Полупроводники и их свойства.
Принципиальными отличиями проводимости полупроводников от проводимости проводников являются:
уменьшение сопротивления полупроводников при повышении температуры, что объясняется образованием дополнительных пар носителей электрических зарядов;
сильное влияние ничтожных количеств примеси в полупроводнике на его проводимость (20 мкг примеси на 1 кг расплава Si увеличивает проводимость более чем в
раз);способность полупроводников изменять свою электропроводность в широких пределах (
-
раз)
в результате внешних воздействий
(освещение, электрические и магнитные
поля, температура и т.д.).
К полупроводникам
относят материалы, которые при комнатной
температуре имеют удельное сопротивление
от 
до 
Ом/
(объемное сопротивление). Количество
полупроводников превышает количество
металлов и диэлектриков.
Температурная зависимость сопротивлений проводника и полупроводника.
Основы статистики электронов и дырок в полупроводниках.
Для работы электронных приборов необходимы свободные электроны. Для определения вероятности события, что некоторый электрон занимает определенный энергетический уровень необходимо воспользоваться функцией распределения Ферми-Дирака:
Оно применимо к частицам, волновые функции которых подчиняются запрету Паули.
Где Fn(W) – вероятность того, что заданный энергетический уровень W при заданной температуре T будет занят электроном.
кT – средняя тепловая энергия электрона.
к – постоянная
Больцмана (1,38*
).
– химический потенциал системы, имеющий
размерность энергии и называется уровнем
Ферми.
Частицы, подчиняющиеся этой статистике, называются фермионами.
Исследуем свойства функции Fn(W).
Можно показать, что уровень Ферми представляет собой некоторую функцию температуры (T), действительно:
Если W<
,
W-
<0,
или 
,
т.е.
Тогда Fn(W)
= 
Если W>
,
то
Тогда Fn(W)=
;
Практически независимо от температуры, при W= функция Fn(W) будет:
Fn(W)=1/2
Таким образом, уровень Ферми можно определить как уровень, вероятность заполнения которого равна 0,5 при Т≠0, что может быть представлено графически следующим образом:
Значения при Т=0К представляет собой то максимально допустимое значение энергии, ниже которого все энергетические уровни заняты (т.к. Fn(W)=1), а выше которого все уровни пусты (т.к. Fn(W)=0).
Функция Fn(W) показывает, что вероятность занятия уровня энергии при повышении температуры растет, а при - понижении падает.
Вероятность события, что некоторый энергетический уровень Fn(W) занят не электроном, а дыркой равна:
При изучении явлений, связанных с дырками, часто полагают, что:
W<<
и 
<<1,
поэтому:
- распределение
Максвелла-Больцмана.
Из анализа функций распределения следует, что уровень Ферми должен располагаться в середине запрещенной зоны.
На рисунке показана энергетическая диаграмма собственного (беспримесного) полупроводника (ni=pi), а также график зависимости распределения подвижных носителей зарядов по энергиям при различных температурах. При Т1=0К валентная зона заполнена полностью [F(W)=1], а зона проводимости пуста [F(W)=0]. Уровень Ферми в этом случае совпадает с максимальной энергией, которую может иметь электрон при Т=0К.
С повышением температуры Т2>Т1 начинается термогенерация электронно-дырочных пар и возникает вероятность появления свободных электронов ni в зоне проводимости и дырок pi в валентной зоне.
Концентрация электронов и дырок пропорциональна заштрихованным площадкам.
Отсюда следует, что в собственном полупроводнике уровень Ферми располагается в середине запрещенной зоны и его энергия определяется:
