Добавил:
Upload Опубликованный материал нарушает ваши авторские права? Сообщите нам.
Вуз: Предмет: Файл:
2011_пособие_ЛЭТИ_FINAL.doc
Скачиваний:
158
Добавлен:
17.11.2019
Размер:
9.45 Mб
Скачать

Заключение

Представленный в издании материал может стать основой для получения новых знаний и дальнейшего развития навыков в области проектирования и расчета узлов электронно-медицинской техники, в том числе и лабораторной. Изложенные сведения по электрохимической лабораторной технике являются введением в обширную сферу аналитического приборостроения. Предложенный способ интерпретации усилительных каскадов на основе модели делителя напряжения должен стать базой для понимания принципов функционирования усилительных каскадов, с учетом их важнейших параметров и характеристик. Методика расчета однокаскадных усилительных звеньев может с успехом применяться при разработке многокаскадных усилителей. Необходимо отметить, что программы схемотехнического моделирования оказывают значительную помощь при проектировании и расчете узлов электронно-медицинской техники и повышают скорость и эффективность разработки.

Список сокращений

БПТ – биполярный транзистор;

Д – дополнительное преобразование;

ИВЛ – искусственная вентиляция легких;

ИНУН – источник напряжения, управляемый напряжением;

ИНУТ – источник напряжения, управляемый током;

ИСЭ – ионо-селективный электрод;

ИТУН – источник тока, управляемый напряжением;

ИТУТ – источник тока, управляемый током;

К – комплементарное преобразование;

КДЛ – клинико-диагностическая лаборатория;

КЗ – короткое замыкание;

КОС – кислотно-основное состояние;

КЭ – коллектор–эмиттер;

ЛПУ – лечебно-профилактическое учреждение;

О – обратное преобразование;

ОУ – операционный усилитель;

ПФ – передаточная функция;

ХХ – холостой ход;

Micro-Cap – MC

Список обозначений

β – коэффициент усиления по току БПТ;

IБ (Ib) – базовый ток;

IК (Ic) – коллекторный ток;

K1(p) – исходная передаточная функция;

K2(p) – преобразованная передаточная функция;

n – нуллатор;

N – норатор;

p – комплексная частота;

RКЭ (Rce) – сопротивлением перехода КЭ;

tТ – температура транзистора;

UКЭ (Uce) – напряжение перехода КЭ;

UБЭ (Ube) – напряжение перехода БЭ;

Список литературы

Электроника и микропроцессорная техника. Ред. Лачин В. И. Ростов-дон, 2007, 576с.

Волович Г. И. Схемотехника аналоговых и аналогово-цифровых электронных устройств., М. 2005, 528с.

Бойко В. И. и др. Схемотехника электронных систем. Аналоговые и импульсные устройства СПб, 2004, 496с.

Белов А. В., Сергеев Т. В. Проектирование узлов электронно-медицинской аппаратуры с помощью пакета ECAD MicroCap8: Учеб. пособие. СПб.: Изд-во СПбГЭТУ «ЛЭТИ», 2008.

Стешенко В. Б. EDA. Практика автоматизированного проектирования радиоэлектронных устройств. М.: «Нолидж», 2002

Карлащук В.И. Электронная лаборатория на IBM PC. Программа Electronics Workbench и ее применение. М.: Солон-Р, 2001. 726 с

Амелина М. А., Амелин С. А. Программа схемотехнического моделирования Micro-CAP8. М.: Горячая линия-Телеком, 2007. 464 с.

Белов А. В. Анализ и реализация методами микроэлектроники активных RC фильтров с управляемыми параметрами. Диссертация на соискание ученой степени к.т.н. ЛЭТИ, Л.1976. 178.

Соседние файлы в предмете [НЕСОРТИРОВАННОЕ]