Импульсные свойства р-n перехода. (динамические процессы в р-n-переходе)

Ёмкость р-n-перехода

Инжекция неосновных носителей заряда в случае приложения к р-n-переходу прямого напряжения и экстракция неосновных носителей заряда в случае приложения к переходу обратного напряжения приводят к изменению по сравнению с равновесными концентраций носителей заряда вблизи перехода. Изменение величины приложенного внешнего напряжения вызывает изменение распределения избыточных носителей вблизи перехода, а следовательно, величины суммарного объёмного заряда. Это явление напоминает процессы в обычном конденсаторе, в котором изменение напряжения, приложенного к обкладкам, вызывает изменение накопленного заряда по закону ∆q=С∆U. Поэтому принято считать, что р-n-переход обладает емкостными свойствами или просто ёмкостью. Ёмкость р-n-перехода оказывает чрезвычайно важное влияние на его импульсные свойства.

Емкостные свойства р-n-перехода различны при прямом и обратном смещениях. Так, при прямом смещении они обусловлены главным образом накоплением избыточных концентраций неосновных носителей заряда в р- иn-областях и характеризуются так называемойдиффузионной емкостью, которая определяется выражением

, (2.1)

где S– площадь р-n-перехода;p_n,n_p– равновесные концентрации дырок вn-области и электронов в р-области;L_p,L_e­– диффузионные длины дырок вn-области и электронов в р-области;U– внешнее напряжение, приложенное к р-nпереходу; Т – температура полупроводника;k– постоянная Больцмана; е – заряд электрона.

Из уравнения (2.1) видно, что с увеличением прямого напряжения (U>0) диффузионная ёмкость р-n-перехода быстро возрастает. При обратном смещении (U<0) диффузионная ёмкость уменьшается, и при достаточно большой величине обратного напряжения ее можно считать равной нулю.

При обратном смещении емкостные свойства р-n-перехода обусловлены образованием областей объемных зарядов ионизированных примесных атомов и характеризуются так называемойбарьерной ёмкостью, которая для резкого р-n-перехода определяется выражением

, (2.2)

где N_a,N_д– концентрации атомов акцепторной примеси в р-области и донорной примеси вn-области, соответственно;U_K– контактная разность потенциалов р-nперехода;- относительная диэлектрическая проницаемость полупроводника;₀– электрическая постоянная.

Из выражения (2.2) следует, что барьерная ёмкость тем больше, чем выше концентрации примесей в полупроводнике и чем меньше напряжение, приложенное к переходу. Учитывать барьерную ёмкость особенно важно при достаточно больших обратных смещениях р-nперехода, так как диффузионная емкость при этом практически равна нулю. При прямом смещении барьерная емкость значительно меньше диффузионной.

Для анализа динамических процессов в р-n-переходе пользуются его эквивалентной схемой замещения, представленной на рис.2.1. Схема содержит два конденсатора С_бари С_диф, отражающих барьерную и диффузионную ёмкости р-n-перехода, а также два резистораR_dиR_б. Первый из них отражает электропроводность области объёмных зарядов р-nперехода, а второй – электропроводность р- иn- областей полупроводника, носящих название базы. Характерно, что все элементы в схеме на рис.2.1 являются нелинейными, их параметры зависят от величины и знака приложенного напряженияU_д.

Зависимости С_бари С_дифот напряжения рассмотрены выше. СопротивлениеR_dпри большом обратном напряжении велико, т.к. в области объёмных зарядов практически отсутствуют подвижные носители. При подаче на р-n-переход прямого напряжения область объёмных зарядов, во первых, сужается, а во вторых, обогащается подвижными носителями, что приводит к резкому снижению величиныR_d.

Сопротивление R_бзависит от приложенного напряжения слабее, чемR_d. Тем не менее при обратном смещении оно больше из-за экстракции неосновных носителей, а при прямом смещении оно меньше из-за инжекции неосновных носителей в р- иn-области полупроводника.

