5. Типы дефектов в кристал. Телах. Точечные

Для реального Ме характерно наличие деффектов, кот. нарушают периодичность расположения атомов в кристаллической решетке, в рез. влияют на св-ва.

Типы дефектов:

1.точечные 2.нулевые(линейные,поверхностные,обьемные)

Эти дефекты распологаются в отд.точках,имеют маленькие размеры во всех 3 измерениях

К точечным относят

1. дефекты Шоттки (вакансии)

2. дефекты Френкелля (атомы, кот. вышли из узлов кристаллич. решетки в междуузлие-дислацированные атомы)

3. примесные атомы (атомы др. элементов, кот. могут распол. как в углах так и в междуузлиях)

4. радиоционные (они возникают под действием облучения кристаллов)

Все точечные деффекты возникат в пр-се кристаллизации по действием тепловых, механических, электрических, радиоционных воздействий.

1 и 2 группа дефектов присуствуют в кристаллах при любых температурах, т. к. имеется тепловое движение атомов. Каждой температуре соответствует равновес. концентрация вакансий. Дефекты Шоттки (вакансии) явл. наиб. вероятным дефектом в решетках. При комнатной Т концентрация вакансий составляет 1 штука/10 в 18 атомов

При нагреве конценрация резко ↑. Место, где вакании исчезают наз.сток вакансий. При большой конценрации вакансий они сливаются в ди-вакансии, три-вакансии, это плохо-возникают поры.

Радиационные дефекты возникают под действием облучения кристалла (при прекращении облучения кристалл не находится в стационарном состоянии) Сущ. критич. конценрация радиационных дефектов, когда кристалич. состояние становится неустойчивым и может перейти в аморфное состояние. Все виды точечных дефектов искажают решетки и влияют на свойство кристалла.

6.Типы дефектов в кристал. Телах. Линейные

Линейные дефекты характериз. малыми размерами в 2 измерениях и большой протяженностью в 3 измерении. Они наз. дислокациями-смещениями 2 вида дислокации

1.краевые 2.винтовые

1. Краевые дислокации изображ. искажение КР, вызванное наличием лишней атомной плоскости (экстраплоскости).

Нижний край электроплоскости - линия дислокации.

Если экстраплоскость нах. в верхней части наз. положительной и обозн. Если в нижней-отрицательной

Различие между дислокациями условное, при повороте кристалла экстраплоскость меняет знак, знак использ. для изучения 2 дислокаций. Одинознаковые дислокации отталкиваются, разные-притягиваются, что ведет к анигиляции - уничтожению.

2.Винтовые дислокации (кристалл можно представить 1 атомной плоскости, закрученной вокруг дислокации как винтовая лестница)

Дислокации образ. при кристализации материала, а также во время пластической деформации. Плотность дислокации может достигать большой величины (число выходов дислокаций на 1 см2)

Дислокации притягивают к себе атомы любых примесей, кот. осаживаются в виде цепочки воль меньшей дислокации и образуют облако Потрелло.

Теория дислокации позволила объяснить разницу между теорит. и практич. прочностью материала. прочность теор > прочн.практ.

Такая разница объясняется тем, что деформация происходит не путем одновременного смещения целых атомов плоскостей, а путем постепенного перемещения дислокаций. Оровон установил, что дислокация-конфигурация, кот. способна двигаться по кристаллу.

Чем легче пеемещ. дислокации, тем ниже прочность металла и тем легче пройдет пластич. дефформация, значит причиной низкой прочности явл. наличие большого количества дислокации.

(рис)

1 - область теорит. прочности, т.е без дислакационных кристаллов

2 - область чистых металлов

3 - упрочненные металлы