- •Физические основы электроники
- •1 Исследование статических характеристик и параметров полупроводниковых диодов
- •3 Литература
- •4 Схема исследования
- •2 Исследование влияния температуры
- •5Содержание отчета
- •3 Исследование статических характеристик и параметров полевых транзисторов с управляющим
- •1 Цель работы
- •2 Подготовка к работе
- •3 Транзисторы, исследуемые в работе
- •4 Схемы исследования
- •5 Задание к работе в лаборатории
- •6 Указания к составлению отчета
- •4 Исследование статических характеристик и параметров мдп полевых транзисторов
- •1 Цель работы
- •2 Подготовка к работе
- •3 Транзисторы, исследуемые в работе
- •4 Схемы исследования
- •5 Задание к работе в лаборатории
- •6 Указания к составлению отчета
- •5 Исследование статических характеристик биполярного транзистора
- •2 Подготовка к работе
- •3 Схемы исследования
- •4 Задание к работе в лаборатории
- •5Содержание отчета
- •6 Исследование частотных свойств транзисторов
- •1 Цель работы
- •2 Подготовка к работе
- •3 Предельно-допустимые параметры исследуемого транзистора
- •4 Схема исследования
- •5 Указания к работе в лаборатории
- •6 Указания к составлению отчета
- •Физические основы электроники.
6 Указания к составлению отчета
Отчет должен содержать:
Паспортные данные и схему расположения выводов исследуемого транзистора.
Схемы исследований транзистора.
График передаточной характеристики.
Семейство выходных характеристик.
График зависимости сопротивления канала от управляющего напряжения.
По передаточной характеристике определить основные статические параметры ПТ: IC0(соответствующееUЗИ=0),UЗИ ОТС,S. Значение крутизны определить по формуле:
UСИ=const.
Сравнить полученное значение параметра Sс паспортным значениемSПТ данного типа.
6.7 Учитывая взаимосвязь параметров ПТ, в соответствии с которой крутизна ПТ в пологой области выходных характеристик при одинаковых напряжениях на затворе связана с RСИ в омической области соотношением
RСИ= 1/S. Используя это соотношение, определитьRСИприUЗИ=0.
Сравнить полученное значение сопротивленияRСИс определенным экспериментально в п.5.5 приUЗИ=0.
4 Исследование статических характеристик и параметров мдп полевых транзисторов
1 Цель работы
Изучить принцип действия, характеристики и параметры полевых МДП транзисторов.
В работе снимаются характеристики прямой передачи (сток -затворные) и выходные (стоковые) характеристики, а также определяются основные параметры транзистора.
2 Подготовка к работе
2.1 Изучить следующие вопросы курса:
Устройство, назначение, принцип действия ПТ различных структур.
Статические характеристики и параметры режима МДП ПТ.
Дифференциальные параметры ПТ их измерение и определение по характеристикам.
2.2 Ответить на следующие контрольные вопросы:
Объяснить устройство полевых транзисторов с индуцированным и встроенным каналами.
Нарисовать обозначение полевых транзисторов разных типов и структур.
Объяснить принцип действия полевых транзисторов с индуцированным и встроенным каналами.
Изобразить и объяснить вид передаточных и выходных характеристик
Объяснить определение дифференциальных параметров по статическим характеристикам ПТ.
Нарисовать схемы для исследования статических характеристик полевых транзисторов различных типов с каналом типа «p» и «n».
Дать определение предельным эксплуатационным параметрам ПТ.
Пояснить влияние температуры на работу ПТ, его статические характеристики и параметры.
Литература
Игнатов А.Н. и др. Основы электроники: Учебное пособие /СибГУТИ.-Новосибирск, 2005. Стр.48-59
Бобровский Ю. Л. И др. Под редакцией Федорова Н.Д. Электронные, квантовые приборы и микроэлектроника. -М: Радио и связь, 1998. Стр.146-156, Н166-176, 184-185.
Дулин В.Н. и др. Под редакцией Шишкина Г.Г. Электронные приборы. -М.: Энергоатомиздат, 1989. Стр. 205-224, 235-245 (выборочно).
Батушев В. А. Электронные приборы. -М.: Высшая школа, 1980. Стр. 183-211 (выборочно).
Дулин В. Н. Электронные приборы. -М.: Энергия, 1977. Стр. 342-357 (выборочно).
Конспект лекций.
3 Транзисторы, исследуемые в работе
В лабораторном макете предусмотрена возможность исследования полевых транзисторов любого типа и структуры. Конкретный тип исследуемого прибора указывает преподаватель.
Для заданного преподавателем типа ПТ пользуясь справочником, выписать предельно-допустимые значения IС МАКС,UСИ МАКС,UЗИ МАКС,PС МАКС. Привести рисунок внешнего вида ПТ с указанием выводов.
При установке в макет МДП транзисторов следует соблюдать меры предосторожности с целью исключения пробоя участка затвор-канал статическими зарядами электричества. Для этого перед монтажом выводы транзистора вблизи корпуса закорачивают специальной перемычкой.
После сборки схемы перемычку убирают.