Karmanov_Reznichenko
.pdf9. Покажите, что коэффициент прохождения для потенциальной ступеньки не зависит от направления движения волны при условии
E > max(U1,U2).
При каких условиях этот результат можно перенести на барьеры более сложной формы?
10. В рамках матричного формализма получите аналитическое выражение для коэффициента прохождения через прямоугольный барьер.
|
− 1 |
|
|
|
2 |
− k1(E) |
2 |
2 |
2 |
T(E) |
= 1 + |
k2(E) |
|
|
sin(k2(E) a) |
||||
|
|
2 k1(E) k2(E) |
|
|
11. Матричным методом рассчитайте зависимость коэффициента прохождения от энергии для прямоугольного барьера переменной ширины. Как зависят результаты от ширины барьера? Постройте график зависимости T(E,r) и сопоставьте получаемые результаты с результатами упражнения 10. Как объяснить обращение в единицу коэффициента прохождения при определенных значениях энергии?
12. Рассчитайте зависимость от энергии коэффициента прохождения через один δ- барьер. Сравните полученные результаты с [8].
13. Используя символьный процессор MathCAD, получите аналитическую зависимость от энергии коэффициента прохождения через два δ- барьера вида U(x) = α δ(x), отстоящих друг от друга на расстояние a.
|
− 1 |
= 1 + |
2 mα |
|
mα |
|
2 |
|
T(E) |
|
|
|
cos(k(E) a) + |
|
sin(k(E) a) |
|
|
|
2 |
2 |
||||||
|
|
|
k(E) h |
|
k(E) h |
|
|
14. Рассчитайте зависимости коэффициентов отражения и прохождения от энергии через два прямоугольных барьера одинаковой ширины, но разной высоты, разделенных областью нулевого потенциала такой же ширины. Сравните Ваши результаты для барьеров одинаковой высоты с результатами для одного такого же прямоугольного барьера. Как объяснить происхождение пиков при энергии ниже высоты барьера и выше около барьера? Какие новые особенности вносит изменение высоты второго барьера?
41
Задача 6
Рассчитать вероятность прохождения частицы через систему из N прямоугольных потенциальных барьеров. Проанализировать результаты при увеличении числа барьеров. Для бесконечного одномерного кристалла оценить границы интервалов энергии, в пределах которых частица беспрепятственно проходит кристалл.
Решение
Элементарная ячейка
Рассмотрим сначала один прямоугольный барьер и межбарьерный промежуток как элементарную ячейку, повторением которой можно воспроизвести бесконечный одномерный кристалл.
Пусть |
a := 2 |
A |
|
|
b := 2 |
A |
|
Uo := 20 eV |
|
|
i := −1 |
|||||||
|
|
mc2 := |
0.511 106 eV |
|
hc := 1.9732858 103 |
|
eV A |
|||||||||||
Форму барьеров определим следующим образом: |
|
|
|
|||||||||||||||
x := ( −0.5a |
|
0 |
0 |
a a |
a + b |
a + b |
2 a + b |
2 a + b |
2 a + 1.5 b ) |
|||||||||
|
|
u := ( 0.1 |
0.1 |
Uo Uo |
0.1 |
0.1 Uo |
Uo 0.1 |
0.1 ) |
||||||||||
|
uT |
20 |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
0 |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
2 |
|
|
0 |
|
2 |
xT |
4 |
6 |
8 |
||||||
|
|
|
|
|
|
|||||||||||||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
Рис. 1. Потенциальный барьер
При анализе задачи будем следовать работе [7]. Введем безразмерные переменные e = E/Uo для энергии и r = x/a для расстояний и определим матрицу перехода для одной элементарной ячейки. Нам потребуются две матрицы скачка потенциала и две матрицы распространения на расстояние a и b.