Переходные процессы в р-n-переходе при подаче прямого напряжения

Рассмотрим переходные процессы в р-n-переходе на примере полупроводникового диода, включенного по схеме, приведённой на рис.2.2. Условимся также, что параметры схемы таковы, что при подаче напряжения Е положительной полярности величина токаIв цепи не зависит от процессов, происходящих в диоде. Это возможно в том случае, если сопротивлениеRзначительно больше суммарного сопротивления диода (R>>R_VD). Тогда прямой ток будет определяться сопротивлением R.

Наглядное представление о характере происходящих при подаче прямого напряжения переходных процессов дают временные диаграммы напряжений и токов, приведённые на рис.2.3. Проанализируем их.

Прямое напряжение на диоде

Uд=U+Uб

При подаче на вход схемы скачком напряжения Е(t) положительной полярности (рис.2.3,а) ток через диод также скачком нарастает до величиныI₊=E/R(рис.2.3,б).

В начальный момент времени полное падение напряжения на диоде U_д(рис.2.3,д) равно падению напряженияU_бна сопротивлении базыR_б(рис.2.3,г) и определяется величиной токаI₊

U_д (0)=U_б (0)=U₁ = Rб I₊ (2.3)

Напряжение Uна р-n-переходе (рис.2.3,в) при этом равно нулю, т.к. он шунтирован ёмкостью, напряжение на которой, как следует из второго закона коммутации, не может измениться скачком.

По мере диффузии неосновных носителей заряда в базу её сопротивление уменьшается, а следовательно, уменьшается и падение напряжения на ней (рис.2.3,г).В то же время напряжение на р-n-переходе возрастает, так как ёмкость р-n-перехода заряжается. Полное падение напряжения на диоде определяется суммой напряженийU_биUи изменяется по закону, показанному на рис.2.3,д.

Если Величина начального скачка напряжения базы U1 больше установившегося значения (U2) (это возможно при больших занчениях тока I₊), то этот режим называется режимом с высоким уровнем инжекции и соответствует сплошной линии рис.2.3д.

Если величина тока I₊невелика, то уровень инжекции неосновных носителей заряда в р-n-переходе низок, а сопротивление базыR_бизменяется незначительно. Диаграмма напряженияU_бв этом случае практически повторяет диаграмму токаI(рис.2.3,б), а на диаграмме суммарного напряжения на диодеU_дотсутствует первоначальный пикU₁, как это показано на рис.2.3,д пунктиром.

Переходные процессы в р-n-переходе при выключении диода

Выключение диода может быть достигнуто либо уменьшением входного напряжения до нуля, либо подачей входного напряжения обратной полярности. Рассмотрим вначале переходные процессы, возникающие в р-n-переходе при снятии скачком входного напряжения. Временные диаграммы этих процессов также представлены на рис.2.3.

В момент t_u(рис.2.3,а), когда входное напряжение Е скачком уменьшается до нуля, также скачком уменьшаются до нуля ток диодаI(рис.2.3,б) и падение напряженияU_бна сопротивлении базы (рис.2.3,г). В то же время напряжениеUна р-n-переходе скачком измениться не может, так как не могут измениться скачком концентрации неосновных носителей заряда в р- иn-областях. Накопленные вблизи границ р-n-перехода избыточные неосновные носители заряда постепенно рассасываются путём диффузии вглубь базы и рекомбинации там с основными носителями. Ёмкость р-nперехода постепенно разряжается и напряжение на переходе падает (рис.2.3,в). Полное падение напряжения на диоде (рис.2.3,д) при этом равняется падению напряжения на р-n-переходе.

Анализ показывает, что описанный выше процесс снижения напряжения на p-n-переходе подчиняется приближённому закону

(2.4)

где U₃– напряжение на р-nпереходе в момент снятия внешнего напряжения (рис.2.3,в); τ_р– время жизни неосновных носителей заряда в полупроводнике.

