Добавил:
Upload Опубликованный материал нарушает ваши авторские права? Сообщите нам.
Вуз: Предмет: Файл:

Электродинамика_Коллоквиум_23

.pdf
Скачиваний:
45
Добавлен:
05.06.2015
Размер:
2.37 Mб
Скачать

Анализ формул (3.109) и (3.110) показывает, что если зафиксировать внешний диаметр коаксиальной линии, то максимум передаваемой мощности

имеет место при a b 0,606 , а

минимум потерь - при a b 0,278 .

Поскольку

a b 0,606 соответствует Z0 30

Ом, а a b 0,278 отвечает Z0 75Ом,

то волно-

вое сопротивление коаксиальной линии в каждом случае выбирается с учетом конкретных требований, обычно выбирается Z0 50 или 75Ом.

Высшие типы колебаний

Рассмотрим условия существования высших типов волн в коаксиальной линии. В общем случае поле в коаксиальной линии должно удовлетворять волновым уравнениям Гельмгольца (5.2) при условии, что поперечное волно-

вое число

kс 0 .

Строгое решение уравнений Гельмгольца для коаксиальной линии позво-

ляет выявить волноводные волны типа

Hmn

и

Emn . Индексы и определяют

число вариаций поля по азимуту и радиусу соответственно. Каждому типу волны отвечает своя критическая длина волны.

Наибольшей критической длиной волны в коаксиальной линии обладает волна H11 , для нее кр a b . Структура поля для волны H11 показана на рис.3.17 Для определения полосы одноволнового режима работы (рис.3.18)

следует рассмотреть картину распределения критических частот fкр с кр

для коаксиальной линии. Из диаграммы видно, что одноволновый режим ра-

боты коаксиальной линии (волна TEM) существует при условии f c a b ,

a b .

Коаксиальная линии обычно используют в диапазоне длин волн от 10м до

3 - 5 см, хотя в принципе

E

 

 

H11

они могут работать и на

H

 

 

 

 

 

 

 

 

 

TEM

 

 

 

 

 

 

 

0

c a b

f

 

Рис.3.17. Структура

Рис.3.18. Полоса

41

поля волны H11

одноволнового режима

сколь угодно низких частотах.

§3.7. Поверхностные волны в металлизированной

содной стороны диэлектрической подложке

Впервой части книги мы обсуждали понятие поверхностных волн приме-

нительно к явлению полного отражения от границы раздела диэлектриков. В

общем случае поверхностные волны могут существовать на границах разде-

лов любой конфигурации, включая и границу между диэлектриками. В дан-

ном параграфе рассмотрим поверхностные волны E - и H - типов, возникаю-

щие вдоль заземленной диэлектрической пластины, используемой в качестве подложки.

Поверхностные волны характеризуются экспоненциальным затуханием при удалении от поверхности диэлектрика. На высоких частотах поле сосре-

дотачивается в очень небольшом по толщине слое диэлектрика, что позволяет создавать практически применимые диэлектрические волноводы. Поскольку колебания распространяются внутри диэлектрика, то фазовая скорость по-

верхностных волн ниже, чем скорость света в вакууме. Кроме того, поверх-

ностные волны могут возбуждаться в некоторых типах планарных линий пе-

редачи: микрополосковой и щелевой.

E-волны

Продольный разрез заземленной диэлектрической пластины показан на рис.3.19.

x

диэлектрик

d

0

r 0

z

Земля

42

e j z

Рис.3.19. Продольное сечение металлизированного диэлектрика Предположим, что диэлектрическая пластина толщиной d с относительной

диэлектрической проницаемостью r имеет бесконечные размеры вдоль осей y и z. Также предположим распространение волн в направлении +z по закону

и отсутствие изменений поля вдоль оси y y 0 .

Поскольку в нашей задаче имеется две различных области – должны рас-

смотреть поведение полей отдельно для каждой области (в воздухе и в ди-

электрике), а затем применить граничные условия для касательных составля-

ющих электрического поля на границе раздела сред. Ez должно удовлетворять волновым уравнениям (3.3) в каждой области:

2

 

x2

2

 

 

 

 

x

2

 

 

 

r k02

k

2

 

 

 

 

0

 

2 0 , для

 

2

0

, для

d

 

x

x

d

.

