- •1.Особенности радиоконструкций аиус
- •2.Требования к конструкциям аиус
- •3.Элементная база и поколения
- •5.Виды конструкций интегральных схем (ис), используемых в аиус.Полупроводниковая ис, пленочная ис, гибридная интегральная схема (гис)(определения).
- •6.Элемент, компонент ис. Микросборка, микроблок (определения).
- •7.Возможности реализации резисторов и конденсаторов, транзисторов и диодов в полупроводниковом и пленочном исполнении. (?!?!)
- •8.Тонкопленочные и толстопленочные гис. Характеристики, области использования.
- •9.Методы изготовления тонкопленочных и толстопленочных гис.
- •10.Подложки гис. Требования, материалы.
- •11., 13 Проводники и контактные площадки тонкопленочных гис.
- •12. Пасты толстопленочных гис. Последовательность нанесения слоев.
- •14. Тонкопленочные резисторы. Основные характеристики. Коэффициент формы. Возможные формы резисторов.
- •17.Полная относительная погрешность изготовления тонкопленочного резистора.
- •18. Последовательность расчета тонкопленочного резистора.
- •20.Тонкопленочные и толстопленочные конденсаторы. Форма, материалы. Расчет конденсатора.
- •21. Компоненты гис. Бескорпусные полупроводниковые приборы. Виды выводов.
- •22.Компоненты гис. Навесные конденсаторы, используемые в гис. Формы, характеристики, группы по температурному коэффициенту емкости (тке).
- •23.Выбор размеров подложки.
- •24.Размещение компонентов на плате. Операции крепления на подложке и присоединения компонентов к контактным площадкам.
- •25.Корпуса гис. Операции при размещении гис в корпусе.
- •26. Конструкторская документация гис. Особенности оформления чертежа «Плата».
- •27. Конструкторская документация гис. Особенности оформления чертежа «Плата. Сборочный чертеж».
20.Тонкопленочные и толстопленочные конденсаторы. Форма, материалы. Расчет конденсатора.
Толстопленочные конденсаторы:
Конструктивный расчет толстопленочного конденсатора заключается в определении его формы, геометрических размеров и площади, занимаемой конденсатором на подложке. Обычно толстопленочные конденсаторы выполняются в виде трехслойной структуры (см. рис. 7а).
Исходные данные для расчета:
- емкости конденсаторов C1, C2, … Cn, пФ ;
- рабочие напряжения Uраб;
- относительная погрешность изготовления конденсаторов C,;
- технологические ограничения (табл. 3, 11).
1) Материал диэлектрика с соответствующим значением емкости С0 (табл. 12) выбрать, исходя из диапазона номинальных значений емкостей конденсаторов, с учетом технологических ограничений Smin 1 мм² и размеров площади подложки.
2) Площадь верхней обкладки конденсатора
S = С/C0
Полученная площадь должна удовлетворять технологическим ограничениям S>Smin (табл. 3, 11).
3) Геометрические размеры верхней обкладки конденсатора. Если предположить, что форма конденсатора - квадрат, то Lo = Bo =
4) Геометрические размеры нижней обкладки конденсатора Lн = Bн = L0 + 2е
где е - перекрытие между нижней и верхней обкладками (табл. 3).
5) Геометрические размеры диэлектрика LД = BД = Lн + 2е
где е – перекрытие между нижней обкладкой к диэлектриков (табл. 3),
6) Площадь, занимаемая конденсатором не плате Sс = LД BД
Тонкопленочные Топологический расчет пленочного конденсатора заключается в определении его формы, геометрических размеров и площади, занимаемой конденсатором на подложке.
Исходные данные для расчета:
- номиналы конденсаторов C1, C2, … Cn, пФ, нФ;
- допустимое отклонение емкости конденсатора от номинала C,;
- рабочее напряжение Uраб;
- технологические ограничения.
Емкость тонкопленочных конденсаторов определяется площадью перекрытия его обкладок (или площадью верхней обкладки).
На рис.7а,б приведена конструкция трехслойного конденсатора с площадью верхней обкладки S 5 мм² .
Предпочтительной формой обкладок является квадрат (рис. 46). При активной площади пленочного конденсатора от I до 5 мм обкладки конденсатора можно выполнять в виде двух взаимно пересекающихся полосок (рис. 7в).
Чтобы конденсатор занимал как можно меньшую площадь, нужно выбирать материал с возможно более высокими диэлектрической проницаемостью, электрической прочностью, а также малыми значениями ТКЕ и tg.
1) Выбрать материал диэлектрика по рабочему напряжению (табл.7).
2) Минимальная толщина диэлектрика из условия электрической dmin = Kз Uраб/Eпр
где Кз - коэффициент запаса электрической прочности, для пленочных конденсаторов Кз =2…3;
Uраб - рабочее напряжение, В;
Eпр - электрическая прочность материала диэлектрика, В/мм.
Толщина диэлектрика должна быть в пределах 0,1...1 мкм, в противном случае следует выбирать другой материал диэлектрика.
3) Удельная емкость конденсатора исходя из условия электрической прочности, пФ/см², С0v = 0,0885/d; здесь d измеряется в сантиметрах.
4) Минимальная удельная емкость конденсатора с учетом электрической прочности С0 С0v
5) Коэффициент, учитывающий краевой эффект, К= 1 при С/C0 5 мм2 К = (1,3…0,6)С/C0 при 1 С/C0 5 мм2
6) Площадь верхней обкладки S = С/(C0K)
Если площадь перекрытия обкладок меньше 1 мм2, необходимо взять другой диэлектрик с меньшим значением С0, или увеличить толщину диэлектрика d в возможных пределах, или выбрать навесной конденсатор. Если площадь перекрытия обкладок больше 200 мм2, требуется взять другой диэлектрик с большим значением
С0, либо уменьшить толщину диэлектрика d в возможных пределах, либо использовать навесной конденсатор.
7) Размеры верхней обкладки конденсатора:
для обкладок квадратной формы L= B =
8) Размеры нижней обкладки определяются с учетом минимально допустимого расстояния между краями верхней и нижней обкладок конденсатора и между краем диэлектрика и нижней обкладкой конденсатора (е = 0,2 мм): Lн = Bн = L + 2е
9) Размеры диэлектрика LД = BД = Lн + 2е
10) Площадь, занимаемая конденсатором на подложке, Sк = LкBк
Наилучшим материалом для обкладок конденсатора является алюминий, имеющий малое поверхностное сопротивление 0,2 Ом/. Минимальная допустимая площадь перекрытия обкладок конденсаторов 0,50,5 мм² , а максимальное отклонение емкости конденсатора от номинального значения 12% для всех способов изготовления.