10.Подложки гис. Требования, материалы.

Подложки 1)Должны иметь минимальную шереховатость 2)Используют керамику и сетал 3)Перед нанесением тщательная очистка: а)кипечение в растворе перекиси водорода,амиака и дисцилированной воды в течение 20 минут б)промывка в дист воде(Н20) в)кипечение в дист воде г)сушка в парах спирта д) при 200 градусах цельсия в вакууме

11., 13 Проводники и контактные площадки тонкопленочных гис.

Проводники обеспечивают соединение пленочных элементов и навесных компонентов.

Контактные площадки предназначены под монтаж выводов ГИС, под монтаж ЭРЭ (навесных транзисторов, диодов..). Контрольные КП необходимы для контроля параметров схемы, технологические КП – для контроля адгезии.

Требования и материалы проводников и КП ГИС

Хорошая адгезия подложки

Высокая электрическая проводимость

Высокая коррозионная стойкость и химическая

Технологичность материала.

Проводники и КП тонкопленочных ГИС являются двух-трехслойными структурами.

1слой – подслой (Хром, нихром),толщина 100-500А=10-50 нм

2 слой – основной (проводящий) Р(ро)s меньше или равно 0.1 ом на квадрат

D=50-100 нм

3 слой – защитный (Au, Ag, Ni) D=50-1000 нм

Ширина проводников bmin=0.05 мм

Контактные площадки под выводы ГИС 1х1 мм

Выводы – медная проволока макри ММ диаметра 0.1 мм

Контактные площадки под выводы компонентов 0.5х0.5мм

КП под шариковые-столбиковые выводы – 0.15х0.15 мм

Для тонкопленочных схем минимально допустимые расстояния между проводниками а=0.5мм

Для толстопленочных ГИС bmin=0.1мм P(ро)s=0.05 ом на квадрат. Проводники выполняются из проводящих паст

Аmin=0,3мм(в одном слое), Аmin=0,4мм(в разных слоях)

Для межслойной изоляции ПД1 С=160 пФ на сантиметр квадрытный, КП под гибкие выводы (0.5х0.5мм)

12. Пасты толстопленочных гис. Последовательность нанесения слоев.

Все пасты на 2/3 состоят из основного материала, который определяет их характеристики, и на треть из растворителей и органических веществ для вязкости. Проводящие и резистивные из золота, серебра, платины, индия, осмия, сплавов, многокомпонентных составов. Для резисторов рутений и сплавы с ним, для диэлектриков керамику, межслойную изоляцию делают с использованием стекла

Последовательность слоев при производстве толстопленочных ГИС следует выбирать такой, чтобы каждая последующая операция имела более низкую температуру вжигания сравнению с пре­дыдущей.

После очистки и отжига платы на нее наносят и вжигают пооче­редно проводящие, диэлектрические и резистивные пасты:

проводники и контактные площадки, нижние обкладки кон­денсаторов - при

t =750...800°С;

2) формирование слоя диэлектрика (конденсаторы)и изоляции в местах пересечения проводников - при t =700...750°C;

3) проводящие элементы на слой диэлектрика (верхние об­кладки конденсаторов к пленочные перемычки)- при t =700...720°С;

4) защитный слой диэлектрика - при t =620...650°С;

5) формирование резисторов (максимальное число резистивных слоев, выполненных из пест с различным удельным сопротивлением квадрата резистивной пленки, равно 3) - при t =600. ..650°С.

Необходимо стремиться к разработке конструкции с минималь­ным количеством слоев. Разработка последовательности слоев за­канчивается составлением таблицы слоев.