- •Глава 9. Керамические конденсаторные материалы и технология производства керамических
- •9.1. Сегнетоэлектрические вещества
- •Характеристики некоторых сегнетоэлектриков со структурой перовскита
- •Примеры соединений сложного состава со структурой перовскита
- •Примеры сегнетоэлектриков со слоистой перовскитоподобной структурой
- •9.1.1. Понятие об антисегнетоэлектриках
- •Антисегнетоэлектрики кислородно-октаэдрического типа
- •9.1.2. Сегнетоэлектрики с размытым фазовым переходом
- •9.2. Классификация керамических конденсаторных материалов и общие принципы их получения
- •9.2.1. Керамические материалы для конденсаторов первого типа – высокочастотная конденсаторная керамика
- •9.2.2. Основные физико-химические принципы получения высокочастотной конденсаторной керамики
- •9.2.3. Высокочастотные керамические конденсаторные материалы
- •Характеристики различных модификаций ТiO2 и некоторых титанатов
- •Электрические свойства барийлантаноидных тетратитанатов
- •9.2.4. Керамические материалы для конденсаторов второго типа – конденсаторная сегнетокерамика
- •9.2.5. Материалы с максимальной диэлектрической проницаемостью
- •Относительное изменение реверсивной диэлектрической проницаемости для некоторых керамических материалов с максимальной при различных напряженностях постоянного электрического поля
- •Фундаментальные физические характеристики некоторых индивидуальных сегнетоэлектриков (данные для монокристаллов)
- •Упругость паров оксида свинца при различных температурах
- •9.2.6. Материалы с повышенной стабильностью диэлектрической проницаемости
- •Относительное изменение реверсивной диэлектрической проницаемости для некоторых стабильных сегнетокерамических материалов при различных напряженностях постоянного электрического поля
- •9.3. Керамические конденсаторы
- •Диэлектрические потери в электродах монолитных конденсаторов
- •Глава 10. Химия и технология позисторной
- •10.2. Применение керамических терморезисторов с положительным температурным коэффициентом сопротивления
- •Электрические параметры терморезисторов
- •10.3. Получение титаната бария
- •10.4. Формирование полупроводниковых свойств титаната бария
- •10.5. Позисторный эффект
- •Сопротивления образцов позисторной керамики
- •10.6. Особенности технологии позисторной керамики
Глава 9. Керамические конденсаторные материалы и технология производства керамических
КОНДЕНСАТОРОВ (лекции 15-17)
9.1. Сегнетоэлектрические вещества
Среди многочисленных сегнетоэлектриков нас интересуют такие вещества, которые могут быть основой керамических материалов, т. е. разнообразные оксидные соединения, относящиеся к сегнетоэлектрикам типа смещения. Можно сформулировать определенные требования к составу и структуре веществ, в которых может возникнуть спонтанная поляризация.
К ним относятся:
– высокая поляризуемость ионов и высокий их заряд;
– структура кристаллической решетки, допускающая смещение ионов из положения равновесия в одном направлении в различных элементарных ячейках;
– высокие внутренние поля, т. е. высокий фактор Лоренца;
– отрицательный температурный коэффициент диэлектрической проницаемости в параэлектрической фазе.
Этим требованиям во многом удовлетворяют соединения со структурами типа рутила, перовскита и родственных им, основным мотивом которых является наличие кислородных октаэдров, соединенных друг с другом. Такие вещества называются соединениями кислородно-октаэдрического типа.
Сегнетоэлектриками кислородно-октаэдрического типа предпочтительно являются вещества, структура которых содержит цепочки кислородных октаэдров, соединенных между собой вершинами. В центре кислородных октаэдров находятся катионы со структурой электронных оболочек благородного газа после отдачи валентных s и d-электронов. Вне октаэдров расположены высокополяризуемые катионы, т. е. катионы с большим ионным радиусом. Катионы в центре октаэдров: Тi4+, Zr4+, Нf4+, V5+, Nb5+, Та5+, Мо6+, W6+, Rе7+. Неоктаэдрические катионы: Ва2+, Sr2+, Рb2+, Вi3+, K+, Nа+ и некоторые другие. Этот критерий не является абсолютным, однако он охватывает практически все наиболее интересные для техники соединения.
Рассмотрим основные структурные семейства кислородно-октаэдрических сегнетоэлектриков. Наиболее распространены сегнетоэлектрики кислородно-октаэдрического типа со структурой перовскита, в которой кристаллизуются оксидные сегнетоэлектрики с общей формулой АВО3 (рис. 98, 99). Структура представляет собой цепочки октаэдров ВO6, соединенные между собой вершинами, которые вытянуты во всех трех главных кристаллографических направлениях. В этих направлениях может устанавливаться спонтанная поляризация. В промежутках между октаэдрами (в кубооктаэдрах) расположены катионы А с большим ионным радиусом.
Размеры ионов, составляющих решетку перовскита, должны удовлетворять геометрическому критерию (так называемому толеранц-фактору):
|
(95) |
где RА, RВ и RО – радиусы ионов А, В и кислорода соответственно. Это соотношение легко получить из рассмотрения соотношений размеров стороны куба и диагонали его грани при условии плотнейшей упаковки ионов. Практически t1 – 0,8, а t2 – 1,03.
|
Рис. 98. Элементарная ячейка титаната бария и ее деформация при фазовых переходах в тетрагональную (1), ромбическую (2), ромбоэдрическую (3) фазу |
– ион А – ион B – ион O |
Рис. 99. Структурный тип перовскита
|
В табл. 16 приведены свойства некоторых сегнетоэлектриков со структурой перовскита. Большое значение для практики имеют соединения сложного состава со структурой перовскита, в которых места в октаэдрических и кубооктаэдрических положениях заняты ионами разного сорта.
Такие соединения имеют общую формулу:
(А1, А2, ... Аn)(В1, В2, ... Вn)O3. |
(96) |
Таблица 16