- •Глава 9. Керамические конденсаторные материалы и технология производства керамических
- •9.1. Сегнетоэлектрические вещества
- •Характеристики некоторых сегнетоэлектриков со структурой перовскита
- •Примеры соединений сложного состава со структурой перовскита
- •Примеры сегнетоэлектриков со слоистой перовскитоподобной структурой
- •9.1.1. Понятие об антисегнетоэлектриках
- •Антисегнетоэлектрики кислородно-октаэдрического типа
- •9.1.2. Сегнетоэлектрики с размытым фазовым переходом
- •9.2. Классификация керамических конденсаторных материалов и общие принципы их получения
- •9.2.1. Керамические материалы для конденсаторов первого типа – высокочастотная конденсаторная керамика
- •9.2.2. Основные физико-химические принципы получения высокочастотной конденсаторной керамики
- •9.2.3. Высокочастотные керамические конденсаторные материалы
- •Характеристики различных модификаций ТiO2 и некоторых титанатов
- •Электрические свойства барийлантаноидных тетратитанатов
- •9.2.4. Керамические материалы для конденсаторов второго типа – конденсаторная сегнетокерамика
- •9.2.5. Материалы с максимальной диэлектрической проницаемостью
- •Относительное изменение реверсивной диэлектрической проницаемости для некоторых керамических материалов с максимальной при различных напряженностях постоянного электрического поля
- •Фундаментальные физические характеристики некоторых индивидуальных сегнетоэлектриков (данные для монокристаллов)
- •Упругость паров оксида свинца при различных температурах
- •9.2.6. Материалы с повышенной стабильностью диэлектрической проницаемости
- •Относительное изменение реверсивной диэлектрической проницаемости для некоторых стабильных сегнетокерамических материалов при различных напряженностях постоянного электрического поля
- •9.3. Керамические конденсаторы
- •Диэлектрические потери в электродах монолитных конденсаторов
- •Глава 10. Химия и технология позисторной
- •10.2. Применение керамических терморезисторов с положительным температурным коэффициентом сопротивления
- •Электрические параметры терморезисторов
- •10.3. Получение титаната бария
- •10.4. Формирование полупроводниковых свойств титаната бария
- •10.5. Позисторный эффект
- •Сопротивления образцов позисторной керамики
- •10.6. Особенности технологии позисторной керамики
Фундаментальные физические характеристики некоторых индивидуальных сегнетоэлектриков (данные для монокристаллов)
Химическая формула |
Постоянная Кюри-Вейсса, оС |
Тс, оС |
Спонтанная поляризация, Кл/м2, при 20оС |
при Тс |
Структура |
BaTiO3 |
1,54105 |
133 |
0,16 |
10 000 |
Перовскит |
KNbO3 |
2,68105 |
430 |
0,26 |
4 500 |
Перовскит |
PbTiO3 |
4,1105 |
500 |
0,75 |
10 000 |
Перовскит |
PbNb2O6 |
2,95105 |
570 |
– |
24 000 |
Калиево-вольфрамовая бронза |
Ниже описаны свойства нескольких систем свинецсодержащих перовскитов – основ материалов с максимальной диэлектрической проницаемостью.
Системы на основе магнониобата свинца. Магнониобат свинца РbМg1/3Nb2/3O3 является типичным сегнетоэлектриком с размытым фазовым переходом. При смешивании с другими соединениями со структурой перовскита легко образуются твердые растворы. Наиболее интересны твердые растворы РbMg1/3Nb2/3O3–РbТiO3 (рис. 133, а–в).
|
б в а
Рис. 133. Температурные зависимости (а), tg (б) и концентрационная зависимость положения точки Кюри (в) в системе РbМg1/3Nb2/3О3–РbTiO3, f = 1000 Гц; цифры на кривых соответствуют содержанию РbТiO3 в мол. % |
Повысить диэлектрическую проницаемость при комнатной температуре и улучшить размытие кривой (Т) можно, вводя в псевдобинарную систему добавки третьего компонента.
