6 Указания к составлению отчета

6.1. Привести схемы исследования и таблицы с результатами измерений.

6.2. Построить на зависимости Н_21Б/Н_21Б0=F(f) иН_21Э/ Н_21Э0=F(f). Определить предельные частоты для различных схем включения транзистора. Сравнить их со справочными значениями.

3. На графике № 2 построить зависимости Н_11Б и Н_11Эот частоты.

4. На графике № 3 построить зависимости =(f).

5. Сделать выводы об изменении измеренных параметров при увеличении частоты.

Ктн, доц. Валерий Леонидович Савиных,

Ктн, доц. Фадеева Наталья Евгеньевна,

Ассистент Шилай ЭльвираНиколаевна

Физические основы электроники.

Методические указания

к лабораторным работам.

Редактор С.В. Калинин

Корректор Д.С. Шкитина

Лицензия №020475, январь 1998 г. Подписано в печать

Формат бумаги 62 х 84 1/16

Бумага писчая №1. Уч. изд. л. Тираж 500 экз.

Заказ №

СибГУТИ, 630102, г. Новосибирск, ул. Кирова, 86.

36