- •Глава 9. Керамические конденсаторные материалы и технология производства керамических
- •9.1. Сегнетоэлектрические вещества
- •Характеристики некоторых сегнетоэлектриков со структурой перовскита
- •Примеры соединений сложного состава со структурой перовскита
- •Примеры сегнетоэлектриков со слоистой перовскитоподобной структурой
- •9.1.1. Понятие об антисегнетоэлектриках
- •Антисегнетоэлектрики кислородно-октаэдрического типа
- •9.1.2. Сегнетоэлектрики с размытым фазовым переходом
- •9.2. Классификация керамических конденсаторных материалов и общие принципы их получения
- •9.2.1. Керамические материалы для конденсаторов первого типа – высокочастотная конденсаторная керамика
- •9.2.2. Основные физико-химические принципы получения высокочастотной конденсаторной керамики
- •9.2.3. Высокочастотные керамические конденсаторные материалы
- •Характеристики различных модификаций ТiO2 и некоторых титанатов
- •Электрические свойства барийлантаноидных тетратитанатов
- •9.2.4. Керамические материалы для конденсаторов второго типа – конденсаторная сегнетокерамика
- •9.2.5. Материалы с максимальной диэлектрической проницаемостью
- •Относительное изменение реверсивной диэлектрической проницаемости для некоторых керамических материалов с максимальной при различных напряженностях постоянного электрического поля
- •Фундаментальные физические характеристики некоторых индивидуальных сегнетоэлектриков (данные для монокристаллов)
- •Упругость паров оксида свинца при различных температурах
- •9.2.6. Материалы с повышенной стабильностью диэлектрической проницаемости
- •Относительное изменение реверсивной диэлектрической проницаемости для некоторых стабильных сегнетокерамических материалов при различных напряженностях постоянного электрического поля
- •9.3. Керамические конденсаторы
- •Диэлектрические потери в электродах монолитных конденсаторов
- •Глава 10. Химия и технология позисторной
- •10.2. Применение керамических терморезисторов с положительным температурным коэффициентом сопротивления
- •Электрические параметры терморезисторов
- •10.3. Получение титаната бария
- •10.4. Формирование полупроводниковых свойств титаната бария
- •10.5. Позисторный эффект
- •Сопротивления образцов позисторной керамики
- •10.6. Особенности технологии позисторной керамики
Глава 10. Химия и технология позисторной
КЕРАМИКИ (лекции 18-19)
10.1. Назначение и принцип действия позисторов
Терморезисторы с положительным температурным коэффициентом сопротивления – позисторы обладают аномальной температурной зависимостью удельного сопротивления и спецификой вольт-амперной характеристики (ВАХ), которые во многом определяют сферу применения позисторов. В соответствии с указанными характеристиками и сферой применения позисторы можно разделить на две большие группы:
температура и режим работы позисторов определяются током, протекающим через него (режим больших нагрузок), в этом случае применение позисторов основано на использовании их ВАХ;
сопротивление и режим работы позисторов определяются, в основном, температурой окружающей среды (режим малых нагрузок), в этом случае применение позисторов основано на температурной зависимости их удельного сопротивления.
Позисторы первой группы широко используются в качестве нагревательных элементов саморегулирующихся термостатов, обеспечивая высокую точность поддержания температуры. Для нагревательных элементов необходимы материалы с широким диапазоном значений удельного сопротивления и температур переключения, а также с высокой электрической прочностью при высоких рабочих температурах и напряжениях питания. К этой группе можно отнести позисторы, используемые в качестве термотоковых переключателей многократного действия для защиты электроаппаратуры от перегрева и короткого замыкания в цепи.
Позисторы второй группы применяются, в основном, для дистанционного измерения и регулирования температуры. В этом случае важно отсутствие саморазогрева и варисторного эффекта (резкая зависимость сопротивления в параэлектрической области от приложенного напряжения).
По виду температурной кривой позисторы делятся на два типа – с плавным изменением R(T) в довольно широком (50…+100°С) интервале температур и с резким скачком R(T) в сравнительно узком (несколько десятков градусов) температурном диапазоне. Материалы с плавным изменением R(T) используются в температурных датчиках, в схемах стабилизации температуры и в регуляторах мощности. Керамика с резким ростом R(T) применяется преимущественно в датчиках температурной сигнализации, в бесконтактных реле для защиты от перегрева.
Конкретные области применений позисторной керамики определяются также статическими (зависимость силы тока от напряжения) и динамическими (зависимость силы тока от времени) ее характеристиками. Позисторы с плавным изменением R(T) (кривая 1 на рис. 148) или комбинация последовательно соединенного постоянного сопротивления и позистора с резким скачком R(T) имеют ВАХ насыщенного типа, что используется при проектировании схем стабилизации напряжения и тока. Позисторы с резким ростом R(T) (кривая 2), имеющие ВАХ спадающего типа, применяются в нагревателях, термостатах, схемах защиты от токовых перегрузок, уровнемерах и прочее. Вольт-амперные характеристики позистора свидетельствуют об ограничении тока в нем в области рабочих напряжений. Учет динамических характеристик позисторной керамики необходим при разработке устройств временной задержки.
|
Рис. 148. Температурная зависимость сопротивления позисторной керамики: 1 – плавного типа; 2 – экстремального типа |
При изготовлении позисторов электроды делают вжиганием серебра с обычными металлами. При этом образуется омический контакт с полупроводниковым титанатом бария, который определяет форму, размеры и нужные температурные характеристики позистора. Затем присоединяют теплоотводящие пластины и делают выводы. Кроме того, с внешней стороны вся конструкция покрывается нагревостойкой изоляционной смолой или помещается в защитный корпус. На рис. 149 показана принципиальная конструкция позистора, а на рис. 150 и другие виды позисторов.
Рис. 149. Конструкция позистора: 1 – корпус; 2 – электроды; 3 – полупроводник на основе титаната бария; 4 – пайка; 5 – выводной провод |
|
Рис. 150. Конструкции позисторов и их основные параметры а – сотовые; б – гармонь; в – трубчатые |