- •1. Общая характеристика микроэлектроники .
- •2. Основные направления развития микроэлектроники
- •3. Современная микроэлектроника и перспективы ее развития
- •1.Термическое вакуумноенапыление.
- •3) Метод
- •4) Метод
- •8.Изложите физические основы процесса диффузии
- •9. Опишите законы диффузии
- •Второй закон Фика
- •10. Опишите распределение примеси при диффузии из источника бесконечной мощности
- •11. Приведите пример распределения примеси при диффузии из источника ограниченной мощности
- •12. Перечислите физические основы метода ионного легирования
- •13. Поясните распределение концентрации примесей в ионно-легированных слоях
- •14. Приведите физические основы процессов эпитаксии
- •Механизм формирования слоев
- •Силановый метод
- •4. Методы удаления загрязнений.
- •2. Трудно воспроизводимы глубокие легированные области;
- •3. Сложное оборудование;
- •Силановый метод
- •22. Приведите примеры классификации полупроводниковых имс по конструктивно-технологическому исполнению
- •23. Поясните этапы формирования структуры имс по планарно-эпитаксиальной технологии
- •Транзисторы с барьером Шоттки
- •Имс на мдп структуре
- •26. Объясните сущность метода очистки поверхности полупроводниковых пластин и понятия «технологически чистая поверхность»
- •27. Приведите примеры методов получения тонких пленок в микроэлектронной технологии
- •28. Приведите примеры методов литографии с высоким разрешением
- •29 Билет
- •30 Билет
- •35 Билет
- •36. Поясните структуру имс по epic-технологии
- •37. Проанализируйте последовательность изготовления биполярных имс методом локальной эпитаксии
- •38. Проанализируйте требования, предъявляемые к контактным системам для интегральных микросхем
- •39. Сравните достоинства и недостатки однослойных и многослойных контактных систем
- •40. Поясните методы формирования омических контактов и контактных систем
- •41. Проанализируйте дефекты контактных систем и методы их контроля
- •42. Опишите конструктивно-технологические особенности мдп имс
- •43. Поясните особенности изготовления тонкооксидных р-канальных мдп имс.
- •44.Проанализируйте технологию изготовления структур мдп имс с фиксированными затворами.
- •45.Приведите пример изготовления мдп имс с металлическими затворами с помощью ионной имплантации.
- •46.Проанализируйте технологию изготовления структур кмдп имс.
- •47.Сравните методы улучшения качества мдп имс.
- •48.Приведите пример расчета однородности пленок при напылении.
- •49.Проанализируйте понятия наноэлектроника и нанотехнологии
- •50. Опишите особенности физических процессов в квантово-размерных структурах
- •51. Проанализируйте условия наблюдения квантовых размерных эффектов
- •52. Сравните квантовые нити и квантовые точки
- •53 Проанализируйте физические и технические основы работы растровых электронных микроскопов
- •54.Проанализируйте методы формирование квантовых точек
- •55 Проанализируйте принцип действия атомно-силового микроскопа
46.Проанализируйте технологию изготовления структур кмдп имс.
Вначале исходную пластину кремния n– типа подвергают первичному окислению, затем выполняют фотолитографию «кармана» и двухстадийную диффузию «кармана»p-типа на необходимую глубину (рис. а). После этого фотолитографией и диффузией поочередно формируют области истока и стока: в подложке –p+ – типа, в «кармашке» – n+ типа (рис. б и в).Затем проводят фотолитографию под тонкий окисел (рис. г) по всей пластине, выращивание тонкого слоя окисла (рис. д), фотолитографию контактных окон в слоеSiO2 и металлизацию (рис. е).
47.Сравните методы улучшения качества мдп имс.
АСУ ТП – автоматизация управления технологическими процессами
В применяемых методах параметры МДП структур улучшаются путем тщательной очистки поверхности полупроводниковых пластин перед выращиванием подзатворного оксида, применение технических методов фиксированного затвора с целью уменьшения перекрытия областей истоков и стоков, применение особо чистых веществ для затвора (поликремний вместо алюминия), применение технологии КНС (кремний на сапфире).
48.Приведите пример расчета однородности пленок при напылении.
(Ответ на этот вопрос находится в лекции «Механизмы роста пленок». Я не присутствовал на этой лекции и, несмотря на то, что лекции у меня все есть, я не смог понять что к чему. Гаир, тебе придется самому делать этот билет, или объяснить мне эту тему.)
49.Проанализируйте понятия наноэлектроника и нанотехнологии
Наноэлектроника (НЭ) – это современный, четрвертый этап развития электроники. НЭ (nanoelectronics) – это область науки и техники, занимающаяся созданием, исследованием и применением электронных приборов с нанометровыми размерами элементов. В основе функционирования таких приборов лежат квантовые эффекты.
В области НЭ появилось много новых принципов, методов и материалов, привлекаемых для создания наноэлектронных устройств. В настоящий момент неясно, какие из методов и материалов станут для НЭ базовыми, то есть выведут ее на уровень серийного производства высоконадежных приборов и схем. Итогом конкурентной борьбы между различными направлениями развития НЭ будет выход на первые позиции сравнительно небольшого количества материалов и подходов. Именно такой сценарий развития прошла микроэлектроника, основой которой по настоящее время является полупроводниковая элементная база, а базовым элементом является кремний.
Направление НЭ, основанное на кремниевой интегральной технологии, уже используется в массовом производстве. Однако это направление перспективно лишь для верхнего диапазона наноразмеров (10-100 нм). Для освоения нижнего диапазона (1-10 нм) необходимы принципиально другие подходы. Они могут реализоваться и на полупроводниковых, и на новых материалах. На полупроводниковых материалах удается создавать наноэлементы для обработки и хранения информации, в которых используются особые полупроводниковые структуры (нульмерные, одномерные и двухмерные наноструктуры: квантовые точки, квантовые шнуры и квантовые ямы).
К новым материалам относятся в первую очередь нанотрубки и сложные органические молекулы. Создание отдельных электронных элементов различного схемного назначения на этих материалах успешно реализуется, однако до разработки надежных, экономически привлекательных электронных систем типа ИМС достаточно далеко.
Понятие о нано технологиях примеры реализвции в производстве
К нанотехнологии относят процессы, оперирующие с материала- ми и устройствами, у которых характерные размеры находятся на уровне нанометров - миллиардной доли метра (1 нм = 10-9 м). При- ставка «нано» происходит от греческого слова «нанос» - карлик. Поскольку размеры атомов находятся на уровне 1 нм, можно опреде- лить нанотехнологию как совокупность методов производства из делий с заданной атомарной структурой путем манипулирования ато мами и молекулами. (На отрезке длиной в 1нм можно разместить несколько молекул кислорода). Сегодня нанотехнология,- отрасль производства, ориентированная на получение веществ и устройств с заданной атомной структурой - уже достигла реальных результатов в различных направлениях. Например, уже созданы материалы на основе углерода, которые значительно прочнее стали, но имеют удель- ный вес меньше в 6 раз; разработаны стиральные машины с наноча- стицами серебра, обеззараживающими белье; изготовлены мобиль- ные телефоны, микропроцессоры с элементами, размер которых око- ло 35 нм; использование наночастиц в медицине позволяет уничто- жать раковые клетки и т.д. В производстве микросхем нанотехнолог- гия успешно развивается в двух направлениях: формирование конфи- гурации тонкопленочных элементов и травление структур