,

(3.111а)

(3.111б)

Определим теперь критические волновые числа для обеих областей

 

 

 

 

2

 

 

2

 

2

,

 

(3.112а)

 

 

 

kс

r k0

 

 

 

 

 

h

2

 

2

 

2

 

 

 

(3.112б)

 

 

 

 

 

k0 ,

 

 

 

здесь знак при

h

2

был выбран с учетом экспоненциального затухания поля в

 

области x d .

Кроме того,

постоянная

 

одна и та же для обеих областей,

вследствие условия согласования касательных составляющих полей на грани-

це раздела при

x d

для всех значений z.

 

Общие решения для (3.111) имеют вид

 

Asin kс x B coskс x ,

при 0 x d ,

(3.113а)

Ce

hx

De

hx

,

при d x .

(3.113б)

 

 

Заметим, что эти решения справедливы при любых

kс

и h действительных

или мнимых. В нашем случае эти величины действительные вследствие вы-

бранных в (3.111) знаков.

43

Запишем теперь систему граничных условий для

Ez

Ez x, y, z 0 , при

x 0 ,

(3.114а)

Ez x, y, z , при

x 0 ,

(3.114б)

Ez x, y, z - непрерывно, при

x d ,

(3.114в)

H y x, y, z - непрерывно, при

x d .

(3.114г)

При этом для Е-волн H x Ey H z 0 .

Из условия

(3.114а) следует, что в

(3.113а) B 0 . Условие (3.114б) означает конечность значений энергии, со-

держащейся в поле, на бесконечном удалении от источника, откуда следует -

C 0

. Из непрерывности

Ez

следует равенство

 

 

Asin k

d De hd ,

(3.115а)

 

с

 

 

 

а, применяя уравнение для

H y из (3.7), найдем

 

 

r

A

cosk

d

 

 

 

 

 

k

 

с

 

с

 

 

 

 

 

 

D h

e

hd

 

.

(3.115б)

Поскольку система граничных условий однородна, то необходимо, чтобы определитель системы был тождественно равен нулю, для наличия нетриви-

ального решения (3.115), откуда

 

kс tgkсd r h .

(3.116)

Далее выражая из (3.112а) и (3.112б) и приравнивая результаты в правых ча-

стях, получим

2

h

2

2

(3.117)

kс

 

r 1 k0 .

Выражения (3.116) и (3.117) образуют трансцендентную систему, которую необходимо решать для волновых чисел kс и h, при заданных k0 и r . Данные уравнения могут быть решены численными методами с помощью персональ-

ного компьютера. Однако, для наглядности проведем графическое решение

задачи, показанное на рис.3.20. Умножая обе части (3.117) на

d

2

 

kсd 2 hd 2 r 1 k0d 2 ,

44

получим уравнение окружности (рис.3.20), радиус которой

r 1k0d

пропор-

ционален электрической толщине диэлектрической пластины. Умножение

(3.116) на d приводит к выражению

kсd tgkсd r hd ,

также показанному на рис.3.20. Пересечение этих двух кривых дает решение трансцендентной системы (3.116) и (3.117). Заметим, что kс может быть как положительным, так и отрицательным числом – это влияет только на знак по-

стоянной A в уравнении (3.113). Если радиус окружности

r 1k0d

будет уве-

личиваться, то она будет пересекать все большее количество ветвей функции тангенса, что приводит к возникновению все большего числа мод волн E - ти-

па. При этом отрицательные значения h необходимо отбросить в силу условия

(3.114б).

