Список используемой литературы

1. С. Зи. Физика полупроводниковых приборов / / М.: Мир, Том 2, 1984 - 455 с.

2. А. П. Сетченков. Техника физического эксперимента // М.: Энергоатомиздат, 1983 – 240 с.

3. М.М. Колтуна. Солнечные элементы: Теория и эксперимент // М. :Энергоатомиздат, 1987 – 280 с.

4. Колтун М.М. Солнечные элементы // М.: «Наука», 1987 – 190 с.

5. М.И. Елинсона, В.Б.Сандомирского. Физика тонких пленок // М.: Издательство «Мир», 1967 – 396 с.

6. В.И Кузнецов Н. Ф. Немилов В. Е. Шемякин. Эксплуатация вакуумного оборудования // М.: «Энергия», 1978 – 208 с.

7. Л. Ченга, К. Плога. Молекулярно-лучевая эпитаксия и гетероструктуры / М: «Мир», 1989 - 582 с.

8. А.И Костржитский, В.Ф Карпов. Справочник оператора установок по нанесению покрытий в вакууме // М.:Машиностроение, 1991-76с.

9. Технология тонких пленок (справочник) /Под ред. Л.Майссела, Р.Глэнга. Т.1. М.: Советское радио, 1977 - 664 с.

10. Блинов И.Г., Кожитов Л.В. Оборудование полупроводникового производства // М.: Машиностроение, 1986 - 264 с., ил.

11. Аброян И.А., Андронов А.Н., Титов А.И. Физические основы электронной и ионной технологии // М.: Высшая школа, 1984 - 320 с.

12. Радциг А.А, Смирнов Б.М. Параметры атомов и атомных ионов (справочник) // М.: Энергоатомиздат, 1986 - 344 с.

13. Сеченков А.П. Техника физического эксперимента // М.:Энергоатомиздат, 1983 - 240 с.

14. Дж. Лоусон. Физика пучков заряженных частиц // М.:Мир, 1980 - 438с.

15. А.В. Кондратов, А.С Потапенко. Термическое испарение в вакууме при производстве изделий радиоэлектроники // М: «Радио и связь», 1986.

16. В.Н Лозовский, Л.С Лунин. Пятикомпонентные твёрдые растворы соединений А³В⁵ // Ростов на Дону издательство Ростовского университета, 1992.

17. Ларин М.П. Высоковакуумные агрегаты с криогенным и магниторазрядным насосами // Приборы и техника эксперимента, 1982, №2, с.130-133.

18. В.В. Крапухин, И.А. Соколов, Г.Д. Кузнецов. Физико-химические основы технологии п/п материалов // М.: Металлургия, 1982 – 352 с.

19. Ю.В. Липин, А.В. Рогачёв, С.С. Сидорский, В.В. Харитонов. Технология вакуумной металлизации полимерных материалов // Гомель:. Гомельское отдел. Белорус. Инж.технологич. академии, 1994.-206с.

20. Л. Майсела/ Пер. с англ.; М.И. Елинсона, Г.Г Смолко. Технология тонких плёнок: Справочник // М.: Советское радио, 1997.-406с.

21. Белый В.А. , Егоренков Н.И., Плескачевский Ю.М. Адгезия полимеров к металлам. // Минск: Наука и техника, 1971. 120с.

22. Механика полимеров Соголова Т.И. //.1965.№ 1.С.5-16.

23. Зубков П.И., Сухарева Л.А. Структура и свойства полимерных покрытий. // М.6Химия, 1982. 256с.

24. Липатов Ю.С. Межфазные явления в полимерах. // Киев: Наукова думка, 1975.С.66-93.

25. Курбатов Л.Н. Оптоэлектроника видимого и инфракрасного диапазонов спектра. // М.: Издательство МФТИ, 1999. 320 с.: ил.

26. Привалов В.И. Тихоненко О.Я. Оптоэлектронные структуры на многокомпонентных полупроводниках. // Минск: Высшая школа, 1981. 391 с.: ил.

27. Лозовский В.Н., Лунин Л.С., Благин А.В. Градиентная жидкофазная кристаллизация многокомпонентных полупроводниковых материалов. // Ростов – на – Дону: изд-во СКНЦ ВШ, 2003. 376 с.: ил.

28. Акчурин Р.Х., Акимов О.В. Тонкослойные упругонапряженные гетероструктуры InAs_1-x-ySb_xBi_y/InSb: расчет некоторых физических параметров. // ФТП. 1995. Т.29. Вып.2. С.362-369.

29. Акчурин Р.Х., Сахарова Т.В., Получение узкозонных твердых растворов InAs_1-x-ySb_xBi_y методом жидкофазной эпитаксии. // Письма в ЖТФ. 1992. Т.18. Вып.10. С.16-20.

30. Лунина О.Д. Варизонные гетероструктуры Al_xGa_1-xAs/GaAs, выращенные в поле температурного градиента, и их свойства: дис. … канд. Ф.-м. наук. // Новочеркасск, 1982.

31. Лозовский В.Н. Зонная плавка с градиентом температуры. // М.: Металлургия, 1972.240 с.: ил.

32. Маронцук И.Е. Шутов С.В., Кулуткина Т.Ф. Выращивание эпитаксиальных слоев арсенида галлия из раствора в расплаве висмута. // Изв. РАН. Серия Неорганические материалы. 1995. Т.31. №12. С. 1520-1522.

33. Сысоев И.А., Русинов С.В., Письменский М.В., Газарян С.Ю., Автоматическое управление температурой градиентной жидкостной кристаллизации.// Современные энергети  ческие системы и комплексы и управление ими: Материалы IV Междунар. научно.-практ. конф., г. Новочеркасск, 28 мая 2004г.- Новочеркасск: ЮРГТУ, 2004.-4.2.-С 30-33.

34. Сысоев И.А., Русинов С.В., Письменский М.В.,  Марченко А.А. Молекулярная динамика  наноструктур на основе А³В⁵. // Опто; наноэлектроника, нанотехнологии и микро системы: Тр. VI Междунар. конф.- Ульяновск: УлГУ, 2004.-С.28.

35. Благин А.В., Сысоев И.А., Русинов С.В., Письменский М.В.,   Моделирование параметров лазерной гетероструктуры с вертикальным резонатором. // Опто; наноэлектроника, нанотехнологии и микро системы: Тр. VI Междунар. конф.- Ульяновск: УлГУ,  2004.-С.77.

36. Благин А.В., Сысоев И.А., Русинов С.В., Письменский М.В.,  Исследование возможности формирования твердых  растворов на основе А⁴В⁶ методом градиентной жидкофазной кристаллизации для приемников излучения дальнего ик – диапазона // Опто; наноэлектроника, нанотехнологии и микро системы: Тр. VI Междунар. конф.- Ульяновск: УлГУ,  2004.-С.79.

37. Благин А.В., Сысоев И.А., Русинов С.В., Письменский М.В., Исследование возможности получения нанослоев соединений  А³В⁵ методом ионно-лучевого локального осаждения. // Опто; наноэлектроника, нанотехнологии и микро системы: Тр. VI Междунар. конф.- Ульяновск: УлГУ,  2004.-С.129.

38. Сиротин С.В., Сысоев И.А., Русинов С.В., Письменский М.В.,  Автоматическая система  управления температурновременным режимом градиентной жидкофазной кристаллизации на основе микроконтроллера смешанного сигнала C8051F005. // Актуальные проблемы современной науки: Тех. науки: Тр. 5-й Междунар. конференция молодых ученых и студентов, 7-9 сент. 2004г.- Самара,2004.- Ч . 18.–С 48-49.

39. Сиротин С.В., Сысоев И.А., Русинов С.В., Письменский М.В.,  Повышение разрядности аналоговоцифрового преобразователя микроконтролера C8051F005. // Актуальные проблемы современной науки: Тех. науки: Тр. 5-й Междунар. конференция молодых ученых и студентов, 7-9 сент. 2004г.- Самара,2004.- Ч . 18.–С 49-51.

