3. Металл-полупроводник n-типа.

П ри этом: А_м > А_n

В этом случае поток электронов из полупроводника n-типа в металл будет преобладающим. В результате металл начнет заряжаться отрицательно, пока уровни Ферми не выровняются. Уход электронов из приконтактной области полупроводника n-типа обеднит эту область и обнажит положительные ионы доноров. Возникнет односторонний потенциальный барьер (контактная разность потенциалов). Контакт будет выпрямляющим.

Впервые это явление было обнаружено в 1930г. Немецким физиком В. Шоттки. Выпрямляющий контакт металл-полупроводник n-типа называют переходом Шоттки.

4. Металл-полупроводник р-типа.

А _м < А_p

В этом случае будет осуществляться переход электронов в полупроводник p-типа. В приконтактной области полупроводника p-типа возникнет избыточный заряд электронов, которые начнут рекомбинировать с дырками, создавая в приконтактной области ионы акцепторов. Эта область окажется обедненной основными носителями. Возникнет потенциальный барьер, который обеспечит вентильные свойства перехода. Контакт будет выпрямляющим.

На основе переходов 3 и 4 (A_n < A_м; A_м < A_p) созданы полупроводниковые приборы, которые называются диодами Шоттки.

Важнейшей особенностью диодов Шоттки является возможность работы на очень высоких частотах, что обусловлено отсутствием инжекции неосновных носителей заряда и, следовательно, отсутствием времени рассасывания (С_диф=0).

Д ругой важной особенностью является значительно меньшее прямое напряжение по сравнению с p-n переходом, что позволяет работать со значительно большими прямыми токами и обеспечивать выпрямление малых напряжений.

Сравнительные ВАХ перехода Шоттки и p-n перехода.

Обратные токи в диодах Шоттки малы (доли ÷ десятки нА).

Диоды Шоттки эффективно использовать как импульсный диод и применять в выпрямителях больших токов.

Учитывая тот факт, что начальный участок прямой ВАХ представляет почти идеальную экспоненциальную кривую, диоды Шоттки применяют в высокоточных логарифмирующих устройствах.

Основные параметры диодов Шоттки аналогичны импульсным диодам.

УГО -

Эквивалентная схема:

r_пер. – сопротивление перехода металл-полупроводник;

С_пер. – барьерная ёмкость перехода;

r_Б′ - омическое сопротивление тела базы и эмиттера;

С_выв. – ёмкость выводов.

Переходы p-i, n-i, p⁺-p, n⁺-n типов. PIN диоды.

Кроме p-n и переходов металл-полупроводник, встречаются и другие типы переходов.

При контакте примесного полупроводника (p- или n- типов) с собственным полупроводником (i-типа) могут образоваться p-i или n-i переходы, при этом соответственно. Из-за разности концентраций носителей заряда возникнет диффузия носителей, что приведет к появлению разности потенциалов:

• в переходе p-i-типа – между отрицательно заряженными ионами акцепторов в полупроводнике p-типа и положительно заряженными ионами в полупроводнике i-типа;

• в переходе n-i-типа – между положительно заряженными ионами доноров в полупроводнике n-типа и отрицательно заряженными ионами в полупроводнике i-типа.

Однако эта разность потенциалов значительно меньше, чем в p-n переходе, и слой, обеднённый носителями заряда, простирается большей частью в область собственного (i-) полупроводника.

d=d_p + d_i d=d_n + d_i

P_p > P_i; d_i > d_p N_n > N_i; d_i > d_n

При создании p-i-n диода между p- и n- областями располагается достаточно высокоомный слой собственного полупроводника (i-типа).

p-i-n диод.

В p-i-n диодах n- и p- области отделены друг от друга i-слоем, снижена напряженность электрического поля в i-слое, что позволяет повысить значение обратного напряжения, при котором начинается пробой.

В связи с пониженным потенциальным барьером на границе n-i и p-i, при прямом напряжении электроны и дырки проникают глубоко в i-слой, где происходит их взаимная рекомендация и практически исключается возможность образования пространственного заряда. Это позволяет повысить быстродействие таких диодов. Кроме того, пониженный потенциальный барьер позволяет увеличить допустимый прямой ток.

p-i-n диоды в режиме переключения могут работать на высоких частотах ( до 40ГГц), с большим обратным напряжением и обеспечивать переключение большой мощности (до мегаватт).

Создание структур p⁺-p-n и n⁺-n-p (где p⁺ и n⁺ - означает повышенную концентрацию легирующих примесей: акцепторной и донорной, соответственно), позволяет получить диоды с малым прямым напряжением, малым обратным током, большим напряжением пробоя, малым значением ёмкости p-n перехода.