4 Допустимые значения

2

4

2

0

2

4

 

 

2

 

 

 

 

4

 

 

Рис.3.20. Графическое решение трансцендентного уравнения для критической частоды поверхностных E – волн в диэлектрической подложке

Таким образом, для диэлектрической подложки любой отличной от нуля толщины и относительной диэлектрической проницаемостью отличной от единицы существует, по крайней мере, один тип колебаний E - типа, который

45

мы назовем E0

, имеющий нулевую частоту отсечки. При этом очевидно, что

следующая мода

E1 возникнет только, когда радиус окружности рис.3.20 ста-

нет больше чем . Критическая частота колебаний может быть определена по

формуле

 

 

 

fкр

 

nc

,

n 0,1, 2,

(3.118)

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

2d

 

r 1

 

 

 

 

 

 

 

Когда

kс

и h определены, можно записать уравнения для полей

 

 

x, y, z

Asin k

 

xe

j z

,

 

 

0 x d,

 

 

 

 

 

 

E

 

 

с

 

h x d

j z

 

 

 

z

 

 

 

de

,

d x ,

 

 

 

Asin k

с

 

e

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

(3.119а)

j

Acosk

 

 

xe

j z

,

 

 

 

 

k

с

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Ex x, y, z

с

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

h x d

j z

 

j

Asin k

 

 

,

 

 

 

de

 

 

 

 

 

e

 

h

 

 

с

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

j r

0

A cosk

 

xe

j z

,

 

 

k

 

с

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

H y x, y, z

 

с

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

j 0

 

 

 

 

 

 

 

 

h x d

 

 

 

Asin k

 

de

 

 

h

 

с

 

 

 

e

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

0 x d , (3.119б) d x ,

0 x d, (3.119в) j z , d x .

H-волны

H-волны также могут распространяться в диэлектрической пластине. Они удовлетворяют следующим уравнениям

2

 

 

 

 

2

0 , для 0 x d ,

x

2

kс

 

 

 

 

 

2

h2

0 , для d x .

x2

 

 

Общие решения (3.120) совпадают с (3.113),

условиях: Ey 0 при x = 0, следовательно, A

ями приходим к граничным условиям

B coskсd De hd ,

(3.120а)

(3.120б)

отличия имеются в граничных

0

, и аналогичными рассуждени-

 

(3.121а)

46

B

sin k

d

 

k

с

 

с

 

 

D

e

hd

h

 

 

 

,

(3.121б)

иуравнениям для волновых чисел

kсctgkсd h ,

2

h

2

2

kс

 

r 1 k0 .

Построения для решения уравнений (3.122)

(3.122)

(3.123)

и (3.123) приведены на рис.3.21.

 

 

 

6

 

 

 

 

 

 

4

 

 

 

 

 

 

2

 

 

 

6

4

2

0

2

4

6

 

 

 

2

 

 

 

Недопустимые

значения

4

6

Рис.3.21. Графическое решение трансцендентного уравнения для критической частоды поверхностных H – волн в диэлектрической подложке

Поскольку отрицательные значения h должны быть исключены, то коле-

бания на начнутся до тех пор, пока радиус окружности r 1k0d не станет больше / 2 . Откуда следует выражение для критической частоты Hn - волн

fкр 2n 1 c ,

4d r 1

n 0,1, 2,

(3.124)

Сравнение (3.124) с (3.118) показывает следующий порядок следования мод в диэлектрической пластине: E0 , H1 , E1 , H 2 и т.д.

Когда kс и h определены, можно записать уравнения для полей

47

 

 

x, y, z

Asin k

 

xe

j z

,

 

 

0 x d,

 

 

 

 

 

 

E

 

 

с

 

h x d

j z

 

 

 

z

 

 

 

de

,

d x ,

 

 

 

Asin k

с

 

e

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

(3.125а)

 

j

Acosk

 

 

xe

j z

,

 

 

0 x d ,

 

k

с

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Ex x, y, z

с

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

j

 

 

 

 

h x d

 

 

 

 

Asin k

 

de

j z

,

d x ,

 

 

 

 

 

e

 

h

с

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

(3.125б)

 

j r

0

A coskс xe

j z

,

 

0 x d,

 

kс

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

(3.125в)

H y x, y, z

j 0

 

 

h x d

 

 

 

 

 

j z

, d x .

 

 

 

Asin kсde

 

e

 

h

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

§3.8. Полосковые и микрополосковые линии передачи

В конце 40-х - начале 50-х годов на смену традиционным волноводным и круглым коаксиальным линиям передачи пришли плоские коаксиальные кон-

струкции с твердым диэлектрическим покрытием. Вскоре были разработаны печатные полосковые линии передачи двух типов: симметричная и несиммет-

ричная (рис.3.22).

