42. Опишите конструктивно-технологические особенности мдп имс

Пример:

43. Поясните особенности изготовления тонкооксидных р-канальных мдп имс.

1. На подложке с проводимостью n– типа выращивают защитный слой оксида кремния (SiO₂) толщиной 0,6 мкм.

2. С помощью фотолитографии вскрывают окна для создания истока и стока

3. С помощью диффузии вводят p– области, тем самым создаются И и С.

4. Вскрытие окон для создания тонкого подзатворного слоя диэлектрика.

5. Выращивание подзатворного диэлектрика термическим окислением в сухом кислороде при температуре 1150 – 1200 ⁰C.

6. Вскрытие окон к истоку и стоку. Между истоком и стоком остаются тонкий диэлектрик.

7. Металлизация. Напыление алюминия

8. Стравливание металла для разделения контактов.

44.Проанализируйте технологию изготовления структур мдп имс с фиксированными затворами.

Технология изготовления МДП-ИМС на транзисторах с фиксированным затвором основана на том, что после создания толстого окисла и вскрытия окон в нем под активные области выращивают тонкий окисел под затвор, формируют затвор необходимых конфигураций и размеров, а затем формируют области истока и стока. При этом материал затвора служит маской, и тем самым осуществляется процесс самосовмещения затвора

Существует два направления создания МДП-ИМС с фиксированным затвором: диффузия с использованием затвора из кремния или молибдена и ионное легирование с использованием металлического затвора.

1. На подложке с проводимостью n– типа выращивают защитный слой оксида кремния (SiO₂) и с помощью фотолитографии вскрывают окна для создания истока, стока и слоя подзатворного диэлектрика.

2. Выращивают тонкий слой подзатворного диэлектрика

3. Выращивают поликристаллический кремний

4. Создают окна с помощью фотолитографии под исток и сток.

5. Напыление алюминия для создания контактов.

45.Приведите пример изготовления мдп имс с металлическими затворами с помощью ионной имплантации.

Ионное легирование в технологии МДП-ИМС применяют в двух целях: 1) для самосовмещения затвора с диффузионными областями; 2) для получения МДП – транзисторов, работающих в режиме обеднения с низким пороговым напряжением. В первом случае для изготовления МДП-ИМС используют комбинированную диффузионную технологию. Согласно этой технологии основные этапы формирования структуры осуществляют по обычной технологии; при этом области затвора и стока создают диффузионным способом до выращивания окисла. Ионное легирование применяют на последней стадии изготовления ИМС, когда создается «встроенный» канал в промежутке между областью стока и металлом затвора, сдвинутое в сторону истока; при этом достигается самосовмещение затвора. Во втором случае ионное легирование также используют на последней стадии изготовления ИМС, когда МДП – структуры уже сформированы. При этом часть структуры подвергают ионному легированию, с помощью которого междуp+-областями истока и стока формируется встроенный канал р - типа. Это позволяет получать транзисторы, работающие в режиме обеднения, которые служат в качестве нагрузочных элементов.