40. Сысоев И.А., Русинов С.В., Письменский М.В.,  Марченко А.А. Моделирование получения гетероструктур на основе А³В⁵. // Актуальные проблемы современной науки: Тех. науки: Тр. 5-й Междунар. конференция молодых ученых и студентов, 7-9 сент. 2004г.- Самара,2004.- Ч . 43.–С 21-22.

41. Письменский М.В., Русинов С.В., Возможности применения метода ионно-локального осаждения для получения  тонких пленок на основе А⁴В⁶. // Химия твердого тела и современные микро – и нанотехнологии: IV Меж дунар. науч. конф., 19-24 сент. 2004 г.- Ставрополь: СевКазГТУ, 2004.-С. 297-298.

42. Сысоев И.А., Русинов С.В., Письменский М.В.,  Марченко А.А. Возможности получения соединений А³В⁵ методом ионно-лучевого локального осаждения. // Химия твердого тела и современные микро – и нанотехнологии: IV Меж дунар. науч. конф., 19-24 сент. 2004 г.- Ставрополь: СевКазГТУ, 2004.-С. 298-300.

43. Сысоев И.А., Письменский М.В.,   Принципиальная конструкция ионного источника установки ионно-лучевого осаждения. // Изв.вузов Сев. Кавк.регион Тех. науки.- 2004.- Прил. №9.-С.183-189.

44. Сысоев И.А., Письменский М.В.,  Изготовление солнечного  элемента с помощью установки ионно-лучевого осаждения в едином технологическом цикле. . // Изв.вузов Сев. Кавк.регион Тех. науки.- 2004.- Прил. №9.-С.183-189.

45. Сысоев И.А., Письменский М.В., Русинов С.В., Сиротин С.В., Возможность управления Параметрами полупроводниковых материалов с помощью метода ионно-учевого осаждения. // Теория, методы и средства измерений, контроля и диагностики: Материалы V междунар. науч. практ. конф., г. Новочеркасск: ЮРГТУ, 2004.-Ч.1.-С.18-21.

46. Сысоев И.А., Письменский М.В., Русинов С.В., Марченко А.А.,  Возможность управления ионным пучком технологического процесса ионно-лучевого осаждения. // Теория, методы и средства измерений, контроля и диагностики: Материалы V междунар. науч. практ. конф., г. Новочеркасск: ЮРГТУ, 2004.-Ч.2.-С.10-11.

47. Сысоев И.А., Письменский М.В., Русинов С.В., Марченко А.А.,  Система управления температурно-временным режимом градиентной жидкофазной кристаллизации на основе микроконтроллера смешанного сигнала C8051F005. // Теория, методы и средства измерений, контроля и диагностики: Материалы V междунар. науч. практ. конф., г. Новочеркасск: ЮРГТУ, 2004.-Ч.2.-С.15-18.

48. Гременюк В.Ф., Бондарь И.В., Рудь В.Ю., Schock H.W., Солнечные элементы на основе пленок CuIn_1-xGaSe, полученных импульсным лазерным испарением. // Физика и техника полупроводников, 2002, том 36, вып. 3

49. Гук Е. Г., Зимогородова Н.С., Шварц М.З., Шуман В.Б., Многопереходные кремниевые концентраторные солнечные элементы, изготовленные с помощью диффузионной сварки.// Журнал технической физики, 1997, том 67, №2

50. Андреев В.М., Гетероструктурные солнечные элементы // Физика и техника полупроводников, 1999, том 33, вып. 9

51. Андреев В.М., Хвостиков В.П., Ларионов В.Р., Румянцев В.Д., Плеева Е.В., Шварц М.З., Высокоэффективные концентраторные (2500 солнц) AlGaAs/GaAs-солнечные элементы. // Физика и техника полупроводников, 1999, том 33, вып. 9

