- •Организация эвм и систем
- •Содержание
- •Глава 1. Становление и эволюция цифровой вычислительной техники 8
- •Глава 2. Архитектура системы команд 37
- •Глава 3. Программная модель процессора на примере Intel i8086 71
- •Глава 4. Интерфейсы и шины в вычислительной системе 87
- •Глава 5. Системы ввода/вывода. Организация обмена в вычислительной системе 116
- •Глава 6. Основные направления в архитектуре процессоров 129
- •Глава 7. Подсистема памяти 169
- •Глава 8. Внешние накопители 197
- •Глава 9. Основы параллельных вычислений 220
- •Глава 10. Архитектура многопроцессорных систем 237
- •Глава 1. Становление и эволюция цифровой вычислительной техники
- •1.1. Определение понятия «архитектура»
- •1.2. Уровни детализации структуры вычислительной машины
- •1.3. Эволюция средств автоматизации вычислений
- •1.3.1. Нулевое поколение (1492-1945)
- •1.3.2. Первое поколение(1937-1953)
- •1.3.3. Второе поколение (1954-1962)
- •1.3.4. Третье поколение (1963-1972)
- •1.3.5. Четвертое поколение (1972-1984)
- •1.3.6. Пятое поколение (1984-1990)
- •1.3.7. Шестое поколение (1990–)
- •1.4. Концепция машины с хранимой в памяти программой
- •1.4.1. Принцип двоичного кодирования
- •1.4.2. Принцип программного управления
- •1.4.3. Принцип однородности памяти
- •1.4.4. Принцип адресности
- •1.6 Типы структур вычислительных машин и систем
- •1.6.1. Структуры вычислительных машин
- •1.6.2. Структуры вычислительных систем
- •1.6.3. Перспективные направления исследований в области архитектуры
- •Контрольные вопросы
- •Глава 2. Архитектура системы команд
- •2.1. Понятие архитектуры системы команд
- •2.2. Классификация архитектур системы команд
- •2.2.1. Классификация по составу и сложности команд
- •2.2.2. Классификация по месту хранения операндов
- •2.3. Форматы команд
- •2.3.1. Длина команды
- •2.3.2. Разрядность полей команды
- •2.3.3. Количество адресов в команде
- •2.4. Выбор адресности команд
- •2.4.1. Адресность и емкость запоминающего устройства
- •2.4.2. Адресность и время выполнения программы
- •2.4.3. Адресность и эффективность использования памяти
- •2.5. Способы адресации операндов
- •2.5.1. Непосредственная адресация
- •2.5.2. Прямая адресация
- •2.5.3. Косвенная адресация
- •2.5.4. Регистровая адресация
- •2.5.5. Косвенная регистровая адресация
- •2.5.6. Адресация со смещением
- •2.5.7. Относительная адресация
- •2.5.8. Базовая регистровая адресация
- •2.5.9. Индексная адресация
- •2.5.10. Страничная адресация
- •2.6. Цикл команды
- •2.7. Основные показатели вычислительных машин
- •Контрольные вопросы
- •Глава 3. Программная модель процессора на примере Intel i8086
- •3.1. Программная архитектура i80х86
- •3.2. Микропроцессор i8086
- •3.3. Доступ к ячейкам памяти
- •3.4. Команды микропроцессора
- •3.5. Основные группы команд и их краткая характеристика
- •3.6. Способы адресации в архитектуре i80x86
- •Контрольные вопросы
- •Лабораторная работа №1. Программная архитектура процессора i8086
- •Глава 4. Интерфейсы и шины в вычислительной системе
- •4.1. Структура взаимосвязей вычислительной машины
- •4.2. Типы шин
- •4.2.1. Шина «процессор-память»
- •4.2.2. Шина ввода/вывода
- •4.2.3. Системная шина
- •4.3. Иерархия шин
- •4.3.1. Вычислительная машина с одной шиной
- •4.3.2. Вычислительная машина с двумя видами шин
- •4.3.3. Вычислительная машина с тремя видами шин
- •4.4. Физическая реализация шин
- •4.4.1. Механические аспекты
- •4.4.2. Электрические аспекты
- •4.5. Распределение линий шины
- •4.6. Выделенные и мультиплексируемые линии
- •4.7. Арбитраж шин
- •4.7.1. Схемы приоритетов
- •4.7.2. Схемы арбитража
- •4.8. Основные интерфейсы современных вм на базе архитектуры ia-32
- •4.8.1. Интерфейс pci
- •4.8.2. Порт agp
- •4.8.3. Pci Express
- •Глава 5. Системы ввода/вывода. Организация обмена в вычислительной системе
- •5.1. Основные функции модуля ввода-вывода
- •5.1.1. Локализация данных
- •5.1.2. Управление и синхронизация
- •5.1.3. Обмен информацией
- •5.2. Методы управления вводом/выводом
- •5.3. Система прерываний и исключений в архитектуре ia-32
- •5.4. Расширенный программируемый контроллер прерываний (apic)
- •Глава 6. Основные направления в архитектуре процессоров
- •6.1. Конвейеризация вычислений
- •6.1.1. Синхронные линейные конвейеры
