- •Сборник лекций к дисциплинам:
- •§1. Краткие сведения по квантовой механике
- •§2. Уравнение Шредингера
- •§3. Энергетические состояния электронов в водородоподобных системах
- •Раздел 1. Основы физики полупроводников
- •1.1. Полупроводники
- •Энергетические (зонные) диаграммы полупроводников.
- •Уровень Ферми
- •Физические процессы в полупроводниках
- •Беспримесный полупроводник.
- •Процесс генерации пар зарядов.
- •Примеси в полупроводниках.
- •Электронный полупроводник (n-типа)
- •Дырочный полупроводник (р-типа).
- •1.2 Типы рекомбинации
- •1.3. Электронно-дырочный переход. §1. Классификация. Методы изготовления.
- •§2. Свойства р-n-перехода.
- •Учет дополнительных факторов, влияющих на вольт-амперную характеристику диода. Пробой.
- •Импульсные свойства р-n перехода. (динамические процессы в р-n-переходе)
- •Раздел 2. Полупроводниковые приборы
- •2.1. Полупроводниковые диоды
- •§ 1. Выпрямительные диоды.
- •§2. Высокочастотные диоды.
- •§ 3. Импульсные диоды.
- •§ 4. Сверхвысокочастотные диоды.
- •§ 5. Стабилитроны.
- •§ 6. Варикапы.
- •§ 8. Обращенные диоды.
- •§ 8. Система обозначений полупроводниковых диодов.
- •§ 9. Рабочий режим диода.
- •2.2. Биполярные транзисторы § 1. Общие сведения. Устройство.
- •§ 2. Физические процессы, протекающие вVt. ТокиVt.
- •§3. Основные схемы включения транзисторов.
- •§4 Влияние температуры на статические характеристикиVTа.
- •§5 Эквивалентные схемы замещения транзистора.
- •§6 Представление транзистора в виде четырехполюсника и системы статистических параметров.
- •2.3 Полевые транзисторы §1. Полевые транзисторы с управляющим переходом.
- •§2. Статические характеристики полевого транзистора с управляющимp-n-переходом.
- •§3. Полевые транзисторы с изолированным затвором.
- •2.4. Тиристоры (vs)
- •§ 1. Принцип действия.
- •§ 2. Математический анализ работы тиристора (не нужно).
- •§ 3. Вольт – амперная характеристика тиристора.
- •§ 4. Типы тиристоров.
- •§ 5. Особенности работы и параметры тиристоров.
- •2.5. Оптоэлектронные полупроводниковые приоры. Полупроводниковые излучатели
- •Фотоприемники (общие сведения)
- •Фоторезисторы
- •Фотодиоды
- •Фотоэлементы
- •Фототранзисторы
- •Фототиристоры
- •Оптроны
- •2.6. Интегральные микросхемы
- •Раздел 3. Усилители §1. Анализ процесса усиления электрических сигналов
- •§2. Работа уэ с нагрузкой. Динамические х-ки.
- •Нагруз. Линии у и их построение.
- •Сквозная характеристика у на биполярномVt.
- •Общие сведения.
- •Классификация у.
- •§4 Основные параметры и характеристики усилителей.
- •§5 Обратная связь в усилителях.
- •Режимы работы уэ.
- •Раздел 4. Операционные усилители Общие сведения
- •Инвертирующий усилитель
- •Интегратор
- •Содержание
Режимы работы уэ.
Взависимости от назначения У к ним могут быть предъявлены следующие требования: получение заданного КUУ с определенной его частотной и фазовой характеристикой; заданной стабильности параметров У и заданных нелинейных искажений, а также возможно максимального КПД У.
Заданные характеристики У обеспечиваются выбором соответствующих схем, числом каскадов У, введением ОС и т.д.; КПД У зависит от режима работы УЭ, особенно в оконечном каскаде.
Различают следующие режимы работы УЭ:
Режим А.
В этом режиме точку покоя УЭ выбирают таким образом, чтобы выходной ток протекал в течение всего периода, т.е. точка покоя должна находится в середине используемой рабочей характеристике (рис. 32,а).
Режим А характеризуется сравнительно небольшими нелинейными искажениями, однако КПД У довольно низкий, т.к. независимо от амплитуды входного, а отсюда следует, и выходного сигнала, в выходной цепи протекает постоянный ток Iвых о, амплитудное значение которого:
Im вых≤Iвых о.
При активной нагрузке, включенной непосредственно в выходную цепь, амплитудное значение выходного напряжения оказывается несколько меньше постоянной составляющей Uвых о, т.е.
Um вых ≤Uвых о ≈ Е / 2.
Тогда КПД каскада:
η = Р~/ Ро=Um вых·Im вых/ 2Iвых о· Е =Um вых·Im вых / 4Iвых о·Uвых о ≤ 0,25
При активной нагрузке, включенной через транзистор Um вых ≈ Е и КПД каскадаη= 0,5.
Режим В.
При работе в режиме В УЭ работает с отсечкой выходного тока, где ток в выходной цепи протекает в течение половины периода (рис. 32,б).
Р
Рис.
32. Работа УЭ в различных режимах: А(а),
В(б), С(в).
θ В= π / 2,
КПД каскада: η =Um вых·Im вых/ 2Iвых о· Е = π·Um вых / 4·Е ≤ 0,785.
В энергетическом отношении режим В намного выгоднее режима А, т.к. в отсутствие входного сигнала (в паузе) потребляемый ток оконечного каскада равен нулю.
Режим В характеризуется значительными нелинейными искажениями за счет появления гармоник четного порядка, поэтому его применяют в двухтактных каскадах, где УЭ работают поочередно. Применение двухтактных каскадов, работающих в режиме В, позволяет получить хорошую форму выходного напряжения за счет уничтожения четных гармоник в выходном напряжении.
Если угол отсечки превышает π / 2, то такой режим работы называется АВ. Режим АВ занимает промежуточное положение между режимом А и В и позволяет получить меньше линейные искажения, чем в режиме В. В режиме АВ КПД: η = 50...60 %.
Режим С.
При работе в режиме С угол отсечки θ < π / 2, что обеспечивается определенным смещением, подаваемым на входной электрод УЭ (рис. 32,в). Преимущество режима С – большой КПД, т.к. амплитуда первой гармоники больше среднего значения тока
η =0,8...0,9.
Режим С применяется в мощных генераторных устройствах и у. где нагрузкой является колебательный контур, который выделяет основную гармонику.
Режим D.
Этот режим используют в У однополярных импульсов, где УЭ находится в двух состояниях – открытом и закрытом. При открытом состоянии УЭ ток в выходной цепи максимальный. Падение напряжения на УЭ минимальное и близкое к нулю. Переход из одного состояния в другое происходит скачком, выходной ток имеет форму прямоугольных импульсов. Режим Dприменяется в устройствах импульсной техники. КПД таких схемη ≈ 0,9...0,99.