- •Сборник лекций к дисциплинам:
- •§1. Краткие сведения по квантовой механике
- •§2. Уравнение Шредингера
- •§3. Энергетические состояния электронов в водородоподобных системах
- •Раздел 1. Основы физики полупроводников
- •1.1. Полупроводники
- •Энергетические (зонные) диаграммы полупроводников.
- •Уровень Ферми
- •Физические процессы в полупроводниках
- •Беспримесный полупроводник.
- •Процесс генерации пар зарядов.
- •Примеси в полупроводниках.
- •Электронный полупроводник (n-типа)
- •Дырочный полупроводник (р-типа).
- •1.2 Типы рекомбинации
- •1.3. Электронно-дырочный переход. §1. Классификация. Методы изготовления.
- •§2. Свойства р-n-перехода.
- •Учет дополнительных факторов, влияющих на вольт-амперную характеристику диода. Пробой.
- •Импульсные свойства р-n перехода. (динамические процессы в р-n-переходе)
- •Раздел 2. Полупроводниковые приборы
- •2.1. Полупроводниковые диоды
- •§ 1. Выпрямительные диоды.
- •§2. Высокочастотные диоды.
- •§ 3. Импульсные диоды.
- •§ 4. Сверхвысокочастотные диоды.
- •§ 5. Стабилитроны.
- •§ 6. Варикапы.
- •§ 8. Обращенные диоды.
- •§ 8. Система обозначений полупроводниковых диодов.
- •§ 9. Рабочий режим диода.
- •2.2. Биполярные транзисторы § 1. Общие сведения. Устройство.
- •§ 2. Физические процессы, протекающие вVt. ТокиVt.
- •§3. Основные схемы включения транзисторов.
- •§4 Влияние температуры на статические характеристикиVTа.
- •§5 Эквивалентные схемы замещения транзистора.
- •§6 Представление транзистора в виде четырехполюсника и системы статистических параметров.
- •2.3 Полевые транзисторы §1. Полевые транзисторы с управляющим переходом.
- •§2. Статические характеристики полевого транзистора с управляющимp-n-переходом.
- •§3. Полевые транзисторы с изолированным затвором.
- •2.4. Тиристоры (vs)
- •§ 1. Принцип действия.
- •§ 2. Математический анализ работы тиристора (не нужно).
- •§ 3. Вольт – амперная характеристика тиристора.
- •§ 4. Типы тиристоров.
- •§ 5. Особенности работы и параметры тиристоров.
- •2.5. Оптоэлектронные полупроводниковые приоры. Полупроводниковые излучатели
- •Фотоприемники (общие сведения)
- •Фоторезисторы
- •Фотодиоды
- •Фотоэлементы
- •Фототранзисторы
- •Фототиристоры
- •Оптроны
- •2.6. Интегральные микросхемы
- •Раздел 3. Усилители §1. Анализ процесса усиления электрических сигналов
- •§2. Работа уэ с нагрузкой. Динамические х-ки.
- •Нагруз. Линии у и их построение.
- •Сквозная характеристика у на биполярномVt.
- •Общие сведения.
- •Классификация у.
- •§4 Основные параметры и характеристики усилителей.
- •§5 Обратная связь в усилителях.
- •Режимы работы уэ.
- •Раздел 4. Операционные усилители Общие сведения
- •Инвертирующий усилитель
- •Интегратор
- •Содержание
Содержание
ВВЕДЕНИЕ 1
§1. Краткие сведения по квантовой механике 2
§2. Уравнение Шредингера 7
§3. Энергетические состояния электронов в водородоподобных системах 9
РАЗДЕЛ 1. ОСНОВЫ ФИЗИКИ ПОЛУПРОВОДНИКОВ 14
1.1. Полупроводники 14
Энергетические (зонные) диаграммы полупроводников. 14
Уровень Ферми 15
Физические процессы в полупроводниках 16
Беспримесный полупроводник. 16
Процесс генерации пар зарядов. 17
Примеси в полупроводниках. 19
Электронный полупроводник (n-типа) 19
Дырочный полупроводник (р-типа). 20
1.2 Типы рекомбинации 22
1.3. Электронно-дырочный переход. 24
§1. Классификация. Методы изготовления. 24
§2. Свойства р-n-перехода. 25
Р-n-переход при прямом включении. 27
P-n-переход при обратном включении 29
Учет дополнительных факторов, влияющих на вольт-амперную характеристику диода. Пробой. 30
Импульсные свойства р-n перехода. (динамические процессы в р-n-переходе) 31
РАЗДЕЛ 2. ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ ПРИБОРЫ 37
2.1. Полупроводниковые диоды 37
§ 1. ВЫПРЯМИТЕЛЬНЫЕ ДИОДЫ. 37
§2. ВЫСОКОЧАСТОТНЫЕ ДИОДЫ. 39
§ 3. ИМПУЛЬСНЫЕ ДИОДЫ. 40
§ 4. СВЕРХВЫСОКОЧАСТОТНЫЕ ДИОДЫ. 41
§ 5. СТАБИЛИТРОНЫ. 42
§ 6. ВАРИКАПЫ. 44
§ 8. ОБРАЩЕННЫЕ ДИОДЫ. 44
§ 8. СИСТЕМА ОБОЗНАЧЕНИЙ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ДИОДОВ. 45
§ 9. РАБОЧИЙ РЕЖИМ ДИОДА. 45
2.2. Биполярные транзисторы 48
§ 1. Общие сведения. Устройство. 48
§ 2. Физические процессы, протекающие в VT. Токи VT. 49
§3. Основные схемы включения транзисторов. 54
§4 Влияние температуры на статические характеристики VTа. 60
§5 Эквивалентные схемы замещения транзистора. 62
§6 Представление транзистора в виде четырехполюсника и системы статистических параметров. 64
§7 Эл. пар-ры, классификация и система обозначений VTов. 72
2.3 Полевые транзисторы 73
§1. Полевые транзисторы с управляющим переходом. 73
§2. Статические характеристики полевого транзистора с управляющим p-n-переходом. 74
§3. Полевые транзисторы с изолированным затвором. 78
2.4. Тиристоры (VS) 81
§ 1. Принцип действия. 81
§ 2. Математический анализ работы тиристора (не нужно). 83
§ 3. Вольт – амперная характеристика тиристора. 84
§ 4. Типы тиристоров. 85
§ 5. Особенности работы и параметры тиристоров. 87
2.5. Оптоэлектронные полупроводниковые приоры. 91
Полупроводниковые излучатели 91
Фотоприемники (общие сведения) 93
Фоторезисторы 93
Фотодиоды 95
Фотоэлементы 96
Фототранзисторы 97
Фототиристоры 98
Оптроны 99
2.6. Интегральные микросхемы 101
РАЗДЕЛ 3. УСИЛИТЕЛИ 102
§1. Анализ процесса усиления электрических сигналов 102
§2. Работа УЭ с нагрузкой. 104
Динамические х-ки. 104
Нагруз. линии У и их построение. 105
Сквозная характеристика У на биполярном VT. 108
§3. Стр - рная схема У. Классификация У. 110
Общие сведения. 110
Классификация У. 111
§4 Основные параметры и характеристики усилителей. 113
§5 Обратная связь в усилителях. 113
Режимы работы УЭ. 116
РАЗДЕЛ 4. ОПЕРАЦИОННЫЕ УСИЛИТЕЛИ 118
Общие сведения 118
Инвертирующий усилитель 119
Интегратор 120
Содержание 122