- •Сборник лекций к дисциплинам:
- •§1. Краткие сведения по квантовой механике
- •§2. Уравнение Шредингера
- •§3. Энергетические состояния электронов в водородоподобных системах
- •Раздел 1. Основы физики полупроводников
- •1.1. Полупроводники
- •Энергетические (зонные) диаграммы полупроводников.
- •Уровень Ферми
- •Физические процессы в полупроводниках
- •Беспримесный полупроводник.
- •Процесс генерации пар зарядов.
- •Примеси в полупроводниках.
- •Электронный полупроводник (n-типа)
- •Дырочный полупроводник (р-типа).
- •1.2 Типы рекомбинации
- •1.3. Электронно-дырочный переход. §1. Классификация. Методы изготовления.
- •§2. Свойства р-n-перехода.
- •Учет дополнительных факторов, влияющих на вольт-амперную характеристику диода. Пробой.
- •Импульсные свойства р-n перехода. (динамические процессы в р-n-переходе)
- •Раздел 2. Полупроводниковые приборы
- •2.1. Полупроводниковые диоды
- •§ 1. Выпрямительные диоды.
- •§2. Высокочастотные диоды.
- •§ 3. Импульсные диоды.
- •§ 4. Сверхвысокочастотные диоды.
- •§ 5. Стабилитроны.
- •§ 6. Варикапы.
- •§ 8. Обращенные диоды.
- •§ 8. Система обозначений полупроводниковых диодов.
- •§ 9. Рабочий режим диода.
- •2.2. Биполярные транзисторы § 1. Общие сведения. Устройство.
- •§ 2. Физические процессы, протекающие вVt. ТокиVt.
- •§3. Основные схемы включения транзисторов.
- •§4 Влияние температуры на статические характеристикиVTа.
- •§5 Эквивалентные схемы замещения транзистора.
- •§6 Представление транзистора в виде четырехполюсника и системы статистических параметров.
- •2.3 Полевые транзисторы §1. Полевые транзисторы с управляющим переходом.
- •§2. Статические характеристики полевого транзистора с управляющимp-n-переходом.
- •§3. Полевые транзисторы с изолированным затвором.
- •2.4. Тиристоры (vs)
- •§ 1. Принцип действия.
- •§ 2. Математический анализ работы тиристора (не нужно).
- •§ 3. Вольт – амперная характеристика тиристора.
- •§ 4. Типы тиристоров.
- •§ 5. Особенности работы и параметры тиристоров.
- •2.5. Оптоэлектронные полупроводниковые приоры. Полупроводниковые излучатели
- •Фотоприемники (общие сведения)
- •Фоторезисторы
- •Фотодиоды
- •Фотоэлементы
- •Фототранзисторы
- •Фототиристоры
- •Оптроны
- •2.6. Интегральные микросхемы
- •Раздел 3. Усилители §1. Анализ процесса усиления электрических сигналов
- •§2. Работа уэ с нагрузкой. Динамические х-ки.
- •Нагруз. Линии у и их построение.
- •Сквозная характеристика у на биполярномVt.
- •Общие сведения.
- •Классификация у.
- •§4 Основные параметры и характеристики усилителей.
- •§5 Обратная связь в усилителях.
- •Режимы работы уэ.
- •Раздел 4. Операционные усилители Общие сведения
- •Инвертирующий усилитель
- •Интегратор
- •Содержание
§4 Влияние температуры на статические характеристикиVTа.
Изменения температуры окружающей среды влияют на температуру р-n-переходовVTов.Это приводит к изменению токовVTов(т.к. изменяется число носителей заряда в р- иn- областях) и, следовательно, влияет на статические характеристикиVTов.Так, при изменении температуры окружающей среды отtндоtвходная характеристика сдвигается примерно на
ΔUэб= 0,002 (tн-t) (В) ,
где tн– температура, при которой снималась приводимая в справочнике характеристика (обычно +20 или +25 °С).
Влияние температуры окружающей среды на входные характеристики VTаизображено на рис.16.
Рис. 16. Влияние температуры окружающей среды на входные характеристики VTa.
При повышении температуры одному и тому же значению тока соответствует меньшее значение напряжения (и наоборот).
Столь большое увеличение прямого тока через р-n-переход можно объяснить следующим образом. Значительное повышение температуры вызывает усиленную ионизацию атомовn/na, в результате чего резко возрастает число носителей заряда в каждой из областей р-n-перехода. В частности, в р-области возрастает число свободных электронов, и они переходят вn-область, где компенсируют положительные заряды атомов донорной примеси. В обратном направлении переходит большее число дырок, компенсирующих отрицательные заряды атомов акцепторной примеси. В результате резко снижается потенциальный барьер и возрастает прямой ток через р-n-переход.
Изменения температуры оказывают влияние и на выходные характеристики. Причиной этого влияния является температурные изменения обратного тока К IКБО, являющегося составной частью и тока К и тока Б.
Степень влияния температурных изменений тока IКБОна выходные характеристики в схемах с ОБ и с ОЭ различна.
В схеме с ОБ выходные характеристики снимаются при фиксированных значениях тока Э , которые не зависят от тока Б и его составляющей IКБО. Поэтому влияние температурных изменений токаIКБОна выходные характеристики в схемах с ОБ проявляется лишь в том, что к управляемому току К добавляется ток IКБО. Т.к. ток К у VTовмалой мощности имеет порядок единиц и десятков мА, относительное изменение его за счет температурного прироста токаIКБОполучается настолько незначительным, что им в большинстве случаев можно пренебречь.
Посмотрим теперь, как температурный прирост тока IКБОповлияет на выходные характеристики в схеме с ОЭ.
При температуре 20°С IКБО ≈ 5мкА
IК≈ IЭ=IКОБ/ (1 - α) = 5 / (1 – 0.98) = 250 мкА
При повышении температуры до 70°С IКБОувеличивается до 160 мкА следовательно IК≈ IЭ= 160 / (1 - 0,98) = 8 мА
Таким образом, все выходные характеристики семейства сместятся вверх на 8 мА (рис.17), т.е. влияние температуры на выходные характеристики в схеме с ОЭ достаточно большое.
Рис.17. Влияние температуры о.с. на выходные характеристики VT при включении с ОЭ.
В VTыхусилителях и других устройствах принимаются меры по температурной стабилизации режима работы VTов, о чем будет сказано далее.
Выводы: 1. Изменения t° о.с. влияют на статические характеристики VTа: на входные – за счет изменения количества носителей заряда р-иn-областях, на выходные – из-за изменения величины обратного тока К.
2. Входная характеристика сдвигается примерно на 2 мВ на 1°С.
3. Выходные характеристики в схеме с ОЭ намного сильнее подвержены температурному влиянию, чем в схеме с ОБ.