- •Введение
- •1. Общие сведения о датчиках физических величин
- •1.1. Основные характеристики датчиков
- •1.2. Классификация датчиков
- •2. Датчики деформации
- •2.1. Принцип действия
- •2.2. Конструкции тензодатчиков и их параметры
- •2.2.1. Конструкции металлических датчиков
- •2.2.2. Конструкции полупроводниковых датчиков
- •2.2.3. Основные параметры тензорезисторов
- •2.2.4. Тензодиоды и тензотранзисторы
- •2.3. Области применения и типы датчиков
- •Контрольные вопросы
- •3. Датчики температуры
- •3.1. Принцип действия
- •3.1.1. Термопары
- •3.1.2. Металлические термометры сопротивления
- •3.1.3. Термисторы
- •3.1.4. Позисторы
- •3.1.5. Измерение температуры с помощью диодов и транзисторов
- •3.2. Конструкции и параметры датчиков температуры
- •3.2.1. Термопары
- •3.2.2. Металлические термометры сопротивления
- •3.2.3. Термисторы
- •3.2.4. Позисторы
- •3.3. Области применения и типы датчиков
- •3.4. Термоанемометрический метод измерения скоростей потока газов и жидкостей
- •Контрольные вопросы
- •4. Твердотельные датчики газов
- •4.1. Принцип действия твердотельных датчиков газов
- •4.1.1. Термокондуктометрические датчики
- •4.1.2. Термохимические (каталитические) ячейки
- •4.1.3. Электрохимическая (топливная) ячейка
- •4.1.4. Полупроводниковые датчики газов
- •4.2. Конструкции и параметры датчиков
- •4.2.1. Термокондуктометрическая измерительная ячейка
- •4.2.2. Термохимическая (каталитическая) ячейка
- •4.2.3. Конструкция и параметры топливных элементов
- •4.2.4. Конструктивные и технологические особенности твердотельных датчиков газов
- •Контрольные вопросы
- •5. Датчики магнитного поля
- •5.1. Принцип действия
- •5.2. Преобразователи Холла
- •5.2.1. Технология изготовления и конструкции
- •5.2.2. Основные параметры и свойства
- •5.2.3. Применение преобразователей Холла
- •5.3. Полупроводниковые магниторезисторы
- •5.4. Магниторезисторы из ферромагнетиков
- •5.5. Магнитодиоды
- •5.6. Биполярные магнитотранзисторы
- •Контрольные вопросы
- •6. Оптические датчики
- •6.1. Принцип действия полупроводниковых приемников излучения
- •6.2. Основные характеристики фотоприемников
- •6.3. Фоторезисторы
- •6.3.1. Технология изготовления и конструкция
- •6.3.2. Характеристики и параметры
- •6.4. Фотодиоды
- •6.5. Полупроводниковые фотоэлементы
- •6.6. Фототранзисторы
- •6.7. Датчики ик-излучения
- •Контрольные вопросы
- •7. Датчики влажности
- •7.1. Единицы измерения влажности
- •7.2. Методы измерения влажности
- •7.3. Конденсационные датчики
- •7.4. Психрометрические датчики
- •7.5. Сорбционные датчики влажности
- •7.5.1. Кулонометрические датчики
- •7.5.2. Пьезосорбционные датчики
- •7.5.3. Импедансные датчики
- •Контрольные вопросы
- •8. Датчики микроэлектромеханических систем
- •Контрольные вопросы
- •Заключение
- •Библиографический список
7.2. Методы измерения влажности
Методы измерения влаги в газах и жидкостях можно разделить на прямые и косвенные. Прямые методы основаны на непосредственном выделении влаги из анализируемой среды с последующим определением ее количества. Косвенные методы основаны на измерении какой-либо физической величины, связанной с влагосодержанием среды. Датчики влажности (или гигрометры) можно разбить на две большие группы: температурно-градиентные (психрометрические и конденсационные) и сорбционные (кулонометрические, сорбционно-импедансные и пьезосорбционные).