На рис. 134 а, б показаны зависимости Тс и от концентрации добавок, вводимых в исходный твердый раствор 0,9РbМg1/3Nb2/3О3–0,1РbТiO3. Лучшими свойствами для конденсаторных применений обладают материалы, содержащие от 4 до 5 мол. % РbTiO3. Среди добавок, вводимых в твердый раствор, наибольший эффект дает РbМg1/2W1/2O3. На основании этой системы получен материал СМHТ с ~ 20 000. Известны и другие материалы с аналогичными свойствами.
Рис. 134. Влияние третьего компонента, вводимого в керамику Рb[(Мg1/3Nb2/3)0,9]О3, на диэлектрическую проницаемость в максимуме m (а) и температуру точки Кюри (б) при f = 1000 Гц: 1 – РbFe1/2W1/2О3; 2 – РbNi1/2Nb2/3O3; 3 – РbМg1/2W1/2О3; 4 – NaNbО3 |
Системы на основе феррониобата свинца. Феррониобат свинца РbFе1/2Nb1/2O3 имеет точку Кюри при температуре 110°С и неразмытый фазовый переход. В этом отношении он близок к титанату бария. Для получения конденсаторных материалов к феррониобату свинца добавляют соединения, понижающие точку Кюри.
На рис. 135 представлены зависимости температуры точки Кюри и параметра элементарной ячейки твердых растворов в системе РbFе1/2Nb1/2O3 – РbFе2/3W1/3О3 от концентрации компонентов, на которых видно наличие излома при содержании феррониобата 40–50 мол. %.
Это свидетельствует о морфотропном переходе между кубическим РbFе2/3W1/3О3 и ромбоэдрическим искаженным РbFе1/2Nb1/2O3.
а б |
Рис. 135. Зависимость температуры Кюри (а) и параметра решетки (б) от концентрации компонентов в системе РbFe1/2Nb1/2О3–РbFe2/3W1/3О3 |
В соответствии с теоретическими представлениями диэлектрическая проницаемость составов на морфотропной фазовой границе максимальна и достигает 20 000. На основе этой системы разработан конденсаторный материал с низкой температурой cпекания.
Приведенными примерами не исчерпывается перечень систем свинецсодержащих соединений, перспективных для получения керамики с максимальной диэлектрической проницаемостью. Имеются сведения, в частности, о материалах на основе систем РbТiO3–РbМg1/3Nb2/3O3–РbNi1/3Nb2/3O3, РbМg1/2W1/2O3–РbNi1/3Nb2/3O3–РbТiO3, РbMg1/3Nb2/3O3–РbСа1/2W1/2O3–РbТiO3 и др.
Общие свойства свинецсодержащей керамики с точкой Кюри вблизи комнатной температуры принципиально не отличаются от свойств материалов на основе ВаТiO3. Следует остановиться на частотных характеристиках свинецсодержащих материалов. Многим из них, в особенности материалам на основе магнониобата свинца, присуща релаксационная поляризация, связанная с размытым характером фазового перехода. Керамика на основе феррониобата свинца, несмотря на размытый фазовый переход, не показывает зависимостей и tg от частоты в диапазоне 103–106 Гц.
Особенности технологии свинецсодержащих материалов. Технология приготовления свинецсодержащих материалов и обжига заготовок конденсаторов из них имеет ряд особенностей по сравнению с общей схемой технологии конденсаторной керамики. К ним относится прежде всего специфика синтеза основ материалов и обжига заготовок, вызванная высокотемпературным испарением оксида свинца. Данные о значениях упругости паров оксида свинца приведены в табл. 24.
Видно, что оксид свинца при температуре выше 750°С интенсивно испаряется, вследствие чего нарушается стехиометрия синтезированной шихты или керамики в готовом изделии.
Таблица 24