1.Особенности радиоконструкций аиус

К радиоэлектронной аппаратуре относят класс изделий радиоэлектроники, вычислительной техники, которые позволяют выполнить преобразование информации, представленной в виде электромагнитных сигналов.

Процесс проектирования предусматривает этапы:

Техническое предложение

Эскизный проект (варианты эл. Базы, алгоритм функционирования…)

Технический проект (оконч. Эл. База, чертежи структурной (функциональные узлы), функциональной (физ. процессы), принципиальной (элементы в виде уго))

Рабочее проектирование (рабочие чертежи, позволяющие изготовить схему)

РЭА требуют объема, отвода тепла, электромагнитной совместимости, работу в условиях помех.

2.Требования к конструкциям аиус

Большой температурный диапазон

Большие скорости перемещения объектов носителей

Несколько вариантов алгоритмов работы

Устойчивая работа в условиях помех

Обеспечение тепловых режимов

Надежность конструкции

Снижение стоимости

Снижение трудоемкости в производстве

3.Элементная база и поколения

Эл. База – совокупность ЭРЭ из которых формируется данная конструкция

1 поколение – электр. Лампы, соединения объемным проводом (0.03-0.04 элемента на кубический сантиметр)

2 поколение – транзисторы, диоды в корпусах, дискр. Конденсаторы, резисторы, соединения – печатные электрические (1-2 элемента на сантиметр кубический)

3 поколение – интегральные схемы, степень интеграции растет. Эл. Соединения – печатные платы.

4 поколение – бескорпусные резисторы конденсаторы интегральные мс, на диэлектрической основе, соединения пленочные.

5.Виды конструкций интегральных схем (ис), используемых в аиус.Полупроводниковая ис, пленочная ис, гибридная интегральная схема (гис)(определения).

Полупроводниковая интегральная микросхема - интегральная микросхема, все элементы и межэлементные соединения которой выполнены в объеме и на поверхности полупроводника. К недостаткам полупроводниковых интегральных схем следует отнести их чувствительность к перегреву и, особенно, радиации, сложность изготовления пассивных электрорадиоэлементов (ЭРЭ), таких как резисторы, конденсаторы и т.п.

Пленочная интегральная микросхема - интегральная микросхема, все элементы и межэлементные соединения которой выполнены в виде пленок. Частными случаями являются тонкопленочные интегральные микросхемы, пассивные электрорадиоэлементы которых изготовлены в виде совокупности тонких ( менее 1 мкм ) пленок, и толстопленочных – толщиной ( 10…15 мкм). Недостатки пленочных интегральных микросхем относится то, что полупроводниковые резисторы и конденсаторы имеют низкие характеристики, такие так же как и активные ЭРЭ, как транзисторы, диоды и т.п.

Широкое распространение получили гибридные ИС – интегральные схемы, в которых применяются плёночные пассивные элементы и навесные элементы (резисторы, конденсаторы, диоды, оптроны, транзисторы), называемые компонентами ГИС. Электрические связи между элементами и компонентами осуществляются с помощью плёночного или проволочного монтажа.