Соотношение между различными единицами влажности
при температуре 21 °С
Точка росы в градусах, |
Парциальное давление паров воды, Па |
Объемная концентрация паров, ppm |
Относительная влажность, % | |
К |
°С | |||
201 |
-72 |
0,1902 |
1,880 |
0,00765 |
205 |
-68 |
0,3471 |
3,43 |
0,0140 |
209 |
-64 |
0,6171 |
6,10 |
0,0248 |
213 |
-60 |
1,0746 |
10,60 |
0,0433 |
217 |
-56 |
1,8354 |
18,20 |
0,0738 |
221 |
-52 |
3,0590 |
30,20 |
0,1260 |
225 |
-48 |
5,0270 |
49,70 |
0,2020 |
229 |
-44 |
8,1000 |
80,10 |
0,3250 |
233 |
-40 |
12,8480 |
127,00 |
0,5160 |
237 |
-36 |
20,0430 |
197,00 |
0,8040 |
241 |
-32 |
30,8290 |
305,00 |
1,2400 |
245 |
-28 |
46,6830 |
462,00 |
1,8800 |
249 |
-24 |
69,9580 |
692,00 |
2,8100 |
253 |
-20 |
103,210 |
1021,00 |
4,1400 |
257 |
-16 |
150,560 |
1489,00 |
6,0600 |
261 |
-12 |
217,060 |
2147,00 |
8,7500 |
265 |
-8 |
314,150 |
3061,00 |
12,8000 |
269 |
-4 |
436,240 |
4316,00 |
17,5000 |
273 |
0 |
609,010 |
6025,00 |
24,1000 |
277 |
4 |
798,000 |
7895,00 |
32,5000 |
7.3. Конденсационные датчики
Конденсационный метод (метод точки росы) основан на фиксации температуры конденсации паров воды в газовой фазе. Для работы датчика необходимо регулируемое охлаждение конденсирующей поверхности с точной фиксацией появления конденсата и одновременное измерение ее температуры. К достоинствам метода относятся: измерение влажности в широком диапазоне концентраций паров воды, рабочий диапазон от -70 °С до +100 °С, градуировка датчика по температуре, а не по влажности (точность измерения температуры ±0,2 °С), возможность измерения влажности внутри корпусов интегральных схем.
Для охлаждения используются термоэлектрические холодильники (до -70 °С) и криогенные жидкости: жидкие азот ( 77 К), кислород (20 К), гелий (4 К). Для измерения температуры применяются термопары и терморезисторы. Для определения момента появления конденсата используют измерения оптических и электрических характеристик конденсата (поверхностного сопротивления или емкости).
Для индикации конденсата можно использовать пьезокварцевый резонатор, включенный в схему генератора: в момент появления конденсата добротность резонатора резко уменьшается, при этом изменяется частота генерации (кварцевый резонатор регистрирует изменение массы 10-10 – 10-8 г). При оптической регистрации конденсата с помощью фотоприемников (фотодиодов, фоторезисторов, фототранзисторов) сравнивают интенсивности световых потоков, отраженных от чистой зеркальной поверхности и от поверхности, покрытой слоем конденсата. При измерении влажности в корпусах ИС используется регистрация конденсата по изменению поверхностной проводимости или межэлектродной емкости. Простейший датчик поверхностно-конденсационного типа – два металлических электрода (гребенчатой формы), нанесенные на поверхность диэлектрика. Структура датчика резистивно-емкостного типа изображена на рис. 7.1.
Рис. 7.1. Двухэлектродный датчик точки росы
резистивно-емкостного типа: 1, 2 – электроды;
3 – датчик температуры
Поверхностная проводимость такой структуры при приближении к точке росы увеличивается по закону, близкому к экспоненциальному. Образование на поверхности льда приводит к резкому уменьшению проводимости конденсата.
Основной недостаток конденсационного метода – зависимость показаний от степени загрязнения поверхности.