Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего

профессионального образования

«Национальный исследовательский университет «МИЭТ»

Факультет электроники и компьютерных технологий

Кафедра интегральной электроники и микросистем

Курсовой проект

по курсу «Маршруты БИС»

РАЗРАБОТКА И ИССЛЕДОВАНИЕ ТЕХНОЛОГИЧЕСКОГО МАРШРУТА СОЗДАНИЯ N- И P-КАНАЛЬНЫХ МОП-ТРАНЗИСТОРОВ В СОСТАВЕ КМОП-СТРУКТУРЫ С N+ ЗАТВОРОМ И P-КАРМАНОМ

Выполнил: Толчинский Д.В.

студент группы ЭКТ 44

Проверил: к.т.н., доцент Поломошнов С. А.

Москва, 2012

Содержание

Y

1. Техническое задание на курсовой проект. 4

2. Разработка проекта полного технологического маршрута создания КМОП-структуры. 6

3.1. Предварительные расчёты порогового напряжения транзисторов с учётом их конструктивно-технологических параметров. 11

3.2. Расчёт зависимости порогового напряжения от концентрации примеси на поверхности полупроводника. 14

3.3. Расчёт зависимости порогового напряжения от толщины подзатворного оксида. 17

3.4. Построение эскизов одномерных распределений примеси в вертикальных сечениях затвора и стока-истока. 19

3.5. Определение режимов операций технологического маршрута. 20

3.5.1. Определение режимов формирования кармана. 20

3.5.2. Определение режимов формирования подзатворного оксида. 22

3.5.3. Определение режимов корректировки порогового напряжения. 23

3.5.4. Определение режимов формирования стока-истока. 28

3.6. Двухмерное моделирование технологического маршрута создания 31

4. Реферативная часть курсового проекта 39

Заключение 53

Список использованных источников. 54

Приложение. 55

Введение

Электроника – это наука, изучающая явления взаимодействия электронов и других заряженных частиц с электрическими, магнитными и электромагнитными полями, что является физической основой работы электронных приборов и устройств (вакуумных, газозарядных полупроводниковых и других), используемых для передачи, обработки и хранения информации.

Охватывая широкий круг научно-технических и производственных проблем, электроника опирается на достижения в различных областях знаний. При этом, с одной стороны, электроника ставит перед другими науками и производством новые задачи, стимулируя их дальнейшее развитие, и с другой – снабжает их качественно новыми техническими средствами и методами исследований.

Микроэлектроника является продолжением развития полупроводниковой электроники, начало которой было положено 7 мая 1895 года, когда полупроводниковые свойства твердого тела были использованы А. С. Поповым для регистрации электромагнитных волн.

Микроэлектроника — подраздел электроники, связанный с изучением и производством электронных компонентов с геометрическими размерами характерных элементов порядка нескольких микрометров и меньше.

Дальнейшее развитие полупроводниковой электроники связанно с разработкой в 1948 году точечного транзистора (американские ученые Шокли, Бардин, Браттейн), в 1950 году – плоскостного биполярного транзистора, а в 1952 году полевого (униполярного) транзистора. Наряду с транзисторами были разработаны и стали широко использоваться другие различные виды полупроводниковых приборов: диоды различных классов и типов, варисторы, варикапы, тиристоры, оптоэлектронные приборы (светоизлучающие диоды, фотодиоды, фототранзисторы, оптроны, светодиодные и фотодиодные матрицы).

Создание транзистора явилось мощным стимулом для развития исследований в области физики полупроводников и технологий полупроводниковых приборов. Для практической реализации развивающейся полупроводниковой электроники потребовались сверхчистые полупроводниковые и другие материалы и специальное технологическое и измерительное оборудование. Именно на этой базе стала развиваться микроэлектроника.