3 Схемы исследования

Схемы для снятия характеристик биполярного транзистора собирается на универсальной панели, на которой имеется разъем для подключения исследуемого транзистора, а также другие радиодетали, некоторые из них используются в данной работе. Схема собирается при помощи проводов со штекерами, которые вставляются в соответствующие гнезда.

Принципиальная схема для транзистора структуры p-n-pв схеме исследования ОБ приведена на рисунке 5.1. Так как на входе схемы желательно иметь источник тока, то к регулируемому источнику напряженияG₁последовательно подключается резисторR. Для питания коллекторной цепи используется регулируемый источник напряженияG₂.

Рис. 5.1. Схема исследования БТ структуры p-n-pс общей базой

Приборы PV1 иPA1 используются для измерения входных напряжения и тока соответственно, а приборыPV2 иPA2 для выходных.

Для исследования транзистора структуры n-p-nследует поменять полярности источников питания.

Рис. 5.2. Схема исследования БТ структуры n-p-ncобщим эмиттером

Принципиальная схема для транзистора структуры n-p-nпри исследовании с ОЭ приведена на рисунке 5.2. Назначение приборов такое же как и в предыдущей схеме. При исследовании транзистора со структуройp-n-pследует поменять полярности источников питания.

4 Задание к работе в лаборатории

4.1. Собрать схему для снятия характеристик транзистора при включении его по схеме с ОБ (рисунок 5.1). Обратите внимание на структуру транзистора и правильность подключения источников питания и измерительных приборов.

4.2. Снять две входные характеристики транзистора I_Э=f(U_ЭБ) приU_КБ=0 иU_КБ= (0,2-0,5)U_{КБ МАКС}. Первую характеристику снимать до напряжения, при которомI_Э=0,5I_{К МАКС}, вторую - до таких значений, при которых выполняется условие Р_К=U_КБ*I_К<P_{K МАКС}. Результаты измерений занести в таблицу 1. Пример заполнения таблицы приведен ниже.

Таблица 1. I_Э=f(U_ЭБ)U_КБ=const

	UЭБ,В	0-0,1	0,2	0,3	0,4
UКБ= 0 В	IЭ,	0				IЭ=0,5IЭ МАКС
UКБ=5 В	мА

4.3. Снять три выходные характеристики транзистора I_К=f(U_КБ). Первую дляI_Э1=0, вторую дляI_Э2=(0,2-0,4)·I_{K МАКС} и третью дляI_Э3=2·I_Э2. При снятии характеристик не превышать предельно допустимые параметрыU_{КБ МАКС},I_{К МАКС}, P_{К МАКС}. Результаты измерений занести в таблицу 2. Пример таблицы дан ниже.

Таблица 2. I_К=f(U_КБ)I_Э=const

	UКБ, В	0	1	2	5	10	15
IЭ 1= 0	IК, мкА
IЭ=5 мА	IК,
IЭ=10 мА	мА

Примечание: при исследовании выходных характеристик обратите внимание на пределы измерения рА2 (мкА или мА) для различных значений входного токаI_Э.

4.4. Собрать схему для снятия характеристик транзистора при включении его по схеме с ОЭ (рисунок 5.2).

4.5. Снять две входные характеристики I_Б=f(U_БЭ); одну приU_КЭ=0, вторую приU_КЭ=(0,2-0,4)U_{КЭ МАКС} . Входное напряжение при этом менять до такой величины, при которой электрические параметры транзистора не превышают максимально допустимых значений.

Результаты измерений занести в таблицу 3, которая аналогична таблице 1.

4.6. Снять семейство из 7-8 выходных характеристик I_К=f(U_КЭ) при токах базы, указанных на типовых характеристиках в справочнике, включаяI_Б=0. Особое внимание обратить на участок характеристик в режиме насыщения, т.е.U_КЭ=0 - 1 В. Результаты измерений заносятся в таблицу 4. Пример таблицы приведен ниже.Особое внимание обратить на то, чтобы Р_Кне превышало 0,75Р_{К МАКС}.

Таблица 4. I_К=f(U_КЭ)I_Б=const

	UКЭ,В	0,1	0,2	0,5	1	2	5	7	10
IБ1=0 мкА	IК,мкА
IБ2
IБ3
IБ4
IБ5	IК, мА
IБ6
IБ7
IБ8