 – 0,1) 1У |
(0,01 – 0,1) 1У |
Серия 541 |
|
И2Л |
1У – 4У |
1У – 4У |
Серия 542 |
|
Биполярная |
3У |
3У |
Серии 544, Б544-2 |
744-1 |
БИМОП |
3У |
3У |
Серия Н5503 |
|
КМОП |
|
|
Серии 556, М556 |
|
ТТЛ-S |
2У |
2У |
Серии 559, Н559 |
|
ТТЛ-S |
3У |
3У |
Серия Н563 |
|
КМОП |
0,5 1У |
0,2 1У |
Серии 564В, 765В-1 |
|
КМОП |
1У |
1У |
Серии 572, Н572 |
Б572- |
Униполярная |
(0,1 –1) 1У |
(0,1 – 1) !У |
2 |
|
|
|
|
Серия 574 |
|
Биполярная |
4У |
4У |
Серии 588, Н588 |
|
КМОП / ТТЛ-S |
(0,1 – 1) 1У / |
(0,1 – 1) 1У / |
|
|
|
2У |
2У |
Серии 590, Н590 |
|
КМОП |
0,006 1У |
0,05 1У |
Серия 591 |
|
КМОП |
0,02 1У |
1У |
Серия 594 |
|
Биполярная |
4У |
4У |
Серия 597 |
|
Биполярная |
1У |
4У |