- •Электроника. Лекционный курс. Введение.
- •Классификация электронных приборов.
- •Этапы развития электроники.
- •Классификация веществ в зависимости от структурных особенностей твердых тел.
- •Межатомные связи. Их виды и характеристики.
- •Физические основы электронной техники. Элементы квантовой теории строения материи.
- •Классификация твердых тел по степени электропроводности. Картина энергетических зон в твердом теле.
- •Полупроводники и их свойства.
- •Основы статистики электронов и дырок в полупроводниках.
- •Законы движения носителей заряда в полупроводниках. Дрейфовый и диффузионные токи.
- •Явление дрейфа.
- •Явление диффузии.
- •Уравнение плотности полного тока в полупроводнике.
- •Электронно-дырочный переход (p-n переход).
- •Смещение p-n перехода в прямом направлении (прямое включение перехода).
- •Смещение p-n перехода в обратном направлении (обратное включение перехода).
- •Уравнение Шокли.
- •Вольт-амперная характеристика(вах)
- •Пробой p-n перехода
- •Вольт-амперная характеристика видов пробоя
- •Емкостные свойства p-n перехода
- •Полупроводниковые диоды
- •Рабочий режим диода.
- •Эквивалентные схемы диодов для различных режимов.
- •Температурные свойства диодов
- •Выпрямители. Схемы выпрямления.
- •Мостовая схема двухполупериодного выпрямителя
- •Импульсный режим работы диода
- •Стабилитроны
- •Параметрическом стабилизаторе.
- •Основные параметры стабилитронов
- •Варикапы
- •Основные параметры варикапов.
- •Туннельные диоды.
- •Схемы автогенераторов на туннельных диодах.
- •Обращенные диоды.
- •Контакт (переход) металл-полупроводник. Диоды Шоттки.
- •Металл-полупроводник n- типа.
- •Металл-полупроводник p-типа.
- •Металл-полупроводник n-типа.
- •Металл-полупроводник р-типа.
- •Транзисторы.
- •Биполярные транзисторы.
- •Явление вторичного пробоя и модуляция толщины базы (эффект Эрли).
- •Эквивалентная схема транзистора для режима постоянного тока
- •Схемы включения биполярных транзисторов.
- •Вольт-амперные характеристики (вах) биполярных транзисторов (статические характеристики). Схемы для снятия вах.
- •Математические модели биполярных транзисторов.
- •Модель транзистора для большого сигнала (модель Эберса-Молла).
- •Модели транзистора в режиме малого сигнала (динамический режим).
- •Температурные свойства транзисторов.
- •Частотные свойства транзисторов.
- •Работа транзистора с нагрузкой (динамический режим).
- •С оставной транзистор (схема Дарлингтона).
- •Эксплуатационные параметры транзистора.
- •Полевые транзисторы.
- •Полевой транзистор с управляющим p-n переходом.
- •С хемы включения транзисторов:
- •Полевые транзисторы с изолированным управляющим электродом (затвором).
- •Основные параметры полевых транзисторов.
- •Элементы памяти на основе моп-структур (Flesh-память).
- •Усилители электрических сигралов.
- •Классификация усилителей.
- •Основные технически показатели усилителей (параметры).
- •Входное и выходное сопротивления ( )
- •Выходная мощность.
- •Динамический диапазон амплитуд.
- •Характеристики усилителей.
- •Искажения в усилителях.
- •Схемотехника усилительных каскадов. Межкаскадные связи в усилителях.
- •Обобщенная структурная схема усилителя.
- •Графическая интерпретация процесса усиления сигнала транзисторной схемой с общим эмиттером.
- •Коллекторная стабилизация.
- •Эмиттерная стабилизация.
- •Полная эквивалентная схема унч с емкостной межкаскадной связью на основе биполярного транзистора, включенного по схеме с оэ.
- •Выходные каскады усилителей.
- •Построение проходной динамической характеристики.
- •Ключевой режим биполярного транзистора. Условия обеспечения статических состояний.
- •Динамика переключения ключей на биполярных транзисторах.
- •Цифровые ключи. Общие требования.
- •Структура цифрового ключа на комплементарной паре биполярных транзисторов.
- •Структура цифрового ключа на комплементарной паре полевых транзисторов (к-моп).
- •Усилители постоянного тока (упт). Дрейф нуля.
- •Параллельно-баласный каскад упт.
- •Дифференциальный усилитель (ду).
- •Операционные усилители (оу).