- •6.1.2. Метрики эффективности конвейеров
- •6.1.3. Нелинейные конвейеры
- •6.2. Конвейер команд
- •6.3. Конфликты в конвейере команд
- •6.4. Методы решения проблемы условного перехода
- •6.5. Предсказание переходов
- •6.5.1. Статическое предсказание переходов
- •6.5.2. Динамическое предсказание переходов
- •6.6. Суперконвейерные процессоры
- •6.7. Архитектуры с полным и сокращенным набором команд
- •6.8. Основные черты risc-архитектуры
- •6.9. Преимущества и недостатки risc
- •6.10. Суперскалярные процессоры
- •Лабораторная работа №4. Исполнительные устройства вм
- •Глава 7. Подсистема памяти
- •7.1. Характеристики систем памяти
- •7.2. Иерархия запоминающих устройств
- •7.3. Основная память
- •7.4. Блочная организация основной памяти
- •7.5. Организация микросхем памяти
- •7.6. Синхронные и асинхронные запоминающие устройства
- •7.7. Оперативные запоминающие устройства
- •7.8 Статическая и динамическая оперативная память
- •7.9. Статические оперативные запоминающие устройства
- •7.10. Динамические оперативные запоминающие устройства
- •Лабораторная работа №5. Расширенная работа с памятью и передача управления в программе
- •Глава 8. Внешние накопители
- •8.1. Магнитные диски
- •8.1.1. Организация данных и форматирование
- •8.1.2. Внутреннее устройство дисковых систем
- •8.2. Массивы магнитных дисков с избыточностью
- •8.2.1. Концепция массива с избыточностью
- •8.2.2. Повышение производительности дисковой подсистемы
- •8.2.3. Повышение отказоустойчивости дисковой подсистемы
- •8.2.4. Raid уровня 0
- •8.2.5. Raid уровня 1
- •8.2.6. Raid уровня 2
- •8.2.7. Raid уровня 3
- •8.2.8. Raid уровня 4
- •8.2.9. Raid уровня 5
- •8.2.10. Raid уровня 6
- •8.2.11. Raid уровня 7
- •8.2.12. Raid уровня 10
- •8.2.13. Raid уровня 53
- •8.2.14. Особенности реализации raid-систем
- •8.3. Оптическая память
- •Контрольные вопросы
- •Глава 9. Основы параллельных вычислений
- •9.1. Уровни параллелизма
- •9.1.1. Параллелизм уровня задания
- •9.1.2. Параллелизм уровня программ
- •9.1.3. Параллелизм уровня команд
- •9.2. Метрики параллельных вычислений
- •9.2.1. Профиль параллелизма программы
- •9.2.2. Ускорение, эффективность, загрузка и качество
- •9.3. Закон Амдала
- •9.4. Закон Густафсона
- •9.5. Классификация параллельных вычислительных систем. Классификация Флинна
- •Контрольные вопросы
- •Глава 10. Архитектура многопроцессорных систем
- •Классификация многопроцессорных систем
- •Организация коммуникационной среды в системах с разделяемой памятью.
- •Когерентность кэш- памяти в smp- системах.
- •Когерентность кэш- памяти в mpp-системах.
- •Организация прерываний в мультипроцессорных системах.
- •Заключение
- •Библиографический список
7.6. Синхронные и асинхронные запоминающие устройства
В качестве первого критерия, по которому можно классифицировать запоминающие устройства основной памяти, рассмотрим способ синхронизации. С этих позиций известные типы ЗУ подразделяются на синхронные и асинхронные.
В микросхемах, где реализован синхронный принцип, процессы чтения и записи (если это ОЗУ) выполняются одновременно с тактовыми сигналами контроллера памяти.
Асинхронный принцип предполагает, что момент начала очередного действия определяется только моментом завершения предшествующей операции. Перенося этот принцип на систему памяти, необходимо принимать во внимание, что контроллер памяти всегда работает синхронно. В асинхронных ЗУ цикл чтения начинается только при поступлении запроса от контроллера памяти, и если память не успевает выдать данные в текущем такте, контроллер может считать их только в следующем такте, поскольку очередной шаг контроллера начинается с приходом очередного тактового импульса. В последнее время асинхронная схема активно вытесняется синхронной.
7.7. Оперативные запоминающие устройства
Большинство из применяемых в настоящее время типов микросхем оперативной памяти не в состоянии сохранять данные без внешнего источника энергии, то есть являются энергозависимыми (volatile memory). Широкое распространение таких устройств связано с рядом их достоинств по сравнению с энергонезависимыми типами ОЗУ (non-volatile memory): большей емкостью, низким энергопотреблением, более высоким быстродействием и невысокой себестоимостью хранения единицы информации.