W

H

b/2 b/2 t

W

a

h

а

б

Рис.3.22. Полосковые линии передачи: а - симметричная; б - несимметричная (микрополосковая)

Доминирующее положение долгое время занимала симметричная полосковая линия, имеющая меньшие потери (в частности, на излучение) и

меньшую взаимную связь элементов. Только в начале 60-х годов удалось

48

перейти к достаточно эффективной реализации преимуществ печатной технологии, которая привела к развитию интегральных схем СВЧ. Это стало возможным благодаря появлению новых материалов, разработке совершенных технологических приемов изготовления, обеспечивающих высокую точность элементов печатной схемы при малых линейных размерах.

Теперь уже непосредственно встал вопрос об использовании несимметричной

линии передачи, состоящей из основания и проводящей плоскости,

разделенных тонкой подложкой с достаточно высокой диэлектрической проницаемостью (см. рис.3.22). Такая линия, названная микрополосковой линией передачи (МПЛ), легко изготавливается печатным методом, не требует жесткой механической симметрии, имеет малые габариты и массу и ряд других преимуществ.

Однако, если конструкция такой линии чрезвычайно проста, то точный расчет ее характеристик весьма сложен; до настоящего времени ведется исследование характеристик МПЛ с привлечением совершенных методов расчета. Наряду с широким использованием МПЛ продолжается поиск других

типов линий, обладающих определенными достоинствами.

Наиболее широкое распространение в гибридных интегральных схемах на

основе МПЛ получили поликоровые диэлектрические подложки (99,8%

Al2O3

c 9,8, толщиной 1; 0,5; 0,25 мм.

 

Рассмотрим основные характеристики

МПЛ. Длина волны в линии

определяется по формуле c

 

, где

 

- длина волны в свободном

 

 

 

 

 

 

эфф

 

 

 

)

пространстве; эфф - эффективная диэлектрическая проницаемость, которая может быть найдена из графиков либо по формуле

 

 

1

1

1

 

ln 2 ln 4

 

для W/h 1,

(3.126)

эфф

 

 

 

 

 

 

 

2

 

1

 

ln 8h W

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

где W - ширина линии передачи; h - высота подложки.

49

Для волнового сопротивления МПЛ с широкой полоской (W/h 1) имеем

W h

 

 

2

 

377

1

 

377

 

 

 

 

ln

 

1

2

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

377

 

 

 

 

ln

 

 

 

 

 

 

 

 

1

1

 

2

 

 

 

 

 

 

2

 

 

 

0,517

 

 

0,293

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

, (3.127)

здесь - волновое сопротивление, а для линии с узкой полоской

(W/h < 1) имеем

2h W e

h

4

e

h

2,

 

 

(3.128)

где

h

1 2 60

 

1

 

 

0,12

 

 

 

0,226

 

.

 

 

1

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Волновое сопротивление МПЛ рассчитывается по формулам

 

 

 

 

 

 

 

 

1

ln

e W

 

 

 

 

 

 

 

2 ln 4

 

 

 

 

 

0,94

 

 

 

377h

 

h

 

 

 

 

 

 

 

2

2h

 

 

 

1

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

W

1

 

 

e

2

 

 

 

 

 

W

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

2

ln

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

16

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

для

W

1,

(3.129)

h

 

 

 

здесь e = 2.72;

 

 

 

 

8h

 

1

W

 

2

 

1

 

1

 

 

 

ln

 

 

 

 

 

 

 

377

 

 

 

 

 

 

 

 

1

 

 

 

W

 

8

2h

 

 

 

2

 

 

1 2

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

2

 

 

 

1

 

4

 

 

 

 

 

 

 

 

ln

 

 

 

 

 

 

 

ln

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

2

 

3

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

для

W h

1

.

(3.130)

На практике часто используют графические зависимости ,W, эфф от параметров МПЛ [11].

В микрополосковых линиях передачи иногда требуется скорректировать физическую ширину полоски, поскольку конечная толщина полоски t

приводит к увеличению краевой емкости и, как следствие, к изменению параметров линии. При этом ширина полоски равна

Wэф ф W W ,

50