18) Скольжение и двойникование

19) Теория дислокации

Предположение о наличии дислокации было выдвинуто в связи с необходимостью объяснить разницу расчётных и экспериментальных значений касательного напряжения, необходимого для начала пластической деформации.

Расчётные значения этих касательных напряжений превышали экспериментальные на 3-4 порядка. Представление о дислокации возникло в 1934 году. Под дислокацией понимается искажение кристаллической решётки, имеющей линейные размеры. Она представляет собой границу между деформируемой и недеформируемой областями кристалла в плоскости скольжения.

Для теории пластичности важны 2 св-ва дислокации: 1)Дислокация своим движением в плоскости скольжения вызывает скольжение 2)Скольжение может происходить очень легко Основной характеристикой дислокации является вектор Бюргерса.

Дислокация бывает 1)краевая и 2)винтовая.

1)Линию вг (пересечение добавочной плоскости с плоскостью скольжения называют линией дислокации). Краевые дислокации условно подразделяются на положительные и отрицательные. Краевая дислокация считается положительной, если дополнительная плоскость находится выше плоскости скольжения и обозначается(Т вниз головой).

Отрицательной краевая дислокация считается, если дополнительная плоскость находится ниже плоскости скольжения (Т). Наличие дополнительной плоскости вызывает нарушение правильного строения кристаллической решётки. Наибольшее нарушение правильности взаимного расположения атомов возникает вблизи центра дислокации (точка в или г). Для положительной краевой дислокации межатомное расстояние вблизи линий дислокации выше плоскости скольжения уменьшены, а ниже плоскости скольжения – увеличены. Эти искажения межатомных расстояний быстро убывают по мере удаления от линий дислокации. Под действием сдвигающих напряжений, которые действуют параллельно плоскости скольжения, краевая дислокация способна передвигаться. Смещение дислокаций состоит в том, что дополнительной плоскостью становятся поочерёдно плоскость, параллельная исходной.

2)Винтовая дислокация. В области винтовой дислокации кристаллографические плоскости, перпендикулярные плоскости скольжения, получают изгиб. Схематично возникновение винтовой дислокации можно представить следующим образом: часть кристаллической решётки разрезана на плоскости скольжения и разделённые участки смещены друг относительно друга на одно межатомное расстояние. Образующаяся при этом зона изогнутых поверхностей, с обеих сторон граничащая с участками, имеющими правильное кристаллическое строение, является зоной силового влияния винтовой дислокации. Линия, находящаяся в плоскости разреза и проходящая в зоне наибольшего искажения решётки, называется линией винтовой дислокации. Движение линии винтовой дислокации в плоскости скольжения вызывает поперечное смещение атомов в новое положение равновесия. Переползание дислокации. Различают движение дислокации и переползание дислокации. Размеры дополнительной плоскости при переползании краевой дислокации остаются постоянными.