Энергозависимые ОЗУ можно подразделить на две основные подгруппы: динамическую память (DRAM — Dynamic Random Access Memory) и статическую память (SRAM — Static Random Access Memory).
7.8 Статическая и динамическая оперативная память
В статических ОЗУ запоминающий элемент может хранить записанную информацию неограниченно долго (при наличии питающего напряжения). Запоминающий элемент динамического ОЗУ способен хранить информацию только в течение достаточно короткого промежутка времени, после которого информацию нужно восстанавливать заново, иначе она будет потеряна. Динамические ЗУ, как и статические, энергозависимы.
Роль запоминающего элемента в статическом ОЗУ исполняет триггер. Такой триггер представляет собой схему с двумя устойчивыми состояниями, обычно состоящую из четырех или шести транзисторов (рис. 69). Схема с четырьмя транзисторами обеспечивает большую емкость микросхемы, а следовательно, меньшую стоимость, однако у такой схемы большой ток утечки, когда информация просто хранится. Также триггер на четырех транзисторах более чувствителен к воздействию внешних источников излучения, которые могут стать причиной потери информации. Наличие двух дополнительных транзисторов позволяет в какой-то мере компенсировать упомянутые недостатки схемы на четырех транзисторах, но, главное — увеличить быстродействие памяти.
Рис. 69. Запоминающий элемент статического ОЗУ.
Запоминающий элемент динамической памяти значительно проще. Он состоит из одного конденсатора и запирающего транзистора (рис.70).
Рис. 70. Запоминающий элемент динамического ОЗУ.
Наличие или отсутствие заряда в конденсаторе интерпретируется как 1 или 0 соответственно. Простота схемы позволяет достичь высокой плотности размещения ЗЭ и, в итоге, снизить стоимость. Главный недостаток подобной технологии связан с тем, что-накапливаемый на конденсаторе заряд со временем теряется. Даже при хорошем диэлектрике с электрическим сопротивлением в несколько тераом (1012 Ом), используемом при изготовлении элементарных конденсаторов ЗЭ, заряд теряется достаточно быстро. Размеры у такого конденсатора микроскопические, а емкость имеет порядок 10Г15Ф. При такой емкости на одном конденсаторе накапливается всего около 40 000 электронов. Среднее время утечки заряда ЗЭ динамической памяти составляет сотни или даже десятки миллисекунд, поэтому заряд необходимо успеть восстановить в течение данного отрезка времени, иначе хранящаяся информация будет утеряна. Периодическое восстановление заряда ЗЭ называемся регенерацией и осуществляется каждые 2-8 мс.
В различных типах ИМС динамической памяти нашли применение три основных метода регенерации:
одним сигналом RAS (ROR – RAS Only Refresh);
сигналом CAS, предваряющим сигнал RAS (CBR – CAS Before RAS);
автоматическая регенерация (SR – Self Refresh).
Регенерация одним RAS использовалась еще в первых микросхемах DRAM. На шину адреса выдается адрес регенерируемой строки, сопровождаемый сигналом RAS. При этом выбирается строка ячеек и хранящиеся там данные поступают на внутренние цепи микросхемы, после чего записываются обратно. Так как сигнал CAS не появляется, цикл чтения/записи не начинается. В следующий раз на шину адреса подается адрес следующей строки и т. д., пока не восстановятся все ячейки, после чего цикл повторяется. К недостаткам метода можно отнести занятость шины адреса в момент регенерации, когда доступ к другим устройствам ВМ блокирован.
Особенность метода CBR в том, что если в обычном цикле чтения/записи сигнал RAS всегда предшествует сигналу CAS, то при появлении сигнала CAS первым начинается специальный цикл регенерации. В этом случае адрес строки не передается, а микросхема использует свой внутренний счетчик, содержимое которого увеличивается на единицу при каждом очередном CBR-цикле. Режим позволяет регенерировать память, не занимая шину адреса, то есть более эффективен.
Автоматическая регенерация памяти связана с энергосбережением, когда система переходит в режим «сна» и тактовый генератор перестает работать. При отсутствии внешних сигналов RAS и CAS обновление содержимого памяти методами ROR или CBR невозможно, и микросхема производит регенерацию самостоятельно, запуская собственный генератор, который тактирует внутренние цепи регенерации.
Область применения статической и динамической памяти определяется скоростью и стоимостью. Главным преимуществом SRAM является более высокое быстродействие (примерно на порядок выше, чем у DRAM). Быстрая синхронная SRAM может работать со временем доступа к информации, равным времени одного тактового импульса процессора. Однако из-за малой емкости микросхем и высокой стоимости применение статической памяти, как правило, ограничено относительно небольшой по емкости кэш-памятью первого (L1), второго (L2) или третьего (L3) уровней. В то же время самые быстрые микросхемы динамической памяти на чтение первого байта пакета все еще требуют от пяти до десяти тактов процессора, что замедляет работу всей ВМ. Тем не менее благодаря высокой плотности упаковки ЗЭ и низкой стоимости именно DRAM используется при построении основной памяти ВМ.