Добавил:
Upload Опубликованный материал нарушает ваши авторские права? Сообщите нам.
Вуз: Предмет: Файл:
Методические указаня ТЭД 2012.doc
Скачиваний:
467
Добавлен:
09.02.2015
Размер:
4.29 Mб
Скачать
    1. Порядок выполнения работы

1. Определение местоположения условных концов ИЛ и длины волны в волноводе. Закоротите ИЛ. Найдите отсчеты условных концов ,и длину волны на частоте в пределах частотного диапазона генератора.

2. Определение элементов матрицы рассеяния и эквивалентной схемы антисимметрично рассеивающего четырехполюсника с потерями. Подключите к концу ИЛ четырехполюсник (рис. 7.9). К второму входу ЧП подключите СН. Определите КБВ и местоположение минимума между условными концами. Измерьте геометрическую длину четырехполюсника . По этим данным рассчитайте: элементы матрицы рассеянияSдля отсчетных плоскостей, разнесенных на, элементы матрицы рассеянияS'и значение нормированного последовательного сопротивленияэквивалентной схемы для отсчетных плоскостей, совмещенных с плоскостью симметрии ЧП. В отчете необходимо воспроизвести все этапы расчета этих величин по образцу задачи из п. 1.

3. Определение элементов S-матрицы и эквивалентной схемы реактивного симметрично рассеивающего сильно отражающего ЧП.

Подключите к концу ИЛ четырехполюсник в виде отрезка волновода с диафрагмой или поперечным штырем (штырями). Должен быть взят заведомо сильно отражающий ЧП. Ко второму входу ЧП долина быть подключена согласованная нагрузка. Определите местоположение минимума между условными концами ИЛ. Измерьте геометрическую длину ЧП. По этим данным рассчитайте: элементы матрицы рассеянияSдля отсчетных плоскостей, разнесенных на, элементы матрицы рассеянияS'и значение нормированной параллельной проводимостиэквивалентной схемы для отсчетных плоскостей, совмещенных с плоскостью симметрии ЧП. В отчете необходимо воспроизвести все этапы расчета этих величин по образцу задачи из п. 2.

4. Определение элементов матрицы рассеяния и эквивалентной схемы реактивного симметрично рассеивающего слабо отражающего ЧП.

Подключите к концу ИЛ четырехполюсник, в виде отрезка волновода с диафрагмой или поперечным штырем. Должен быть взят заведомо слабо отражающий ЧП. Ко второму входу ЧП подключите СН. Определите местоположение минимума между условными концами ИЛ. Измерьте геометрическую длину ЧП . По этим данным рассчитайте: элементы матрицы рассеяния для отсчетных плоскостей, разнесенных на; элементы матрицы рассеянияS' и значение нормированной параллельной проводимостиэквивалентной схемы для отсчетных плоскостей, совмещенных с плоскостью симметрии ЧП. В отчете необходимо воспроизвести все этапы расчета этих величин по образцу задачи из п. 3, в том числе привести эскизы типа рис. 7.10, 7.11.

5. По каждому этапу расчета должны быть приведены формулы, исходные числа, размерности величин.

    1. Контрольные вопросы

  1. Что является волноводным многополюсником?

  2. Как определяются границы ВМП?

  3. Что такое эталонные волны и зачем они нужны?

  4. Что такое матрица рассеяния ВМП?

  5. Какой физический смысл элементов матрицы рассеяния?

  6. Как изменяются элементы матрицы рассеяния при переносе отсчетных плоскостей?

  7. Что такое взаимные ВМП и каковы их свойства?

  8. Каково условие взаимности ВМП?

  9. Вывести формулы для сопротивлений эквивалентной Т-схемы через элементы матрицы рассеяния четырехполюсника.

  10. Вывести формулы для проводимостей эквивалентной П-схемы через элементы матрицы рассеяния четырехполюсника.

  11. Какова матрица рассеяния симметричного четырехполюсника и каковы их эквивалентные схемы?

  12. Что является поперечными неоднородностями и каковы их матрицы рассеяния и эквивалентные схемы?

  13. В чем различия симметричного и антисимметричного рассеивающих поперечных неоднородностей?

  14. Какова матрица рассеяния симметричного и антисимметричного рассеивающих поперечных неоднородностей?

  15. Какова матрица рассеяния и эквивалентные схемы симметричного и антисимметричного рассеивающих поперечных неоднородностей?

  16. Что называется реактивными ВМП?

  17. Что означает эрмитово-сопряженная матрица?

  18. Что означает свойство унитарности реактивного ВМП?

  19. Какова структура матрицы рассеяния реактивного четырехполюсника?

  20. Какова структура матрицы рассеяния симметричного и реактивного четырехполюсника?

  21. Как зная фазу коэффициента отражения симметричного и реактивного четырехполюсника, можно определить матрицу рассеяния и эквивалентную схему?