Добавил:
Upload Опубликованный материал нарушает ваши авторские права? Сообщите нам.
Вуз: Предмет: Файл:
Диссертация_.doc
Скачиваний:
3
Добавлен:
24.09.2019
Размер:
2.48 Mб
Скачать

2.2 Источник ионов

В нашем случае предполагается использовать осаждаемый материал в твёрдой фазе, предварительно измельчённый в порошок, который помещается в тигель ионизатора. В ионизатор напускается аргон и включается высокое напряжение.

Рассчитаем коэффициент распыления элементов ионами аргона при подаче на электроды напряжения 3 кВ /12/. Рассчитаем радиус экранирования:

a=4,7*10-9/(Z2/31 + Z2/32 )1/2 (2.7)

Рассчитаем сечение экранирования:

σа=πа2 (2.8)

Найдём нормирующий коэффициент энергии:

(2.9)

Пользуясь соотношением (2.4) определим значение коэффициента К0. Пользуясь соотношением (2.5) Найдем максимальный коэффициент распыления, где N2=5,91*1022 см-3  число атомов мишени, распыленных с единицы поверхности при облучении ее потоком ионов с максимальной дозой.

Определим энергию, соответствующую Kmах:

EM=0,3/F

Находим значение К. при E=3•103 эВ:

(2.10)

Рассчитаем число атомов аргона в рабочем объеме ионизатора при различном давлении газа.

(2.11)

Т=300 К, R=8.31 , V=1 см3

Рис. 2.1 Зависимость коэффициента распыления K от энергии ионов

а)

б)

Рис. 2.2 Схематическое изображение катодного распыления материала

а) Распыляемый материал до начала процесса

б) Траектории движений ионов при катодном распылении

Сведём эти расчёты в таблицу 2.1

Таблица 2.1

Число атомов при различных давлениях

P

Па

N

Атом/см3

1000

2,1448*1018

100

2,1448*1017

10

2,1448*1016

1

2,1448*1015

0,1

2,1448*1014

0,01

2,1448*1013


При давлении не ниже 100Па число ионизированных атомов составляет 25% от их числа, а при 10Па число ионизированных атомов составляет 80% (экспериментальная зависимость) и растёт с уменьшением давления. Отсюда видно что, используя аргон и подавая на ионизатор напряжение 3 кВ при данных давлениях можно получить концентрацию ионов распыляемого вещества порядка 1013-1018 /14/.

Концентратор плазмы представляет собой купол из металла, который не дает плазме растечься в больших количествах по объему рабочей камере. На рис. 2.3 представлено принципиальное схематическое изображение источника ионов. На рис. 2.4 представлены фотографии ионного источника.

1-откачка газа из накопителя плазмы. 2-электрод. 3-распыляемое вещество. 4-ускоритель первой ступени .5-первичная область фокусировки и сканирования луча. 6-корпус ионного источника. 7-откачка газа из ионного источника. 8-тигель. 9- подача инертного газа ионизатор. 10-накопитель плазмы.

Рисунок 2.3 Принципиальная схема ионного источника.

а) б)

в)

Рисунок 2.4 Ионный источник опытного образца установки ионно-лучевого осаждения.

а) Корпус ионного источника

б) Ионный источник вид сбоку

в) Ионный источник вид снизу

Соседние файлы в предмете [НЕСОРТИРОВАННОЕ]