- •Силовая электроника
- •Силовая электроника
- •На рисунке показано схемное изображение
- •На рисунке показано схемное изображение
- •На рисунке показано схемное изображение
- •На рисунке показано схемное изображение
- •На рисунке показано схемное изображение
- •На рисунке показано схемное изображение
- •На рисунке показано схемное изображение
- •На рисунке изображена структурная схема
- •На рисунке показано схемное изображение
- •На рисунке изображена структурная схема
- •На рисунке изображена структурная схема
- •На рисунке изображена структурная схема
- •На рисунке изображена структурная схема
- •На рисунке изображена структурная схема
- •На рисунке изображена структурная схема
- •На рисунке показано схемное изображение
Силовая электроника
-
Силовая электроника
-
Зона уровней энергии, на которых находятся электроны атомов, называется
-
разрешенная зона
-
зона проводимости
-
запрещенная зона
-
валентная зона
-
Зона уровней энергии, на которых находятся свободные электроны, называется
-
зона проводимости
-
запрещенная зона
-
-
валентная зона
-
разрешенная зона
-
Зона уровней энергии, разделяющая зоны, на которых находятся электроны атомов, называется
-
зона проводимости
-
запрещенная зона
-
валентная зона
-
разрешенная зона
-
Ширина запрещенной зоны полупроводника составляет
-
0,5 – 3 эВ
-
6 – 10 эВ
-
12 – 15 эВ
-
20 – 25 эВ
-
Носитель положительного заряда полупроводника называется
-
фонон
-
ион
-
дырка
-
фотон
-
Примесь, вводимая в чистый полупроводник для создания свободных электронов, называется
-
акцепторная
-
добавочная
-
донорная
-
основная
-
Примесь, вводимая в чистый полупроводник для повышения в нем концентрации дырок, называется
-
акцепторная
-
добавочная
-
донорная
-
основная
-
Электрический ток, протекающий через p-n переход под действием электрического поля, называется
-
диффузионнным
-
дрейфовым
-
ионным
-
электронным
-
Электрический ток, протекающий через p-n переход под действием разности концентраций носителей заряда, называется
-
диффузионнным *
-
дрейфовым
-
ионным
-
электронным
-
Как соотносятся количество электронов и дырок в чистых полупроводниках без примесей
-
электронов больше, чем дырок
-
дырок больше, чем электронов
-
свободные носители заряда отсутствуют
-
количество дырок равно количеству электронов
-
Полупроводниковым диодом называют полупроводниковый прибор с двумя выводами и одним …
-
управляющим электродом
-
коллектором
-
эмиттером
-
p-n переходом
-
На рисунке изображена структурная схема
-
биполярного транзистора
-
диода
-
полевого транзистора
-
тиристора
-
-
На рисунке показано схемное изображение
-
биполярного транзистора
-
полевого транзистора
-
диода
-
тиристора
-
-
На рисунке показано схемное изображение
-
биполярного транзистора
-
полевого транзистора
-
тиристора
-
стабилитрона
-
Вывод полупроводникового диода, подсоединенный к p-слою называется
-
анод
-
эмиттер
-
катод
-
коллектор
-
Вывод полупроводникового диода, подсоединенный к n-слою называется
-
анод
-
эмиттер
-
катод
-
коллектор
-
Диффузионный ток через p-n переход полупроводникового диода вызван
-
движением основных носителей заряда
-
внешним источником напряжения
-
движением неосновных носителей заряда
-
движением как основных, так и неосновных носителей заряда
-
Дрейфовый ток через p-n переход полупроводникового диода вызван
-
движением основных носителей заряда
-
внешним источником напряжения
-
движением неосновных носителей заряда
-
движением как основных, так и неосновных носителей заряда
-
Контактная разность потенциалов p-n перехода кремниевых и германиевых диодов составляет
-
0,3 – 0,8 В
-
3 – 8 В
-
10 – 15 В
-
20 – 25 В
-
При подключении к полупроводниковому диоду прямого напряжения величина объемного заряда в p-n переходе
-
не изменяется
-
уменьшается
-
увеличивается
-
вначале уменьшается, затем увеличивается
-
При подключении к полупроводниковому диоду обратного напряжения величина объемного заряда в p-n переходе
-
не изменяется
-
уменьшается
-
увеличивается
-
вначале уменьшается, затем увеличивается
-
При электрическом пробое полупроводникового диода
-
ток возрастает, напряжение остается постоянным
-
ток уменьшается, напряжение остается постоянным
-
напряжение уменьшается, ток остается постоянным
-
напряжение уменьшается, ток возрастает
-
При тепловом пробое полупроводникового диода
-
ток возрастает, напряжение остается постоянным
-
ток уменьшается, напряжение остается постоянным
-
напряжение уменьшается, ток остается постоянным
-
напряжение уменьшается, ток возрастает
-
Диоды, предназначенные для преобразования синусоидального переменного тока в постоянный, называются
-
выпрямительные
-
туннельные
-
импульсные
-
стабилитроны
-
Диоды, предназначенные для выпрямления разнополярной последовательности сигналов длительностью в микро и наносекунды, называются
-
выпрямительные
-
туннельные
-
импульсные
-
стабилитроны
-
Диоды, на обратных ветвях вольтамперных характеристик которых имеется участок со слабой зависимостью напряжения от протекающего тока, называются
-
выпрямительные
-
туннельные
-
импульсные
-
стабилитроны
-
Выпрямительные диоды, у которых средний прямой ток больше 10А, называются