52. Хвостиков В.П., Лунин Л.С., Ратушный В.И., Олива Э.В., Шварц М.З., Хвостикова О.А., Фотопреобразователи на основе GaAs/Ge гетероструктур, полученных методом низкотемпературной ЖФЭ // Письма в ЖТФ, 2003, том 29, вып. 14

53. Касымахунова А.М., Набиев М., Фототермоэлектрические преобразователи концентрированного излучения // Письма в ЖТФ, 2003, том 29, вып. 6

54. Рудь В.Ю., Хвостиков В.П., Фоточувствительность гетерофотоэлементов GaAlAs/GaAs в линейно поляризованном свете // Физика и техника полупроводников, 1999, том 33, вып. 6

55. Комащенко А.В., Колежук К.В., Горбик П.П., Май Н.О., Шереметова Г.И., Высокоэффективные фотопреобразователи на основе поликристаллических гетероструктур соединений AⁱⁱB^vi // Письма в ЖТФ, 2000, том 26, вып. 5

56. Ботнарюк В.М., Коваль А.В., Рудь В.Ю., Симашкевич А.В., Щербан Д.А., Поляризационная фоточувствительность кремниевых солнечных элементов с просветляющим покрытием из смеси оксидов индия и олова. // Физика и техника полупроводников, 1997, том 31, № 7

57. Пузряков А.Ф., Теоретические основы технологии плазменного напыления: Учебное пособие по курсу «Технология конструкций из металлокомпозитов» // М.: Изд-во МГТУ им. Н.Э. Баумана, 2003. – 360с.: ил.

58. Логинов Ю.Ю., Браун Пол Д., Дьюроуз Кен., Закономерности образования структурных дефектов в полупроводниках A₂B₆ // М.: Логос, 2003 – 304 с.

59. Барвинок В.А., Управление напряженным состоянием и свойства плазменных покрытий. // М.: Машиностроение, 1990.

60. Кудинов В.В., Плазменные покрытия. // М.: Наука, 1977.

61. Кудинов В.В., Бобров Г.В., Нанесение покрытий напылением // Теория, технология и оборудование. М.: Металлургия, 1992.

62. Кудинов В.В., Пузанов А.А., Замбржицкий А.П., Оптика плазменных покрытий. // М.: Наука, 1981.

63. Максимович Г.Г., Шатинский В.Ф., Копылов В.И., Физико-химические процессы при плазменном напылении и разрушении материалов с покрытиями. // Киев: Наукова думка, 1983.

64. Тушинский Л.И., Плохов А.В., Исследование структуры и физико-механических свойств покрытий. // Новосибирск: Наука, 1986.

65. Хасуй А., Техника напыления. // Машиностроение, 1975.

66. Хасуй А., Моригаки О., Наплавка и напыление. // М.: Машиностроение, 1985.

67. Ouchi K. Recent Advancements in Perpendicular Magnetic Recording. // IEEE Trans. Magn., 2001, v. 37, № 4–1, p. 1217–1221.

68. Карпенков С.Х. Материалы для магниторезистивных преобразователей. // Электроника: НТБ, 2002, № 2, с. 66_67.

69. Iwasaki S. History of Perpendicular Magnetic Recording. // J. Magn. Soc. Japan, 2001, v. 25, № 7, p. 1361–1369.

70. Selmyer D.J., Luo C.P., Yan M.L. et al. High_Anisotropy Nanocomposite Films for Magnetic Recording. // IEEE Trans. Magn., 2001, v. 37, № 4 –1, p. 1286–1288.

71. Yamanaka K., Hamamoto T., Nakano Y. et al. High Mr squareness and Exchange Decoupled Perpendicular Recording Media. // IEEE Trans. Magn., 2001, v. 37, № 4–1, p. 1599–1601.

72. Onoue T., Asahi T., Kuramochi. et al. CoCrPtTa and Co/Pd Perpendicular Magnetic Recording Media with Amorphous Under layers. // IEEE Trans. Magn., 2001, v. 37, № 4–1, p. 1592–1594.

