2)Методы визуализации узв классифицируются на:

Фотографический – он состоит в явлении воздействия энергии ультразвуковой волны на фотослой бумаги или пластинку предварительно засвеченной и помещённой в контейнер с проявителем. Контейнер устанавливают на пути распространения УЗВ, прошедших через объект. Там где энергия волны выше на фотопластинке появляются более тёмные зоны, и если энергия волны меньше зоны более светлые.

Тепловой - он заключается в том, что УЗВ попадая на экран, покрытый флуоресцентным фосфором, передают энергию частицам покрытия, чем больше уровень энергии поглощенный фосфором, тем интенсивнее свечение в данной зоне экрана, и чем меньше уровень поглощенной энергии, тем менее интенсивно свечение в зоне

Химический - в основе этого метода лежит интенсификация химических реакций 2-х или 3-х компонентных смесей под действием энергии УЗВ, прошедших через исследуемый объект и направленных на пластинку, покрытую растворами в виде желейной массы. Воздействие УЗВ вызывает изменение цвета данного раствора, при слабой энергии УЗВ окраска в зоне дефекта менее яркая. При высоком уровне энергии окраска более яркая.

Оптикомеханический метод (Эффект Пульмана) – он заключается в том, что УЗВ, проходя через контейнер заполненной жидкостью с высокой вязкостью, на поверхности которой находится алюминиевый порошок, формирует зону с высокой концентрацией порошка или с низкой концентрацией. Это зависит от уровня энергии УЗВ, больше энергии - концентрация ниже, меньше – выше.

Электронный метод – основан на эффекте Соколова. Эффект Соколова состоит в следующем: пучок УЗВ проходя через исследуемый объект попадает на пластинку из сегнетоэлектрика. При механическом воздействии УЗВ в пластине возникает пьезоэлектрический эффект. За счет термоэлектронной эмиссии на катоде формируется электронное облако первичных электронов. С помощью фокусирующей электромагнитной линзы формируется поток первичных электронов и направляется на пластину сегнетоэлектрика. Подготовленная за счет пьезоэлектрического эффекта пластина инициирует поток вторичных электронов интенсивность этого потока будет зависеть от величины зарядов на поверхности сегнетоэлектрика. Величина поверхностных зарядов будет определяться уровнем энергии УЗВ попавшей от генератора излучения. Чем больше уровень энергии, тем выше плотность зарядов. За счёт сканирующей системы поток вторичных электронов попадает на экран. Интенсивность свечения экрана определяется уровнем энергии вторичных электронов, снятых с поверхности сегнетоэлектрика. Этот метод применяется при медицинских исследованиях и условиях, когда доступ к объекту свободен.

3) мех в немех

Резестивный, индуктивный, взаимоиндуктивный, емкостный, темзорезестивный, ПНперехода, магнитоупругий, пьезоэлектрический

Билет № 19

1)Пьезоэлектрический эффект

Он возникает в кристаллических диэлектриках в структурах которых имеются свободные частицы ориентированные в объёме кристалла в произвольном направлении. Эти кристаллы наз-ются сегнетоэлектриками. При воздействии внешних сосредоточенных и распределенных усилий кристаллах свободные частицы начинают ориентироваться по направлению нормальных напряжений от действующих усилий. За счет ориентации магнитных моментов этих частиц на противоположных сторонах сегнетоэлектриков накапливаются электрические заряды образующие разность потенциалов, величина пьезо ЭДС прямопропорциональна величине действующих усилий. Для повышения информативности преобразователи собирают из нескольких кристаллических элементов. Тогда ε_z=∑ε_i