42
α := |
2 mc2 Uo |
|
γ := b α |
|
δ := a α |
|||||||
|
|
|||||||||||
|
|
hc |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
k1(e) := α |
|
e |
|
|
k2(e) := α |
e − 1 |
||||||
P1(e) := |
exp(i γ |
e) |
|
0 |
|
|
||||||
|
|
|
|
|
|
exp(−i γ e) |
|
|||||
|
|
|
|
|
|
0 |
|
|||||
P2(e) := |
exp(i δ |
e − 1) |
|
|
0 |
|
||||||
|
|
|
|
|
|
|
|
exp(−i δ |
e − 1) |
|||
|
|
|
|
|
|
0 |
|
|
||||
|
|
|
|
|
1 |
+ |
e |
1 |
− |
e |
|
|
|
|
1 |
|
|
e − 1 |
e − 1 |
||||||
D12(e) := |
|
|
|
|
|
|
|
|||||
2 |
|
|
|
|
e |
|
|
e |
|
|||
|
|
|
|
− |
1 |
+ |
||||||
|
|
|
|
1 |
|
|
|
|||||
|
|
|
|
|
|
|
|
e − 1 |
|
|
e − 1 |
|
|
|
|
|
|
1 |
+ |
e − 1 |
1 |
− |
e − 1 |
|
|
|
|
1 |
|
|
e |
e |
|
|||||
D21(e) := |
|
|
|
|
|
|
|
|
||||
2 |
|
|
|
|
e − 1 |
|
|
e − 1 |
|
|||
|
|
|
1 |
− |
1 |
+ |
||||||
|
|
|
|
|
||||||||
|
|
|
|
|
|
|
|
e |
|
|
e |
T1(e) := P1(e) D12(e) P2(e) D21(e)
N - ячеек. Общий обзор
Матрица перехода для N - ячеек равна произведению матриц перехода для каждой ячейки. Диагональные элементы матрицы произведения матриц определяют вероятность перехода через систему.
Tn(e,n) := T1(e)n |
T(e,n) := ( |
|
Tn(e,n)1,1 |
|
)− 2 |
|
|
Представим сначала зависимости вероятности от энергии для одного и двух одинаковых барьеров. При переходе от одного барьера к двум барьерам при энергии E < Uo появляются новые, очень узкие пики, отвечающие единичной вероятности прохождения.
43
e := 0.1,0.10005 .. 2.5
1
T(e,2)
T(e,1) 0.5
0 |
0.5 |
1 |
1.5 |
2 |
2.5 |
|
e
Рис. 2. Коэффициенты прохождения для одного и двух барьеров
При увеличении количества барьеров пики единичной вероятности располагаются поблизости друг от друга, формируя целые области счетного множества таких точек.
1
T(e,10) 0.5
0 |
0.5 |
1 |
1.5 |
2 |
2.5 |
|
e
Рис. 3. Коэффициенты прохождения для N = 10 барьеров
44
N - ячеек. Тонкая структура
Интересно, что пики, формирующиеся в окрестности e = 0.22 и e = 0.8, имеют тонкую структуру, состоящую из N - 1 очень узкого пика.
e := 0.215,0.215001 .. 0.23
1
T(e,10) 0.5
0 |
0.22 |
0.225 |
0.215 |
e
Рис. 4. Структура пиков в окрестности e = 0.22
e := 0.75,0.75001 ..0.86
1
T(e,10) 0.5
0 |
0.76 |
0.78 |
0.8 |
0.82 |
0.84 |
|
e
Рис. 5. Структура пиков в окрестности e = 0.8
45
Зонная структура
Ясно, что в предельном случае бесконечного кристалла резонансные пики заполняют полностью целые области, формируя зонную структуру. Получаемое распределение пиков, например, огибающая снизу в четвертой зоне (см. рис.3), дает визуальную картину плотности состояний. Как видно из рисунков, плотность состояний минимальна в центре зоны и возрастает к ее краям.
Оценим теперь границы зон. Как уже упоминалось выше, матрица всей системы равна N- ой степени матрицы одной элементарной ячейки. Волна вероятности может распространяться в бесконечном кристалле только в том случае, если ее амплитуда не нарастает и не убывает при переходе от одной ячейки к другой. Если λ - собственное значение матрицы перехода элементарной ячейки, то λN - собственные значения матрицы системы. Отсюда ясно, что условием ограниченности волны вероятности будет |λ | = 1, причем для N - нечетных требуется условие λ = +1 .
Можно показать (см. упражнение 8), что характеристическое уравнение для матрицы элементарной ячейки имеет вид
|
|
(k12 + k22) |
|
|
2 |
|
|
|
|
|
|
|
= 1 |
|
|
|
|
|||
2λ |
cos(k2 a) cos(k1 b) − |
2 k1 k2 |
sin(k2 a) sin(k1 b) |
− λ |
|
Полагая в этом уравнении λ = ± 1, получаем два уравнения, решения которых дают необходимые границы зон:
cos(k2 a) cos(k1 b) − (k12 + k22) sin(k2 a) sin(k1 b) = ±1 2 k1 k2
Выполним графическое отделение корней. Для этого введем вспомогательную функцию g(e), выделяющую расположение зон, следующим образом:
f1(e) := cos(k2(e) a) cos(k1(e) b)
f2(e) := −(k1(e)2 + k2(e)2) sin(k2(e) a) sin(k1(e) b) 2 k1(e) k2(e)
g(e) := sign( |
f1(e) + f2(e) |
− 1) |
e := 0.1,0.1001 .. 2.5 |
46
1
0.5
T(e,10)
g(e) 0
0.5
1
0.5 |
1 |
1.5 |
2 |
2.5 |
|
|
e |
|
|
Рис. 6. Границы зон
Зоны разрешенных значений энергии для бесконечного кристалла соответствуют интервалам энергии, в пределах которых функция g(e) принимает значения, равные -1.
