- •1.Особенности радиоконструкций аиус
- •2.Требования к конструкциям аиус
- •3.Элементная база и поколения
- •5.Виды конструкций интегральных схем (ис), используемых в аиус.Полупроводниковая ис, пленочная ис, гибридная интегральная схема (гис)(определения).
- •6.Элемент, компонент ис. Микросборка, микроблок (определения).
- •7.Возможности реализации резисторов и конденсаторов, транзисторов и диодов в полупроводниковом и пленочном исполнении. (?!?!)
- •8.Тонкопленочные и толстопленочные гис. Характеристики, области использования.
- •9.Методы изготовления тонкопленочных и толстопленочных гис.
- •10.Подложки гис. Требования, материалы.
- •11., 13 Проводники и контактные площадки тонкопленочных гис.
- •12. Пасты толстопленочных гис. Последовательность нанесения слоев.
- •14. Тонкопленочные резисторы. Основные характеристики. Коэффициент формы. Возможные формы резисторов.
- •17.Полная относительная погрешность изготовления тонкопленочного резистора.
- •18. Последовательность расчета тонкопленочного резистора.
- •20.Тонкопленочные и толстопленочные конденсаторы. Форма, материалы. Расчет конденсатора.
- •21. Компоненты гис. Бескорпусные полупроводниковые приборы. Виды выводов.
- •22.Компоненты гис. Навесные конденсаторы, используемые в гис. Формы, характеристики, группы по температурному коэффициенту емкости (тке).
- •23.Выбор размеров подложки.
- •24.Размещение компонентов на плате. Операции крепления на подложке и присоединения компонентов к контактным площадкам.
- •25.Корпуса гис. Операции при размещении гис в корпусе.
- •26. Конструкторская документация гис. Особенности оформления чертежа «Плата».
- •27. Конструкторская документация гис. Особенности оформления чертежа «Плата. Сборочный чертеж».
25.Корпуса гис. Операции при размещении гис в корпусе.
При размещении пленочных элементов руководствуются следующими правилами; 1) пленочные элементы должны по возможности равномерно размещаться по площади платы; 2) соединения между элементами схемы, а также элементов с контактными площадками должны быть наикратчайшими; 3) минимально допустимые расстояния между соседними пленочными элементами составляют не менее 100 мкм для фотолитографического способа изготовления и не менее 300 мкм для масочного метода; 4) соединительные проводники, контактные площадки должны располагаться на расстоянии не менее 200 мкм от краев подложки для фотолитографического способа изготовления и не менее 500 мкм для масочного метода; резисторы и обкладки конденсаторов – не менее чем на 700...1000 мкм для обоих способов изготовления; 5) Перекрытия для совмещения пленочных элементов, расположенных в разных слоях, должны быть удалены не менее чем на 100 мкм для фотолитографического способа изготовления и не менее 200 мкм для масочного; 6) места на подложке, отводимые под объемные элементы, должны быть свободными от пленочных элементов; 7) количество пересечений соединительных проводников должно быть сведено к минимуму.
КОРПУС!!!! Готовая плата помещается в корпус. Плата ЭРЭ крепится на монтажную площадку корпуса путем клиения. закрытие конструкции крышко. После закрытия роделываются отверстия в крышке, выкачивается воздух и заполняется инертным газом. Отверстия запаиваются. на этом кнструирование гис выполнено
26. Конструкторская документация гис. Особенности оформления чертежа «Плата».
Чертеж, определяющий взаимное расположение всех ЭЛЕМЕНТОВ микросхемы и их соединение на плате (подложке) согласно схеме электрической принципиальной с учетом технологии изготовления называется топологическим. Как правило на нескольких листах. На первом – плата со всеми слоями, на последующих – кажлый отдельный слой. Делается таблица слоев и требования к изготовлению подложки.?!?
На этом этапе решают задачу оптимального размещения на плате пленочных элементов, навесных компонентов и соединений между ними, а также между внешними контактными площадками на подложке и выводами корпуса. Эскиз выполняют на миллиметровой бумаге в масштабе 10:1 или 20:1. Масштаб выбирают исходя из удобства работы, наглядности и точности. Эскиз топологии ГИС выполняют совмещенным для всех слоев. При размещении пленочных элементов руководствуются следующими правилами; 1) пленочные элементы должны по возможности равномерно размещаться по площади платы; 2) соединения между элементами схемы, а также элементов с контактными площадками должны быть наикратчайшими; 3) минимально допустимые расстояния между соседними пленочными элементами составляют не менее 100 мкм для фотолитографического способа изготовления и не менее 300 мкм для масочного метода; 4) соединительные проводники, контактные площадки должны располагаться на расстоянии не менее 200 мкм от краев подложки для фотолитографического способа изготовления и не менее 500 мкм для масочного метода; резисторы и обкладки конденсаторов – не менее чем на 700...1000 мкм для обоих способов изготовления; 5) Перекрытия для совмещения пленочных элементов, расположенных в разных слоях, должны быть удалены не менее чем на 100 мкм для фотолитографического способа изготовления и не менее 200 мкм для масочного; 6) места на подложке, отводимые под объемные элементы, должны быть свободными от пленочных элементов; 7) количество пересечений соединительных проводников должно быть сведено к минимуму.