- •1.Тонкие линзы.
- •2.Оптические системы.
- •3.Фотометрия.
- •7.Волновое число. Волновой вектор.
- •15. Понятие о гологpафии.
- •24. Закон Брюстера.
- •26.Закон Малюса.
- •27. Двойное лучепреломление.
- •37. Фотоны.
- •41. Опытное обоснование корпускулярно-волнового дуализма свойств вещества.
- •46. Уpавнение Шpедингеpа для стационаpных состояний.
- •54.Формула Бальмера.
- •55. Главное квантовое число.
- •56. Орбитальное квантовое число.
- •57. Магнитные квантовое числа.
- •64. Уpовень Феpми.
- •67. Сверхпроводимость.
- •68. Валентная зона и зона проводимости.
- •69. Заполнение зон в металлах, диэлектpиках и полупpоводниках.
- •70. Собственная проводимость.
- •73. Квазичастицы электроны проводимости и дырки.
- •76. Люминесценция.
- •81. Дефект массы и энергия связи ядра.
- •82. Строение атомных ядеp.
- •86. Понятие об ядерной энергетике.
- •90. Взаимная превращаемость элементарных частиц.
- •91. Сильные, электромагнитные, слабые и гравитационные взаимодействия.
- •92. Понятие об основных проблемах современной физики.
- •4.Волновые процессы.
- •5.Уравнение плоской синусоидальной волны.
- •6.Фазовая скоpость, длина волны.
- •8.Отражение плоской волны от границы двух диэлектриков.
- •9.Преломление плоской волны на границе двух диэлектриков..
- •10.Когерентность и монохроматичность световых волн.
- •11.Способы получения когеpентных источников в оптике.
- •14.Кольца Ньютона.
- •16. Принцип Гюйгенса – Френеля.
- •17 .Метод зон Френеля.
- •18.Метод векторных диаграмм.
- •19.Дифpакция Фpенеля на круглом отверстии и диске.
- •20.Дифpакция Фpаунгофеpа на одной щели.
- •21.Дифpакция Фpаунгофеpа на дифракционной решетке.
- •22.Поляpизация.
- •23.Поляризация света при отражении.
- •25.Естественный и поляризованный свет. Естественный и поляризованный свет.
- •28. Тепловое излучение.
- •29. Закон Кирхгофа.
- •30.Закон Стефана-Больцмана.
- •31.Закон смещения Вина.
- •33. Квантовая гипотеза и формула Планка.
- •34. Внешний фотоэффект.
- •35.Законы Столетова для фотоэффекта.
- •36.Уравнение Эйнштейна для фотоэффекта.
- •38.Масса фотона.
- •40.Гипотеза де Бройля.
- •39.Энергия и импульс фотона.
- •42 Соотношение неопpеделенностей.
- •45.Стационаpные состояния.
- •49 Квантование энергии и импульса частицы.
- •51.Постулаты Боpа.
- •52.Атом водорода.
- •53.Спектpы водоpодоподобных атомов.
- •58.Опыт Штерна и Герлаха.
- •59.Спин электрона.
- •60.Пpинцип Паули.
- •62.Число электpонных состояний в проводнике.
- •71.Пpимесная проводимость полупроводников.
- •78.Пpинцип работы квантового генеpатоpа.
- •79.Заряд, размер и масса атомного ядра.
- •83.Ядеpные реакции и законы сохранения.
- •84.Радиоактивные пpевpащения атомных ядер.
- •88.Элементарные частицы.
- •89.Классификция элементарных частиц.
- •72.Эффективная масса электрона в кристалле.
- •75.Эффективная масса электрона в кристалле.
- •80.Массовое и зарядовое число.
- •85.Цепная реакция ядерного деления.
- •43.Задание состояния микpочастицы.
- •44.Волновая функция и ее статистический смысл.
- •48.Частица в одномеpной бесконечно глубокой пpямоугольной потенциальной яме.
- •61. Распределение электронов в атоме по состояниям.
- •63. Распределение электронов проводимости в металле по энергиям при абсолютном нуле температуры.
- •65. Влияние температуры на распределение электронов.
- •Тонкие линзы.
59.Спин электрона.
Электрон обладает собственным неуничтожимым механическим моментом импульса, не связанными с движением электрона в пространстве, ‑ спином.Спин электрона (и всех других микрочастиц) ‑ квантовая величина, у нее нет классического аналога; это внутреннее неотъемлемое свойство электрона, подобное его заряду и массе.Если электрону приписывается собственный механический момент импульса (спин) , то ему соответствует собственный магнитный момент . Согласно общим выводам квантовой механики, спин квантуется по закону ,где s ‑ спиновое квантовое число.
60.Пpинцип Паули.
Распределение электронов в атоме подчиняется принципу Паули, который может быть сформулирован в его простейшей формулировке: в одном и том же атоме не может быть более одного электрона с одинаковым набором четырех квантовых чисел n, l, , , т.е. или 1, где ‑ число электронов, находящихся в квантовом состоянии, описываемом набором четырех квантовых чисел: . Таким образом, принцип Паули утверждает, что два электрона, связанные в одном и том же атоме, различаются значениями по крайней мере одного квантового числа.
62.Число электpонных состояний в проводнике.
Энергия электрона. находящегося в атоме квантуется, в одинаковых атомах, не взаимодействующих друг с другом. энергетические уровни электронов одинаковы. При приближении атомов к друг другу степень взаимодействия между электронными оболочками возрастает. Два электрона не могут находиться в однм и том же состоянии с одинаковым набором квантовых чисел, поэтому при приближении атомов к друг другу происходит расщепление энергетических уровней на внешних электронных оболочках.
71.Пpимесная проводимость полупроводников.
На проводимость полупроводников большое влияние оказывают примеси. Примеси бывают донорные и акцепторные. Донорная примесь — это примесь с большей валентностью. Например – пятивалентный мышьяк и четырехвалентный кремниий.При добавлении донорной примеси в полупроводнике образуются лишние электроны. Проводимость становится электронной, а полупроводник называют полупроводником n-типа. Акцепторная примесь — это примесь с меньшей валентностью. Например, для кремния акцепторной примесью является индий с валентностью n = 3. Каждый атом индия приведет к образованию лишней «дырки».При добавлении такой примеси в полупроводнике образуется лишнее количество «дырок». Проводимость будет «дырочной», а полупроводник называют полупроводником р-типа.
74.Полупpоводники p- и n- типа. Контактные явления.
а кцепторные примеси (принимающие) - создают "дырки", забирая в себя электроны. Такой полупроводник обладает дырочной примесной проводимостью. Это полупроводники "p"- типа, т.е. полупроводники с акцепторными примесями, где основной носитель заряда - дырки, а неосновной - электроны. Пример – трехвалентный индий и четырехвалентный гер маний.2) донорные примеси (отдающие) - являются дополнительными поставщиками электронов в кристаллы полупроводника, легко отдают электроны и увеличивают число свободных электронов в полупроводнике. Такой полупроводник обладает электронной примесной проводимостью.Это проводники " n " - типа, т.е. полупроводники с донорными примесями, где основной носитель заряда - электроны, а неосновной - дырки. Пример – пятивалентный мышьяк и четырехвалентный германий.
77.Индуцированное излучение.
Индуцированным – наз. вынужденный (стимулированный) переход в энергетически низшее состояние, взванное каким-нибудь внешним воздействием на возбужденную систему : тепловыми столкновениями , взаимодействием с соседними частицами или проходящей через систему электромагнитной волной.
Индуцированным – наз. переход , вызванный только электромагнитной волны, причем той же частоты , которая излучается системой при этом переходе.