- •Структурная схема оу.
- •Основные параметры оу.
- •Виды и структура обратных связей в усилителе.
- •Генераторы электрических колебаний.
- •Релаксационные генераторы (генераторы импульсов).
- •Автогенераторы на оу с мостом Вина.
- •Автогенератор на оу с использованием моста Вина.
- •Генераторы релаксационных колебаний.
- •Блокинг-генераторы (бг).
- •Мультивибратор с коллекторно-базовыми связями. Автоколебательный режим.
- •Электроника. Список литературы по курсу «Электроника»
Параметрическом стабилизаторе.
Uст.д = Uвых
Условия работы стабилизатора
|
|
При увеличении входного напряжения Uвх увеличивается входной ток Iвх, а падение напряжения на стабилитроне Д и на нагрузке Rн остаётся неизменным. При увеличении тока через стабилитрон Д возрастает падение напряжения на резисторе Rогр, поэтому почти всё приращение Uвх падает на резисторе Rогр, а Uвых остаётся неизменным за счёт специфической характеристики обратной ветви стабилитрона Д.
Если задан диапазон изменения Uвх от Uвх.min до Uвх.max ( при условии, что Uвх.min > Uст.д) и известны Iст.min и Iст.max для выбранного стабилитрона Д, а также известна нагрузка Rн, то задача сводится к определению Rогр.
где – |
|
Основные параметры стабилитронов
1. |
Uст.ном |
– номинальное напряжение стабилизации, соответствующее падению напряжения на стабилитроне при номинальном токе стабилизации (от нескольких В до нескольких десятков В); |
2. |
Iст.min |
– минимально допустимый ток через стабилитрон при его пробое (от долей мА до десятков мА); |
3. |
Iст.max |
– максимально допустимый ток через стабилитрон при его пробое, при котором исключается тепловой пробой; |
4. |
rдиф |
– дифференциальное сопротивление, которое определяется при заданном значении тока на участке пробоя; , Iст=сonst (от долей Ом до тысячи Ом) |
5. |
αст |
– температурный коэффициент напряжения стабилизации. Представляет собой отношение изменения напряжения стабилизации ∆Uст при изменении температуры окружающей среды на ∆T; (от 10-5 до 10-3 1/°С); αст может быть как > 0, так и < 0; |
6. |
Рmax |
– максимальная мощность на стабилитроне, при которой не возникает необратимых процессов в стабилитроне; |
7. |
tкорп°C |
– максимально допустимая температура корпуса. |
Каждый параметрический стабилизатор может быть оценён абсолютным коэффициентом стабильности Кст.абс:
При фиксированной температуре
∆Uвых = f(∆Iст)
Для повышения коэффициента стабилизации Кст очевидно, что необходимо уменьшать ∆Iст.
Э то может быть достигнуто при каскадном включении параметрических стабилизаторов
Условие работы схемы:
Uвх > UстД1 > UстД2 > … > UстДn
На практике используют не более 2х – 3х каскадов.
Эффективность каскадного стабилизатора может быть оценена относительным коэффициентом стабилизации Кст.отн :
Д ля повышения напряжения стабилизации в ряде случаев применяется последовательное включение стабилитронов:
При этом:
Параллельное включение стабилитронов (даже одного типа – на одно напряжение стабилизации) недопустимо.
Для уменьшения температурного коэффициента напряжения стабилизации применяются различные схемные решения:
Если |αпрД1| ≈ | αстД2|, а знаки различны, (αпрД1< 0; αстД2 > 0) то
- практически не зависит от температуры.
Если Д1 и Д2 объединить в один корпус, то получится термокомпенсированный стабилитрон, который называется прецизионным. В таких стабилитронах нормируется временная нестабильность напряжения стабилизации и время выхода на режим, при котором обеспечивается заданная временная нестабильность (десятки минут).
При необходимости стабилизации двухполярных напряжений стабилитроны могут быть включены последовательно-встречно:
Если при этом необходима термокомпенсация, то она может быть выполнена по следующей схеме:
Кроме того промышленностью выпускаются двуханодные стабилитроны.
У ГО
В ряде случаев, для получения малых значений стабилизированных напряжений используется специальный прибор – стабистор.
Такие приборы используются на прямой ветви ВАХ
Д – стабистор
В отличии от стабилитронов в стабисторах используется специальная форма прямой ветви ВАХ. Диапазон напряжений стабилизации стабисторов от 0,35 до 1,9В.