Из уравнения (2.4) следует, что напряжение на р-nпереходе уменьшается практически линейно. Это обстоятельство используют для экспериментального определения времени жизни неосновных носителей заряда в базе диода. Величина_ропределяется по наклону линейного участкаU(t) по формуле:

(2.5)

где tиUпоказаны на рис.2.3,д.

Следует отметить, что время жизни неосновных носителей заряда зависит от уровня инжекции, которая определяется величиной напряжения Е, приложенного к р-n-переходу. При низком уровне инжекции время жизни практически постоянно, а при высоком уровне инжекции оно изменяется.

Измерение напряжения U₃на р-n-переходе, которое часто называют послеинжекционным, в зависимости от величины прямого тока через диод позволяет найти контактную разность потенциалов на р-n-переходе. С увеличением амплитуды импульсов прямого тока величинаU₃стремится к постоянному значению, приближающемуся к контактной разности потенциаловU_k.

Рассмотрим теперь переходные процессы, возникающие в р-n-переходе при подаче скачком напряжения обратной полярности. Временные диаграммы, иллюстрирующие рассматриваемый случай, представлены на рис.2.4.

В момент t₀входное напряжение скачком изменяется от положительного значения Е₊до отрицательного значения Е_-(рис.2.4,а). Поскольку концентрация неосновных носителей в р- иn- областях диода не может измениться мгновенно, то с момента переключения накопленные неосновные носители начинают диффундировать через р-n-переход в обратном направлении. При этом через диод протекает обратный ток, который может быть довольно значительным. Величина обратного токаI_-ограничивается в основном только сопротивлением внешней цепиR(рис.2.2).

Протекание обратного тока сопровождается уменьшением избыточных концентраций неосновных носителей в р- и n-областях, но до тех пор, пока эти концентрации на границах р-n-перехода выше равновесных, обратный ток постоянен (ступенька на рис.2.4,б). Длительностьt_стэтой ступеньки может быть найдена по формуле

, (2.6)

где функция, стоящая в левой части, называется интегралом вероятности. Ее график приведен на рис.2.5. Аналитически ее можно аппроксимировать функцией

, где. (2.7)

Уравнение (2.6) используется для экспериментального определения времени жизни τ_Рнеосновных носителей заряда в базе. Для этого по диаграмме тока диода (рис.2.4,б) измеряютсяt_сти отношениеI_- /I₊, подстановка которых в формулу (2.6) позволяет найти τ_Р.

На рис.2.4,в приведена диаграмма напряжения на р-n-переходе, из которой видно. что в интервале времени отt₀доt₁напряжение на р-n-переходеUостаётся положительным, несмотря на то, что внешнее напряжение Е отрицательно. Это объясняется тем, что ёмкость р-n-перехода до моментаt­₀была заряжена положительно, и после смены знака внешнего напряжения требуется время для ее перезарядки.

В момент t₁(рис.2.4,в) концентрация неосновных носителей заряда на границах р-n-перехода достигает равновесного значения, вследствие чего напряжение на переходе обращается в нуль. С этого момента на р-n-переходе появляется обратное смещение, растущее с течением времени и достигающее в конце концов значения приложенного внешнего напряжения. Кроме того, с моментаt₁концентрация неосновных носителей на границах р-n-перехода становится ниже равновесной, зона перехода обедняется носителями, что приводит к снижению обратного тока, который в конце концов достигает величины обратного тока насыщения (рис.2.4,б).

Характер напряжения на сопротивлении базы (рис.2.4,г) определяется характером тока через диод. Полное падение напряжения на диоде (рис.2.4,д) представляет собой сумму напряжений на р-n-переходе и на сопротивлении базы.

Переходные процессы, происходящие при переключении напряжения на р-n-переходе, определяют его быстродействие – основной параметр полупроводниковых приборов, используемых в схемах импульсной и вычислительной техники. Для увеличения быстродействия р-n-перехода необходимо уменьшать его ёмкость и время жизни неосновных носителей заряда. Первое достигается изготовлением р-n-переходов с как можно меньшей площадью, второе – использованием материалов с высокой скоростью рекомбинации.