21. Компоненты гис. Бескорпусные полупроводниковые приборы. Виды выводов.

Навесными элементами в микроэлектронике называют миниатюрные, обычно бескорпусные диоды и транзисторы, представляющие собой самостоятельные элементы. Иногда в гибридных ИС навесными могут быть и некоторые пассивные элементы, например, миниатюрные конденсаторы с такой большой емкостью, что их невозможно осуществить в виде пленок. Это могут быть и миниатюрные трансформаторы. В некоторых случаях в гибридных ИС навесными являются целые полупроводниковые ИС. Проводники от транзистора или от других навесных элементов присоединяются к соответствующим точкам схемы чаше всего методом термокомпрессии (провод при высокой температуре прижимается под большим давлением).

Выводы разделяют на жесткие шариковые или столбиковые (малые габариты, возможность автоматизации процессов сборки, импульсная высокоточная сварка) и гибкие.

22.Компоненты гис. Навесные конденсаторы, используемые в гис. Формы, характеристики, группы по температурному коэффициенту емкости (тке).

Иногда в гибридных ИС навесными могут быть и некоторые пассивные элементы, например, миниатюрные конденсаторы с такой большой емкостью, что их невозможно осуществить в виде пленок. Они выбираются из справочника необходимой емкости и Uраб. Очень важно выбирать конденсатор из соображений его группы по ТКЕ. ТКЕ(температурный коэффициент емкости)- относительное обратимое отклонение емкости конденсатора при изменении температуры на 1 градус Цельсия.

Существует несколько видов:

Н (ненормированные)

П(в плюс) увеличивается емкость с изменением температуры (например П120 значит что альфа цэ (темп. коэфф)=+120*10^-6 (1/градус))

М(минус)

МПО (+- 1%) практически не имеет отклонения

Отклонение емкости в температурном диапазоне Т норм=20 градусов.

23.Выбор размеров подложки.

После расчета пассивных элементов подсчитывается общая площадь подложки: Sобщ = K(SR +Sc +SK +Sнк)

Где К - коэффициент запаса по площади, определяемый количеством элементов в схеме, их типом и сложностью связи между ними; для ориентировочных расчетов можно принять К = 2...3;

SR +Sc +SK – площади, занимаемые всеми резисторами, кон­денсаторами, контактными площадками;

Sнк - суммарная площадь навесных компонентов, занимающих площадь на плате.

Для определения числа контактных площадок целесообразно на основе заданной принципиальной схемы составить коммутационную схему. Коммутационная схема (КС) представляет собой преобразован­ную принципиальную электрическую схему, на которой не изобража­ются навесные элементы, а их выводы показываются контактными площадками. При создании КС намечают порядок расположения пле­ночных элементов и навесных компонентов.

После вычисления ориентировочной площади платы выбирают согласно табл. 8 ее типоразмер.

24.Размещение компонентов на плате. Операции крепления на подложке и присоединения компонентов к контактным площадкам.

операции монтажа:

- клеение платы ко дну корпуса; (ВК9)

- клеение навесных компонентов (как правило к радиатору), пайка или сварка (шариковые выводы) выводов и т.п.; ПОС61, ПОСК60-18 итд

- операции соединения контактных площадок ГИС с выводами корпуса (пайка, сварка), в качестве соединительных проводников используется проволока марки ММ 0,1 мм;

- сварка, пайка крышки с корпусом, герметизация места со­единения клеем, компаундом и т.п.