|
0.2183 |
0.2264 |
|
||
Приближенные значения |
|
0.76 |
0.8486 |
|
|
|
|
||||
границ интервалов по |
|||||
энергии |
|
1.212 |
1.573 |
|
|
|
|
|
2.353 |
|
|
|
1.665 |
Упражнения
1. Покажите, что элементы матрицы T1 обладают следующими свойствами. Если
T1 = |
0,0 |
t |
0 |
,1 |
|
то(t |
1,1 |
)* = t |
0,0 |
и (t |
0,1 |
)* = t |
1,0 |
, |
|
t |
|
t |
|
,1 |
где знак * означает комплексное |
|
|||||||||
|
1,0 |
1 |
сопряжение. |
|
|
|
|
|
|
||||||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|||||||
2. Покажите, |
что детерминант матрицы |
T1 |
равен 1. |
|
|
47
3. Докажите, что обратная матрица к матрице T1 имеет вид
− 1 |
|
t |
1 |
, |
1 |
−t |
0 |
,1 |
|
|||
|
|
|
|
|
||||||||
T1 |
= |
−t |
1 |
,0 |
t |
0 |
, |
0 |
|
|||
|
|
|
|
|
4. Используя теорему Гамильтона - Келли о связи матрицы и ее характеристического уравнения, покажите, что вероятность прохождения через N одинаковых прямоугольных барьеров равна
TN = 1 + ( t0,1 Ucheb(N − 1,ξ))2 − 1
где Ucheb(n,ξ) - полином Чебышева второго рода степени n,
аξ = 12 tr(T1) - половина следа матрицы T1.
5.Проверьте приведенную в упражнении 4 формулу, сопоставляя результаты расчета с иллюстрациями, представленными при решении данной задачи. Как эти результаты согласуются с точным решением для одного барьера?
6.Можно ли перенести приведенную в упражнении 4 формулу, на барьеры более сложной формы?
7.Из какого количества пиков состоят третья и четвертая области; пятая и шестая? С чем связано появление одного дополнительного
пика в каждой нечетной области при e > 1?
8.Используя символьный процессор, вычислите в явном виде произведение матриц, составляющих матрицу перехода одной ячейки. Преобразуйте его и получите приведенное в тексте характеристическое уравнение.
9.С помощью функции root() и используя приведенные в тексте приближенные значения, рассчитайте границы зон по энергии.
10. Получите характеристическое уравнение для матрицы элементарной ячейки δ - кристалла и рассчитайте границы зон по энергии.
λ |
2 |
|
m α |
sin(k a) |
|
+ 1 |
= 0 |
|
− 2 λ cos(k a) + |
k h2 |
|
||||
|
|
|
|
|
|
|
48
Литература
1.Давыдов А.С. Квантовая механика. -М.: Наука, 1973
2.Степанов Н.Ф. Квантовая механика и квантовая химия. -М.: Мир, 2001, 519с.
3.Калиткин Н.Н. Численные методы. -М.: Наука, 1976, 480с.
4.Джонсон К. Численные методы в химии: Перевод с англ. -М.:Мир, 1983, 504с.
5.Пирумов У.Г. Численные методы.-М.: Дрофа, 2003, 224с.
6.Широков Ю.М., Юдин Н.П. Ядерная физика. М., Наука, 1980, 728с.
7.Walker J.S., Gathright J. Computers in Physics, v6, n4, p. 393, 1992. Am. J. Phys., v62, n5, p. 408-422, 1994.
8.Галицкий В.М., Карнаков Б.М., Коган В.И. Задачи по квантовой механике. -М.: Наука, 1992, 880с.
Содержание
1. |
Уровни энергии частицы в ступенчатом потенциале |
3 |
2. |
Линейный вариационный метод Ритца |
12 |
3. |
Обобщенная задача на собственные значения |
20 |
4. |
Метод Хюккеля для расчета характеристик молекул |
|
|
сопряженных углеводородов |
24 |
5. |
Матричное описание одномерной задачи рассеяния частицы |
|
|
ступенчатым потенциалом |
31 |
6. |
Рассеяние частицы одномерным кристаллом |
42 |
49