- •1.Особенности радиоконструкций аиус
- •2.Требования к конструкциям аиус
- •3.Элементная база и поколения
- •5.Виды конструкций интегральных схем (ис), используемых в аиус.Полупроводниковая ис, пленочная ис, гибридная интегральная схема (гис)(определения).
- •6.Элемент, компонент ис. Микросборка, микроблок (определения).
- •7.Возможности реализации резисторов и конденсаторов, транзисторов и диодов в полупроводниковом и пленочном исполнении. (?!?!)
- •8.Тонкопленочные и толстопленочные гис. Характеристики, области использования.
- •9.Методы изготовления тонкопленочных и толстопленочных гис.
- •10.Подложки гис. Требования, материалы.
- •11., 13 Проводники и контактные площадки тонкопленочных гис.
- •12. Пасты толстопленочных гис. Последовательность нанесения слоев.
- •14. Тонкопленочные резисторы. Основные характеристики. Коэффициент формы. Возможные формы резисторов.
- •17.Полная относительная погрешность изготовления тонкопленочного резистора.
- •18. Последовательность расчета тонкопленочного резистора.
- •20.Тонкопленочные и толстопленочные конденсаторы. Форма, материалы. Расчет конденсатора.
- •21. Компоненты гис. Бескорпусные полупроводниковые приборы. Виды выводов.
- •22.Компоненты гис. Навесные конденсаторы, используемые в гис. Формы, характеристики, группы по температурному коэффициенту емкости (тке).
- •23.Выбор размеров подложки.
- •24.Размещение компонентов на плате. Операции крепления на подложке и присоединения компонентов к контактным площадкам.
- •25.Корпуса гис. Операции при размещении гис в корпусе.
- •26. Конструкторская документация гис. Особенности оформления чертежа «Плата».
- •27. Конструкторская документация гис. Особенности оформления чертежа «Плата. Сборочный чертеж».
6.Элемент, компонент ис. Микросборка, микроблок (определения).
Элемент интегральной микросхемы - часть интегральной микросхемы, реализующая функцию какого-либо электрорадиоэлемента, которая выполнена нераздельно от кристалла или подложки и не может быть выделена как самостоятельное изделие с точки зрения требований к испытаниям, приемке, поставке и эксплуатации.
Компонент интегральной микросхемы - часть интегральной микросхемы, реализующая функции какого-либо электрорадиоэлемента, которая может быть выделена как самостоятельное изделие с точки зрения требований к испытаниям, приемке, поставке и эксплуатации
Микросборка - микроэлектронное изделие, выполняющее определенную функцию обработки, хранения и передачи сигнала, проектируемое для конкретной РЭА с целью улучшения показателей ее миниатюризации, состоящее из элементов и компонентов, размещенных на общем конструктивном элементе – подложке или кристалле ( ОСТ 4 ГО.070.210 « Микросборки. Термины и определения»)
Элемент микросборки – ее часть, реализующая функцию какого-либо электро- или другого функционального элемента, которая выполнена нераздельно от кристалла или подложки и не может быть выделена как самостоятельное изделие с точки зрения требований к испытаниям, приемке, поставке и эксплуатации.
Микроблок - это совокупность микросборок , объединенных в едином корпусе и соединенных между собой.
7.Возможности реализации резисторов и конденсаторов, транзисторов и диодов в полупроводниковом и пленочном исполнении. (?!?!)
Проводящие элементы, резисторы, контактные площадки, диэлектрики и межслойная изоляция выполняются в виде тонких или толстых пленок. В качестве компонентов в гибридных микросхемах применяются бескорпусные диоды и диодные матрицы, бескорпусные транзисторы и транзисторные матрицы, корпусные транзисторы и диоды в миниатюрном исполнении, бескорпусные полупроводниковые микросхемы, конденсаторы, трансформаторы с гибкими и жесткими выводами.
Иногда в гибридных ИС навесными могут быть и некоторые пассивные элементы, например, миниатюрные конденсаторы с такой большой емкостью, что их невозможно осуществить в виде пленок. Это могут быть и миниатюрные трансформаторы.
8.Тонкопленочные и толстопленочные гис. Характеристики, области использования.
У толстопленочных ГИС диапазон значений сопротивлений резисторов велик, т.к. для их изготовления используются резистивные пасты с поверхностными сопротивлениями от 5 Ом до 300 Ком на квадрат. У тонкопленочных ГИС диапазон удельных поверхностных сопротивлений от 100 до 20.000 Ом на квадрат, у полупроводниковых значительно меньше. толстопленочные ГИС имеют более высокую надежность, но менее высокую степень интеграции, нежели тонкопленочные.
Пленочные схемы практически непригодны для цифровых устройств, но идеальны для производства аналоговых схем. Тонкопленочные хорошо подходят для СВЧ, а толстопленочные обладают большей предельной мощностью.