4. Требования к отчету о лабораторной работе.

Отчет должен содержать следующее.

1. Краткий конспект описания лабораторной работы, содержащий основные определения и аналитические зависимости, используемыми при проведении лабораторной работы; методика определения времени жизни, блок-схемой макета измерительной установки (у каждого студента).

2. Протокол измерений (один на бригаду), состоящий из следующих пунктов.

• Параметры импульсов напряжения на выходе генератора: амплитуда U_имп [В], длительность  [мкс] и период T.

• Вид осциллограммы импульсов напряжения U=f(t).

• Рукописную таблицу результатов измерений (таблицу 1).

• График зависимости lnU=f(t) и результаты расчета диффузионной длины и времени жизни неосновных носителей, проведенного в Exel, отпечатанные на принтере.

6. Требования техники безопасности

При выполнении настоящей лабораторной работы существует опасность поражения электрическим током. Для предупреждения поражения электрическим током необходимо соблюдать при работе «Инструкцию № 26-09 по охране труда при .выполнении работ на электроприборах, электроустановках в помещениях кафедры КФН».

Контрольные вопросы

1. Дайте определения следующих понятий: генерация: рекомбинация, захват, избыточная концентрация; неравновесная концентрация; низкий, высокий, средний уровень инжекции; время жизни.

2. Уравнение непрерывности, время жизни.

3. Каким образом устанавливается электронейтральность в полупроводниках? Максвелловское время релаксации.

4. Перечислить и пояснить механизмы рекомбинации носителей заряда в полупроводниках.

5. При каком положении уровня ловушек время жизни максимально?

6. В каких полупроводниках преобладает рекомбинация через ловушки а в каких - прямая рекомбинация?

7. При каких условиях времена жизни электронов и дырок равны?

8. Как зависит время жизни при рекомбинации через ловушки от концентрации легирующей примеси?

9. Как зависит время жизни от уровня инжекции?

10. Как зависит время жизни при рекомбинации через ловушки от температуры?

11. Теория рекомбинации Шокли-Рида-Холла.

12. Как определяется время жизни неосновных носителей заряда в полупроводнике при условии существования параллельно нескольких механизмов рекомбинации?

13. Измерение времени жизни неосновных носителей заряда методом модуляции проводимости точечного контакта.

14. Методика измерения времени жизни. Блок-схема макета установки для определения времени жизни методом модуляции проводимости точечного контакта.

Литература Основная литература.

1. К.В.Шалимова. Физика полупроводников. 4-е изд., «Лань», Москва, 2010.

2. Гуртов В. А., Осауленко Р. Н., Физика твердого тела для инженеров, Москва: «Техносфера», 2007.

3. А. И. Ансельм. Введение в теорию полупроводников. «Лань», Санкт-Петербург, 2008.

Дополнительная литература.

1. Г.И.Епифанов. Физические основы микроэлектроники. «Советское радио», М., 1971.

2. Специальный практикум по полупроводникам и полупроводниковым приборам. Под редакцией проф. К.В.Шалимовой, Государственное энергетическое издательство, Москва, Ленинград, 1962.

3. В.Л.Бонч-Бруевич, С.Г.Калашников. Физика полупроводников. Москва, «Наука», 1977.