73. Ikeda Y., Sonode Y., Zeltzer G. et al. Medium Noise and Grain Size Analysis of CoCrPt/Ti Perpendicular Media. // IEEE Trans. Magn., 2001, v. 37, № 4–1, p. 1583–1585.

74. Ariake J., Kiya T., Honda N. et al. Preparation of Double Layerd Perpendicular Recording Media with Extremaly High Resolution. // IEEE Trans. Magn., 2001, v. 37, № 4–1, p. 1573–1576.

75. Jeong S., Hsu Y.M., Laughlin D.E., et al. Atomic Ordering and Coerceivity Mechanism in FePt and CoPt Polycristalline Thin Films. // IEEE Trans. Magn., 2001, v. 37, № 4–1, p. 1299–1301.

76. Suzuki T., Kasuhira O. Sputter Deposited (Fe_Pt)_MgO Composite Films for Perpendicular Recording Media. // IEEE Trans. Magn., 2001, v. 37, № 4–1, p. 1283–1285.

77. Кондратов Н.М. Резистивные материалы. // Обзоры по электронной технике. Сер. Материалы, 1979, вып.4, с.36.

78. Сейдман Л.А. Способы управления процессом реактивного магнетронного распыления с помощью вольтамперных характеристик разряда. Труды постоянно действующего семинара "Электровакуумная техника и технология" // Под ред. .В. Горина. // М.: 1999. – 168с.

79. Берлин Е.В., Воробьев А.Н., Сейдман Л.А. Получение чередующихся слоев диэлектриков на основе кремния. // Электроника: НТБ, 2002, №5, с.50–52.

80. Lee Seung Yoon, Park Chang Mo, Ahn Jinho. Jap. J. Appl. Phys. Deposition and characterization of Ta, TaN_x and Ta₄B films for next-generation lithography mask applications. // Pt 1. 2000.

81. P.K. Larsen, G.J.M. Dormans. Microelectronic Engineering // Eds. 1995. V. 29.

82. Ferroelectric Thin Films. NATO ASI Series (E), 1995. V. 284.

83. Ю.В.Панфилов. Оборудование для нанесения тонких пленок в вакууме // Тез. докл. 14-го Международного симпозиума «Тонкие пленки в оптике и электронике», том 1, 22апреля - 26 апреля 2002 г., Харьков, 2002, с. 205.

84. И.Н. Серов, Г.Н. Бельская, С.В. Кощеев, В.И. Марголин, В.А. Мошников, Д.Б. Чеснокова. Исследование возможности получения наноразмерных труктурированных пленок //Тез. докл. 15-го Международного симпозиума «Тонкие пленки в оптике и электронике», 21апреля - 26 апреля, 2003 г., Харьков, 2003, с. 14.

85. О.А. Геращенко, А.Н. Гордов, А.Н. Еремина. Температурные измерения: Справочник. // Киев: Наукова Думка, - 1989, с. 206.

86. Zaisev A.G., Kutsner R., Wordenweber R. // Appl. Phys. Lett. 1995. V. 67.

87. Cole B.F., Liang G.-C., Newman N. et al. // Appl. Phys. Lett. 1992. V. 61.

88. Owens J.M., Tarte E.J., Beghniur P., Somekh R.E. // IEEE. Tr. Appl. On Superconductivity. 1995. V. 5. P. 1657.1660.

89. Wycko_ R.W.G. Crystal Structures. Interscience Publishers // Ed. by John. Wiley

and Sons, Inc 1964. V. 2. P. 310.

90. N. Mardeesich. In: Proc 15th IEEE Photovoltaic Spec. Conf. (Kissimee, 1981) // IEEE El. Dev. Lett., 4, 446 (1981).

91. E. Aperathirtis, Z. Hatzpoulos, M. Androulidaki, V. Foukaraki, A. Kondilis, C.G. Scott, D. Sands, P. Panayotatos. Sol. Energy Mater. // Solar Cells, 45, 161 (1997).

