35 Билет

Приведите пример использования метода «Полипланар»

Рис. 1.10. Технология вертикального анизотропного травления с заполнением канавок поликристаллическим кремнием Si* («полипланар»): а – локальная диффузия акцепторной примеси: б – формирование SiO₂и локальное анизотропное травление; в – защита SiO₂– Si₃N₄-слоем; г – заращивание V-канавок поликристаллическим кремнием; д – формирование элементов ИМ

36. Поясните структуру имс по epic-технологии

Эпитаксия это процесс наращивания слоев с упорядоченной кристаллической структурой путем реализации ориентирующего действия подложки.

Ориентировочно выращенные слои нового вещества, закономерно продолжающие кристаллическою решетку подложки, называются эпитаксиальными слоями.

Основная особенность процесса эпитаксии по сравнению с диффузией заключается в том, что слои и локальные области с противоположным типом проводимости или с отличной по сравнению с полупроводниковой пластиной концентрацией примеси представляют собой новые образования над исходной поверхностью.

Эпитаксиальные слои можно выращивать в вакууме, из парогазовой и жидкой фаз. С точки зрения соотношения материалов полупроводниковых пластин или подложек и слоя, а также свойств полученных структур эпитаксию разделяют на два основных вида.

Автоэпитаксия – процесс ориентированного нарас-тания кристаллического вещества, очень незначительно отличающегося по химическому составу от вещества подложки.

Гетероэпитаксия – процесс ориентированного нараста-ния вещества, отличающегося по химическому составу от вещества подложки.

Эпитаксиальные структуры

Для производства интегральных микросхем выпускаются полупроводниковые кремниевые заготовки – структуры четырех видов: однослойные, многослойные, со скрытыми слоями и гетероэпитаксиальные. По аналогии с обозначением кремния в марках эпитаксиальных структур имеются следующие обозначения: К – кремний; D, Э – дырочный и электронный типы проводимости соответственно; Б, С, М, Ф – легирующие элементы (бор, сурьма, мышьяк, фосфор).

Однослойные эпитаксиальные структуры изготавливаются на кремниевых монокристаллических пластинах n-типа проводимости в процессе наращивания автоэпитаксиального слоя p-типа.

Эпитаксиальные структуры со скрытыми слоями изготавливаются на пластинах Si p-типа проводимости с локальными участками низкоомного n⁺-кремния путем наращивания автоэпитаксиального слоя n-типа проводимости, легированного фосфором.

Многослойные эпитаксиальные структуры изготавливаются в процессе автоэпитаксиального наращивания слоев разных типов проводимости с двух сторон кремние-вой монокристаллической пластины p-типа их маркировка аналогична маркировке однослойных структур, но содержит три уровня: для верхнего слоя, пластины и нижнего слоя.

Гетероэпитаксиальные структуры изготавливаются путем гетероэпитаксиального наращивания монокристалллического кремниевого слоя n- и p-типа проводимостей на монокристаллической подложке

37. Проанализируйте последовательность изготовления биполярных имс методом локальной эпитаксии

Пример:

1-пластина кремния

3-окисел кремния

С тетради: