36. Защитное стекло.

Для поглощения медленных (тепловых) нейтронов служат стекла, в составе которых необходимо иметь один из следующих окислов: кадмия, бо¬ра. гадолиния, лития, индия. Существуют стёкла следующих видов:

1)Стекло для поглощения нейтронов состава (вес. %): CdO-63,8; B2O3-31,1; TiO2 -2; ZгО2 -3,1] имеет плотность 4,63 Г/см3 а его линейный коэффициент погло¬щения нейтронов с энергией 0,025 эв равен 32,9 см-1.

2)Стекла, поглощающие гамма-лучи, состоят в основном из окислов элементов с высоким атомным номером [например стекло состава (вес. %): PbO -82,6; SiO2-15,2; TiO2 -2,6; Na20- 2,2], имеет плотность 6,36 Г/см3

3)Стекла сопряженного действия для поглощения нейтронов и гамма-лучей [на¬пример. стекло состава (вес. %); PbO -54,2; CdO -31.2; B2O3-14,6]. имеет плот¬ность 6.26 Г/смз.

4)Теплопоглошающие стекла применяются для остекления зданий и транспорта в случае необходимости защиты от чрезмерного нагревания. Стекло состава (вес. %): SiO2 -69,1; FeaО - 0.38; Al2O3- 0,4; TiO2 - 0.02; СаО -11,5;MgO – 0.1; Na2O3 -10,1

37.Стеклосмазка. Область ее применения.

Стекла специальных составов используют в качестве смазки при горячем прессовании (выдавливании в производстве труб и проката из сплавов титана, молибдена, ванадия, циркония, хрома, никеля и жаростойких стекол). Стеклосмазка снижает расход энергии при прессовании, волочении и прокатке, увеличивает срок службы оборудования и его производительность. Стеклосмазка позволяет осуществ¬лять защиту металла от окисления и сильно уменьшает трение в процессах деформации.

38. Сверхтвердые материалы.

К сверхтвердым материалам (СТМ) относятся четыре вещества: кубический ал¬маз; гексагональный алмаз или лонсдейлит; кубическая и вюрцитоподобная модифика¬ции нитрида бора. По объему научных исследований и использования в технике алмаз значительно опережает другие СТМ.

Широкое распространение в промышленности алмаз получил, прежде всего, из- за своей твердости. Это обусловило его применение в буровой технике, в камнеобработке, при обработке высокотвердых материалов, в лезвийном и абразивном инстру¬ментах. Высокая цена природных алмазов вызвала необходимость разработки техноло¬гии синтеза этого минерала. Производство сверхтвердых материалов является одной из наиболее динамично развивающихся отраслей промышленности в мире. Алмазы обладают уникальными прочностными и физическими свойствами и не имеют альтернативы для таких отрас¬лей промышленности, как машиностроение, стройиндустрия, приборостроение, элек¬троника. горнодобывающая и геологоразведочная.

Предприятия алмазной промышленности в стране в 1990 т. синтезировали около 245 млн. карат алмазных порошков, из которых 215 млн. карат пошло на алмазный ин¬струмент (в том числе около 16 млн. карат природных алмазов). Более 45 млн. карат синтетических порошков было продано на экспорт. Основную долю (до 95 %) состав¬ляют высокоабразивные низкопрочные порошки марок АС2 - АС6, которые в основ ном используются для изготовления абразивного инструмента на органических связках. Россия закупает большое количество высокопрочных алмазных порошков и инстру¬мента на их основе для камнеобработки.

Ведущими производителями синтетических алмазов в мире являются фирмы: «Дженерал Электрик» (США); «Де Бирс» (международная компания). По номенклатуре промышленные синтетические алмазы можно разделить на группы:

режущие алмазы типа SDA (классификация «Де Бирс») для производства камнеобрабатывающего инструмента;

-шлифпорошки типа «металбонд» (АС32 АС80);

-шлиф-порошки типа «резинбонд» (АС2 - АС20);

- микро- и субмикропорошки;

- поликристаллы и композиты, и том числе двухслойные «алмаз - твердый сплав»;

-крупные монокристаллы алмазов (до 10 карат);

-моно- и поликристаллические алмазные и алмазоподобные пленки.

В последние годы приоритетное направление получают исследования, направ¬ленные на использование оптических свойств синтетическою алмаза уникальной теп¬лопроводности и. в особенности, полупроводниковых свойств легированных алмазов. По своей значимости и эффективности переход от кремниевой и германиевой полу- проводниковой техники к алмазной сравним с переходом от ламповой электроники к полупроводниковой.