Добавил:
Опубликованный материал нарушает ваши авторские права? Сообщите нам.
Вуз: Предмет: Файл:
ФОЭТ и ППП_Лекции.doc
Скачиваний:
88
Добавлен:
29.12.2016
Размер:
12.3 Mб
Скачать

Содержание

ВВЕДЕНИЕ 1

§1. Краткие сведения по квантовой механике 2

§2. Уравнение Шредингера 7

§3. Энергетические состояния электронов в водородоподобных системах 9

РАЗДЕЛ 1. ОСНОВЫ ФИЗИКИ ПОЛУПРОВОДНИКОВ 14

1.1. Полупроводники 14

Энергетические (зонные) диаграммы полупроводников. 14

Уровень Ферми 15

Физические процессы в полупроводниках 16

Беспримесный полупроводник. 16

Процесс генерации пар зарядов. 17

Примеси в полупроводниках. 19

Электронный полупроводник (n-типа) 19

Дырочный полупроводник (р-типа). 20

1.2 Типы рекомбинации 22

1.3. Электронно-дырочный переход. 24

§1. Классификация. Методы изготовления. 24

§2. Свойства р-n-перехода. 25

Р-n-переход при прямом включении. 27

P-n-переход при обратном включении 29

Учет дополнительных факторов, влияющих на вольт-амперную характеристику диода. Пробой. 30

Импульсные свойства р-n перехода. (динамические процессы в р-n-переходе) 31

РАЗДЕЛ 2. ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ ПРИБОРЫ 37

2.1. Полупроводниковые диоды 37

§ 1. ВЫПРЯМИТЕЛЬНЫЕ ДИОДЫ. 37

§2. ВЫСОКОЧАСТОТНЫЕ ДИОДЫ. 39

§ 3. ИМПУЛЬСНЫЕ ДИОДЫ. 40

§ 4. СВЕРХВЫСОКОЧАСТОТНЫЕ ДИОДЫ. 41

§ 5. СТАБИЛИТРОНЫ. 42

§ 6. ВАРИКАПЫ. 44

§ 8. ОБРАЩЕННЫЕ ДИОДЫ. 44

§ 8. СИСТЕМА ОБОЗНАЧЕНИЙ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ДИОДОВ. 45

§ 9. РАБОЧИЙ РЕЖИМ ДИОДА. 45

2.2. Биполярные транзисторы 48

§ 1. Общие сведения. Устройство. 48

§ 2. Физические процессы, протекающие в VT. Токи VT. 49

§3. Основные схемы включения транзисторов. 54

§4 Влияние температуры на статические характеристики VTа. 60

§5 Эквивалентные схемы замещения транзистора. 62

§6 Представление транзистора в виде четырехполюсника и системы статистических параметров. 64

§7 Эл. пар-ры, классификация и система обозначений VTов. 72

2.3 Полевые транзисторы 73

§1. Полевые транзисторы с управляющим переходом. 73

§2. Статические характеристики полевого транзистора с управляющим p-n-переходом. 74

§3. Полевые транзисторы с изолированным затвором. 78

2.4. Тиристоры (VS) 81

§ 1. Принцип действия. 81

§ 2. Математический анализ работы тиристора (не нужно). 83

§ 3. Вольт – амперная характеристика тиристора. 84

§ 4. Типы тиристоров. 85

§ 5. Особенности работы и параметры тиристоров. 87

2.5. Оптоэлектронные полупроводниковые приоры. 91

Полупроводниковые излучатели 91

Фотоприемники (общие сведения) 93

Фоторезисторы 93

Фотодиоды 95

Фотоэлементы 96

Фототранзисторы 97

Фототиристоры 98

Оптроны 99

2.6. Интегральные микросхемы 101

РАЗДЕЛ 3. УСИЛИТЕЛИ 102

§1. Анализ процесса усиления электрических сигналов 102

§2. Работа УЭ с нагрузкой. 104

Динамические х-ки. 104

Нагруз. линии У и их построение. 105

Сквозная характеристика У на биполярном VT. 108

§3. Стр - рная схема У. Классификация У. 110

Общие сведения. 110

Классификация У. 111

§4 Основные параметры и характеристики усилителей. 113

§5 Обратная связь в усилителях. 113

Режимы работы УЭ. 116

РАЗДЕЛ 4. ОПЕРАЦИОННЫЕ УСИЛИТЕЛИ 118

Общие сведения 118

Инвертирующий усилитель 119

Интегратор 120

Содержание 122

123