-
диодами малой мощности
-
диодами небольшой мощности
-
диодами большой мощности
-
диодами средней мощности
-
На рисунке показано схемное изображение
-
биполярного транзистора p-n-p типа
-
полевого транзистора с каналом р-типа
-
полевого транзистора с каналом n-типа
-
биполярного транзистора n-p-n типа
-
На рисунке показано схемное изображение
-
биполярного транзистора p-n-p типа
-
полевого транзистора с каналом р-типа
-
полевого транзистора с каналом n-типа
-
биполярного транзистора n-p-n типа
-
-
На рисунке изображена структурная схема
-
биполярного транзистора p-n-p типа
-
полевого транзистора с каналом р-типа
-
полевого транзистора с каналом n-типа
-
биполярного транзистора n-p-n типа
-
На рисунке изображена структурная схема
-
биполярного транзистора p-n-p типа
-
полевого транзистора с каналом р-типа
-
полевого транзистора с каналом n-типа
-
биполярного транзистора n-p-n типа
-
-
Полупроводниковый прибор с двумя близко расположенными p-n переходами и тремя выводами, усилительные свойства которого обусловлены явлением инжекции неосновных носителей заряда называется
-
полевой транзистор
-
биполярный транзистор
-
тиристор
-
динистор
-
Центральную область полупроводниковой структуры биполярного транзистора называют
-
эмиттер
-
коллектор
-
база
-
катод
-
Область полупроводниковой структуры биполярного транзистора, инжектирующего носители заряда, называют
-
эмиттер
-
коллектор
-
исток
-
база
-
Область полупроводниковой структуры биполярного транзистора, в которой происходит собирание носителей заряда, называют
-
эмиттер
-
база
-
сток
-
коллектор
-
Режим работы биполярного транзистора, при котором эмиттерный p-n переход смещен в прямом направлении, а коллекторный p-n переход в обратном, называют
-
активный *
-
насыщения
-
отсечки
-
инверсный
-
Режим работы биполярного транзистора, при котором эмиттерный p-n переход смещен в обратном направлении, а коллекторный p-n переход в прямом, называют
-
активный
-
насыщения
-
отсечки
-
инверсный
-
Режим работы биполярного транзистора, при котором эмиттерный и коллекторный p-n переходы смещены в прямом направлении, называют
-
активный
-
насыщения
-
отсечки
-
инверсный
-
Режим работы биполярного транзистора, при котором эмиттерный и коллекторный p-n переходы смещены в обратном направлении, называют
-
активный
-
насыщения
-
отсечки
-
инверсный
-
-
На рисунке изображен транзистор, включеннй по схеме
-
с общим истоком
-
с общим эмиттером
-
с общим коллектором
-
с общей базой
-
При указанной на схеме полярности напряжения, транзистор находится в режиме
-
активном
-
насыщения
-
отсечки
-
инверсном
-
-
На рисунке изображен транзистор, включеннй по схеме
-
с общим истоком
-
с общим эмиттером
-
с общим коллектором
-
с общей базой
-
-
При указанной на схеме полярности напряжения, транзистор находится в режиме
-
насыщения
-
отсечки
-
активном
-
инверсном
-
-
На рисунке изображен транзистор, включеннй по схеме
-
с общим стоком
-
с общей базой
-
с общим эмиттером
-
с общим коллектором
-
При указанной на схеме полярности напряжения, транзистор находится в режиме
-
активном
-
насыщения
-
отсечки
-
инверсном
-
-
На рисунке приведена структурная схема биполярного транзистора, включенного по схеме
-
с общим эмиттером
-
с общим коллектором
-
с общей землей
-
с общей базой
-
На рисунке приведена структурная схема биполярного транзистора, включенного по схеме
-
с общим эмиттером
-
с общим коллектором
-
с общей землей
-
с общей базой
-
На рисунке изображены статические вольтамперные характеристики биполярного транзистора
-
входные ВАХ в схеме с общей базой
-
выходные ВАХ в схеме с общей базой
-
входные ВАХ в схеме с общим эмиттером
-
выходные ВАХ в схеме с общим эмиттером
-
Обратный ток коллектора, вызванный неосновными носителями заряда, называют
-
инжекторным
-
диффузионным
-
тепловым
-
дрейфовым
-
Входная вольтамперная характеристика транзистора, включенного по схеме с общей базой, это зависимость
-
тока коллектора от напряжения коллектор-эмиттер
-
тока коллектора от напряжения коллектор-база
-
тока эмиттера от напряжения эмиттер-база
-
тока базы от напряжения база-эмиттер
-
Выходная вольтамперная характеристика транзистора, включенного по схеме с общей базой, это зависимость
-
тока коллектора от напряжения коллектор-эмиттер
-
тока коллектора от напряжения коллектор-база
-
тока эмиттера от напряжения эмиттер-база
-
тока базы от напряжения база-эмиттер
-
Входная вольтамперная характеристика транзистора, включенного по схеме с общим эмиттером, это зависимость
-
тока коллектора от напряжения коллектор-эмиттер
-
тока коллектора от напряжения коллектор-база
-
тока эмиттера от напряжения эмиттер-база
-
тока базы от напряжения база-эмиттер
-
Выходная вольтамперная характеристика транзистора, включенного по схеме с общим эмиттером, это зависимость
-
тока коллектора от напряжения коллектор-эмиттер
-
тока коллектора от напряжения коллектор-база
-
тока эмиттера от напряжения эмиттер-база
-
тока базы от напряжения база-эмиттер
-
На рисунке показана структурная схема
-
биполярного транзистора
-
МДП-транзистора со встроенным каналом
-
полевого транзистора
-
МДП-транзистора с индуцированным каналом