92. S.M. Sze. Physics of Semiconductors Devices N.Y. // Willey Interscience Publ., 1981.

93. A. Shileika. Surf. Sci., 37, 730 (1973).

94. H. Ohta, H. Miroguch, M. Hirano. // Appl. Phys. Lett., 82, 823 (2003).

95. G.A. Medvedkin., Yu.V. Rud.. Phys. St. Sol. (a), 67, 333 (1981).

96. Francis F. Chen.Industrial applications of low – temperatures plasma physics. // Phys. Plasmas vol. 2, n. 6, June 1995, pp. 2164 – 2175.

97. N. Singh, R.Kist, H.Thiemann. Experimental and numerical studies on potential distributions in a plasma. // Pl. Phys., vol. 22, 1980, pp. 695 – 707.

98. Л. А Арцимовича. Плазменные ускорители // М.: Машиностроение, 1973.

99. Данилин Б. С., Неволин В. К., Сырчин В. К. Исследование магнетронных систем ионного распыления материалов. // Электронная техника. Сер. Микроэлектронника, 1977, вып. 3 (69), с. 37 – 44.

100. Данилин Б. С., Сырчин В. К. Магнетронные распылительные системы. // М.: Радио и связь, 1982.

101. L. Vriens. Energy balance in low – pressure gas discharges. // J. Appl. Phys. vol. 44, n. 9, September 1973, pp. 3980 – 3989.

102. J. –P. Boeuf. A two – dimensional model of dc glow discharges. // J.Appl. Phys. vol. 63, n. 5, March 1998, pp. 1342 – 1349.

103. S. Maniv. Generalization of the model for I – V characteristics of dc sputtering discharges. // J. Appl. Phys. vol. 59, n. 1, January 1986, pp. 66 – 70.

104. W. D. Westwood, S. Maniv. The current – voltage characteristic of magnetron sputtering systems. //J. Appl. Phys. vol. 54, n. 12, December 1983, pp. 6841 – 6846.

105. F. A. S. Ligthart, R. A. J. Keijser. Two – electron group model and electron energy balance in low - pressure gas discharges. // J. Appl. Phys. vol. 51, n. 10, October 1980, pp. 5295 – 5299.

106. A. Fiala, L. C. Pitchford, J. P. Boeuf. Two – dimensional, hybrid model of low – pressure glow discharges. // Phys. Review. ser. E, vol. 49, n. 6, June 1994, pp. 5607 – 5622.

107. K. Kuwahara, H. Fujiyama. Application of the Child – Langmuir Law to Magnetron Discharge Plasmas. // IEEE Trans. Plasma. Sci., vol. 22, n. 4, August 1994, pp. 442 – 448.

108. T. E. Sheridan, M. J. Goeckner, J. Goree. Electron distribution Functions in a sputtering Magnetron Disharge. // Jap. J. Appl. Phys., vol. 34, P. 1, n. 9A, September 1995, pp. 4977 – 4982.

109. Tsutomu Muira, Tatsuo Asamaki. A theory on planar magnetron discharge. // Thin Solid Films 281–282, 1995, pp. – 190 – 193.

110. F. A. Green, B. N. Chapman. Electron effects in magnetron sputtering. J. Vac. // Sci. Technol., vol. 13, n. 1, January/February 1976. pp. 165–168.

111. J. G. Kirk, D. J. Galloway. The evolution of a test particle distribution in a strongly magnetized plasma. // Pl. Phys., vol. 24. n. 4, 1982, pp. 339 – 359.

112. N. D’ Angelo, M. J. Alport. On “anomalously” high ion temperatures in plasma discharges. // Pl. Phys., vol. 24. n. 10, 1982, pp. 1291 – 1293.

113. M. Katsch, K. Wiesmann. Relaxation of supratermal electrons due to coulomb collisions in a plasma. // Pl. Phys., vol. 22, 1980, pp. 627 – 638.

153