- •1.Потенциал парного взаимодействия (Потенциал Леннарда - Джонса).
- •2. Агрегатное состояние вещества.
- •3. Жидкости и особенности их структуры.
- •4. Основные свойства жидкостей
- •5. Кристаллические и аморфные тела
- •6. Кристаллические тела и их структуры.
- •7. Дефекты кристаллического строения металлов
- •8. Точечные дефекты.
- •9. Межузельные пустоты в гцк решетке.
- •10. Межузельные пустоты в оцк и гп решетках.
- •12. Искажение решетки вокруг точечных дефектов.
- •13. Термодинамика точечных дефектов
- •14. Миграция точечных дефектов.
- •1Вакансии
- •2)Межузельные атомы.
- •15. Вакансионные комплексы.
- •16. Комплексы из межузельных атомов
- •17. Поведение вакансий при закалке
- •18. Методы определения концентрации вакансий, энергии образования и миграции.
- •2 Метод.
- •3 Метод.
- •19. Измерение энергии активации миграции вакансий.
- •20. Дислокации.
- •21. Краевые дислокации. Экстраплоскость. Ядро дислокации. Положительная и отрицательная дислокации, их обозначение.
- •22. Объяснение механизма скольжения краевой дислокации. Скорость скольжения краевой дислокации.
- •23. Переползание краевой дислокации. Пороги на краевой дислокации.
- •24.Винтовая дислокация. Отличие винтовой дислокации от краевой дислокации.
- •25. Скольжение винтовой дислокации.
- •26. Смешанные дислокации и их движения. Дислокационные петли.
- •27. Вектор Бюргерса
- •28. Энергия дислокаций. Вывод формулы энергии винтовой дислокации. Сравнение энергий винтовой и краевой дислокаций. Обсуждение формулы энергии дислокаций.
- •29. Взаимодействие параллельных краевых дислокаций.
- •30. Дислокационные стенки.
- •31. Взаимодействие параллельных винтовых дислокаций. Сила их взаимодействия.
- •32. Полные и частичные дислокации. Дислок. Реакции. Критерий Франка.
- •33. Плотнейшие упаковки
- •34. Дефекты упаковки
- •36. Характер теплового движения частиц в кристаллах.
- •37. Скорость упругих волн. Характеристики волн.
- •38. Колебательные моды линейной одноатомной цепочки.
- •39. Анализ закона дисперсии. Первая зона Бриллюэна.
- •40. Нормальные колебания линейной 2-х атомной цепочки.
- •41. Анализ закона дисперсии для двухатомной цепочки.
- •42. Акустическая и оптическая ветви двухатомной цепочки.
- •Оптическая ветвь
- •43. Колебания атомов в трехмерном одноатомном кристалле.
- •44. Классическая теория теплоёмкости кристалла. Её недостатки. Закон Дюлонга-Пти.
- •45 .Эйнштейновская теория теплоёмкости. Вывод формулы для средней энергии осциллятора. Анализ теории.
- •46. Дебаевская теория теплоемкости кристаллической решетки. Вывод формулы.
- •47. Анализ уравнения Дебая. Температура Дебая.
- •48. Теплопроводность твердых тел
- •49. Ангармонические эффекты. Тепловое расширение твёрдых тел.
23. Переползание краевой дислокации. Пороги на краевой дислокации.
Р ассмотрим перемещение дислокаций плоскости скольжения. В этом случае кр. дислокация попадает в новые атомные плоскости || той в которой она раньше находилась. Такое перемещение дис-ций называется переползанием.
Допустим, что положительная кр. дислокация переползает из своей плоскости скольжения в вышележащую соседнюю плоскость, т.е. край экстраплоскости укорачивается. Для этого необходимо, чтобы цепочка атомов на самой кромке экстраплоскости отделилась от нее и ушла в глубь кристалла, такое растворение кромки экстраплоскости называется положительным переползанием и как видно этот процесс является диффузионным. Возможны 2 способа:
При подходе вакансий краевой дислокации атомы с кромки экстраплоскости переходят в эти вакантные места.
Атомы с кромки переходят в соседние междоузлия.
Первый способ более вероятен, если учесть, что в металлах часто появляется избыточная концентрация вакансий. Энергия образования межузельных атомов значительно больше энергии образования вакансии, концентрация межузельных атомов очень мала.
Перемещение положительной дислокации вниз в соседнюю плоскость скольжения означает, что к кромке экстраплоскости присоединяется 1 или несколько атомных рядов. Отрицательное переползание может происходить двумя путями:
Присоединением межузельных атомов диффундировавших к дислокации.
Присоединение соседних атомов из близлежайших узлов решетки с образованием вакансии, кот-й затем мигрирует в глубь кристалла.
Т.о. переползание дислокаций осуществляется путем диффузионного перемещения атомов от дислокации или к ней. Этим отличается переползание дислокаций от их перемещения в плоскости скольжения, т.е. если простое скольжение дислокаций не связано с переносом массы, то переползание дислокаций происходит путем переноса массы. Диффузия - это термически активный процесс откуда выходит, что переползание дислокаций является термически активируемым процессом. Следовательно, если скольжение дислокаций достаточно легко протекает при любых температурах, то их переползание может происходить с заметной скоростью лишь при сравнительно высоких температурах. Переползание кр. дислокаций вызывает деформацию кристалла, когда атомы уходят с кромки экстраплоскости происходит местное сжатие, а когда на ней окажутся атомы, происходит местное растяжение кристалла. Отсюда выходит, что сжимающие напряжения, приложенные к кристаллу, будут стремиться к уменьшению экстраплоскости, а растягивающие напряжения способствуют ее росту.
Перенос массы к кромке экстраплоскости или от нее происходит путем миграции отдельных вакансий или небольших их комплексов. Если это так, то переползание дислокаций в новую плоскость скольжения происходит не одновременно по всей ее длине, а по частям, например, когда комплекс вакансий осядет на кромке экстраплоскости, образуется ступенька. Такие ступеньки называют порогами. Такой процесс образования порогов является термически активным процессом, т.к. дислокация со ступеньками обладает энтропией, то определенное число ступенек соответствует минимуму свободной энергии кристалла при большой внутренней энергии. Более вероятным является экстраплоскость, содержащая пороги.