4 Схемы исследования

На рисунке 3.1 приведена схема для снятия статических характеристик полевого транзистора. Полярность источников питания и приборов соответствует типовому включению ПТ с p-nпереходом и каналом р-типа.

Рис. 3.1. Схема для исследования статических характеристик ПТ

Ко входу ПТ (участок затвор-исток) прикладывается управляющее напряжение U_ЗИот регулируемого источника напряженияG₁. К выходу ПТ (участок сток-исток) прикладывается напряжениеU_CИот регулируемого источника постоянного напряженияG2 .

В работе необходимо экспериментально определить напряжение отсечки U_{ЗИ ОТС}и снять передаточную характеристикуI_С =F(U_ЗИ) приU_CИ=-10B. Затем необходимо снять семейство выходных характеристикI_С=F(U_СИ) приU_{ЗИ 1}=0,U_{ЗИ 2}=0,25U_{ЗИ ОТС} иU_{ЗИ 3}= 0,5U_{ЗИ ОТС}.

На рисунке 3.2 приведена схема для исследования зависимости сопротивления канала транзистора R_СИдля омической области выходных характеристик от управляющего напряжения затвор-истокR_СИ=F(U_ЗИ).

Риc. 3.2. Схема для исследования зависимостиR_СИот управляющего напряженияU_ЗИ.

Для исследования предварительно устанавливают напряжение генератора переменного тока G3U_Г =100 мВ на частотеf= 1000 Гц.

Затем снимается зависимость U_ВЫХ=U_СИ=F(U_ЗИ). ЗначениеU_ЗИ изменяется в пределах от 0 доU_{ЗИ ОТС}. ВычислениеR_СИдля каждого значенияU_СИпроизводится следующим образом:

R_СИ=U_СИ/I_С;I_С=(U_Г-U_СИ)/R;R_СИ=U_СИR/ (U_Г-U_СИ). (1)

R=5,1 кОм.

5 Задание к работе в лаборатории

1. Записать паспортные данные исследуемого транзистора и зарисовать схему расположения выводов.

2. Собрать схему, представленную на рис. 3.1. Определить экспериментально напряжение отсечки ПТ. Напряжение U_{3И ОТС}(как условно принято на заводах-изготовителях маломощных транзисторов), соответствует определенному току стока, например, равному 10мкА для ПТ типа КП103, КП305.

3. Снять передаточную характеристику I_C=F(U_3И) приU_CИ=-10В.

При снятии характеристики задавать 5-6 значений управляющего напряжения U_3И, в том числеU_3И=0 иU_3И=U_{3И ОТС}. Результаты измерений занести в таблицу 1.

Таблица 1. I_C=F(U_3И)U_CИ=const

КП 103 И, UСИ= ... В
UЗИ, В	0						UЗИ ОТС
IС , мА

По результатам измерений построить передаточную характеристику.

4. Снять стоковые характеристики транзистора при трех значениях напряжения на затворе U_ЗИ, в том числе приU_{ЗИ 1}= 0,U_{ЗИ 2} 0,25U_{ЗИ ОТС}иU_{ЗИ 3}0,5U_{ЗИ ОТС}.Напряжение на стоке не превышать0,75U_{СИ МАКС}имощность рассеиванияна стоке 0,75P_{С МАКС}. Результаты измерений внести в таблицу 2. По результатам измерений построить семейство стоковых характеристик.

Таблица 2. I_C=F(U_СИ)U_ЗИ=const

КП 103 И, UСИ МАКС=... В,IС МАКС=... мА,PС МАКС=... мВт.
	UСИ,В	0
UЗИ= 0 В
UЗИ= 0,25UЗИ ОТС	IС, мА
UЗИ=0,5UЗИ ОТС

5.5 Собрать схему, представленную на рисунке 3.2. Установить частоту генератора F=1кГц и выходное напряжениеU_Г=100 мВ. Приложить между затвором и истоком ПТ постоянное запирающее напряжение, превышающееU_{3U ОТС}. При этом практически всё напряжениеU_Гприкладывается к участку сток-исток ПТ (R_{СИ ЗАКР}>>R). Установить показания вольтметраpV_ равным 100 мВ. Затем устанавливаются 5...6 значений напряженияU_ЗИв пределах от 0 доU_{ЗИ ОТС}и измеряют соответствующие им значения переменного напряженияU_ВЫХна канале ПТ с помощью вольтметраpV _~. Результаты измерений занести в таблицу 3. Сопротивление каналаR_СИопределяют расчетным путем по формуле (1).

Таблица 3. R_СИ=F(U_ЗИ)U_СИ=const

UЗИ,В	0							UЗИ ОТС
UВЫХ, мВ
RСИ, Ом