- •Сборник лекций к дисциплинам:
- •§1. Краткие сведения по квантовой механике
- •§2. Уравнение Шредингера
- •§3. Энергетические состояния электронов в водородоподобных системах
- •Раздел 1. Основы физики полупроводников
- •1.1. Полупроводники
- •Энергетические (зонные) диаграммы полупроводников.
- •Уровень Ферми
- •Физические процессы в полупроводниках
- •Беспримесный полупроводник.
- •Процесс генерации пар зарядов.
- •Примеси в полупроводниках.
- •Электронный полупроводник (n-типа)
- •Дырочный полупроводник (р-типа).
- •1.2 Типы рекомбинации
- •1.3. Электронно-дырочный переход. §1. Классификация. Методы изготовления.
- •§2. Свойства р-n-перехода.
- •Учет дополнительных факторов, влияющих на вольт-амперную характеристику диода. Пробой.
- •Импульсные свойства р-n перехода. (динамические процессы в р-n-переходе)
- •Раздел 2. Полупроводниковые приборы
- •2.1. Полупроводниковые диоды
- •§ 1. Выпрямительные диоды.
- •§2. Высокочастотные диоды.
- •§ 3. Импульсные диоды.
- •§ 4. Сверхвысокочастотные диоды.
- •§ 5. Стабилитроны.
- •§ 6. Варикапы.
- •§ 8. Обращенные диоды.
- •§ 8. Система обозначений полупроводниковых диодов.
- •§ 9. Рабочий режим диода.
- •2.2. Биполярные транзисторы § 1. Общие сведения. Устройство.
- •§ 2. Физические процессы, протекающие вVt. ТокиVt.
- •§3. Основные схемы включения транзисторов.
- •§4 Влияние температуры на статические характеристикиVTа.
- •§5 Эквивалентные схемы замещения транзистора.
- •§6 Представление транзистора в виде четырехполюсника и системы статистических параметров.
- •2.3 Полевые транзисторы §1. Полевые транзисторы с управляющим переходом.
- •§2. Статические характеристики полевого транзистора с управляющимp-n-переходом.
- •§3. Полевые транзисторы с изолированным затвором.
- •2.4. Тиристоры (vs)
- •§ 1. Принцип действия.
- •§ 2. Математический анализ работы тиристора (не нужно).
- •§ 3. Вольт – амперная характеристика тиристора.
- •§ 4. Типы тиристоров.
- •§ 5. Особенности работы и параметры тиристоров.
- •2.5. Оптоэлектронные полупроводниковые приоры. Полупроводниковые излучатели
- •Фотоприемники (общие сведения)
- •Фоторезисторы
- •Фотодиоды
- •Фотоэлементы
- •Фототранзисторы
- •Фототиристоры
- •Оптроны
- •2.6. Интегральные микросхемы
- •Раздел 3. Усилители §1. Анализ процесса усиления электрических сигналов
- •§2. Работа уэ с нагрузкой. Динамические х-ки.
- •Нагруз. Линии у и их построение.
- •Сквозная характеристика у на биполярномVt.
- •Общие сведения.
- •Классификация у.
- •§4 Основные параметры и характеристики усилителей.
- •§5 Обратная связь в усилителях.
- •Режимы работы уэ.
- •Раздел 4. Операционные усилители Общие сведения
- •Инвертирующий усилитель
- •Интегратор
- •Содержание
§ 4. Сверхвысокочастотные диоды.
Диоды СВЧ предназначены для работы в диапазонах сантиметровых и миллиметровых волн (108…109Гц).
Такие диоды делятся на:
— смесительные, используемые в супергетеродинных радиолокационных приемниках в качестве нелинейного элемента;
— видеодетекторные, предназначенные для детектирования СВЧ сигнала;
— параметрические, применяемые в параметрических усилителях СВЧ;
— переключающие, служащие для электронного переключения цепей СВЧ;
— умножительные, используемые для умножения частоты путем получения высших гармоник исходной частоты за счет нелинейности диода;
Диоды СВЧ изготовляют из полупроводников с малым удельным сопротивлением (с большой концентрацией примеси в базе), и они имеют точечный p-n-переход очень малых размеров. Этим достигается быстрая рекомбинация носителей заряда в базе и малая емкость перехода.
Пробивное напряжение у СВЧ диодов составляет единицы В. Из-за очень малой площади перехода максимально допустимый Iпр.также мал (15…20 мА).
В связи с этим в настоящее время в качестве переключательных СВЧ диодов большое применение находят диоды с PIN–структурой.
Рассмотрим работу диода с PIN- структурой. В них междуp- иn- областями расположена область полупроводника с собственной проводимостью.
Без внешнего напряжения в данной структуре образуются два перехода:PIиIN(рис.7). При одинаковой концентрации примесей вp- иn- областях в момент образования структуры дырки изp-области, а свободные электроны изn-области начнут примерно в равном количестве диффундировать вi-область. При этом последняя не будет приобретать избыточных зарядов, а вp- иn- областях будут выступать собственно не скомпенсированные отрицательные заряды атомов акцепторной примеси и положительные заряды атомов донорной примеси. Этот процесс будет продолжаться до тех пор, покаIдиф.в каждом переходе не уменьшится до значения встречногоIтепл., образованного не основными носителями заряда, и в переходах наступит динамическое равновесие. Т.о. потенциальные барьеры в переходах образуются за счет выступивших зарядов с одной стороны каждого перехода.
Если к p-области приложить положительное внешнее напряжение, а кn-области отрицательное внешнее напряжение, то потенциальные барьеры понизятся и в каждом переходе возрастетIдиф.. Диффундирующие навстречу друг другу дырки изp- области и свободные электроны изn-области будут рекомбинировать между собой вi-области. Через структуру в целом будет протекатьIдиф.. Следовательно, данное включение диода является прямым.
При обратном включении (отрицательный – к p-области, положительный – к
n-области ) потенциальные барьеры повысятся иIдиф.станет равно нулю. Через диод будет протекать небольшой тепловой ток.
Как видно, PIN-диоды, как и диодыcp-n-переходом, обладает односторонней проводимостью. Но уPIN-диода малая Сбар., т.к. заряды противоположного знака (обкладки конденсатора) разделены областьюi. Таким образом, удалось получить плоскостной диод, способный пропускать достаточно большие токи и в то же время имеющий малую емкость, позволяющую применять его на СВЧ.
В качестве СВЧ VDшироко применяются также диоды Шотки.