28.Электростатическая дефектоскопия.

Основана на использовании электростатического поля, электромагнита или постоянного магнита, в который помещен исследуемый объект. Для обнаружения поверхностных трещин в изделиях из неэлектропроводимых материалов, а также из металлов, покрытых диэлектрическими материалами.

Объект покрывается тонким слоем порошка мела пульверизатор с диэлектрическим наконечником. Проходя через наконечник ,порошок наэлектризовывается электрическим зарядом, электростатическое поле имеет отрицательный потенциал.

При наличии дефекта порошок скапливается у краев макро- и микро - трещин, раковин и волосовин. Концентрация порошка и форма пятна определяют наличие поверхностных дефектов.

29.Радиационные методы.

Под радиационными методами понимают виды неразрушающего контроля, основанные на регистрации и анализе проникающего ионизационного излучения после взаимодействия потока радиоактивных частиц с контролируемым объектом.

Результаты контроля определяются природными и свойствами используемого ионизирующего излучения, физических и химических характеристик контролируемых изделий типом и свойством детектора генерирующего радиоактивное излучение.

Эти методы предназначены для обнаружения микрохимических нарушений сплошности материала контроля контролируемых объектов, возникающих при их изготовлении.

Эти методы классифицируются на следующие группы:

-метод электронной микроскопии. Он основан на взаимодействии электронов от 0,5 до 50 кэВ.

При взаимодействии электронов со структурой исследуемого объекта генерирует поток ионизирующего излучения, который пропорционален вводимой энергии потоком электронов.

30.Просвечивающая электронная микроскопия.

Основана на поглощении дефектами структуры материала пучка электронов. При этом, если плотность дефекта выше плотности основного материала, поглощение электронов будет интенсивнее, если в виде дефектов существуют раковины или пустотелые полости, энергия электронов будет меньше и значит количество ионов, генерируемые электронами также будет меньше.

Измерительный сигнал регистрируется фотопленкой люминесцентным экраном. Чем больше энергия ионов, тем не менее, зона дефекта на пленке и ярче зона дефекта на экране.

31.Неразрушающий кон-ль поверх-тного слоя изделий

Деф-ты пов-тного слоя: коррозия, повреждения, мех-ие повреждения, диффузионные пр-сы, приводящие к изменению структуры пов-ти, хим состава, электронной структуры, плотности пов-ти и тд. К неразрушающим м-дам, основанным на электронном, фотонном, фотоэл-ом эф-тах применяются след разновидности: 1) дифракция медленных электронов. В основе расщепление пучков электронов или их соединение из-за противофазовых доменных границ при воздт-ие пучков электронов; 2) м-д дифракции отраженных быстрых электронов применяется для анализа наличия внутр коррозии за счет изменения дифракционной картины концентрации электронов; 3) рентгеновская фотоэлектронная спектроскопия, основанная на проникновение пучка фотонов в пов-тный слой и регистрация потока эл-нов, выходящего из пов-тного слоя; 4) электронная оже-спектроскопия, основанная на выделение э-гии в виде фотона из пов-тного слоя при его ионизации атомами радиоактивных эл-тов; 5) уф-я фотоэл-ная спектроскопия основана на появл фотонов при воздт-е уз излучения на структуру пов-тного слоя м-ла; 6) десорбционная спектроскопия основана на выделение частиц из пов-тного слоя.