Список рекомендуемой литературы по курсу "Общая технология производства полупроводниковых приборов".

1. Малышева И.А. Технология производства интегральных микросхем, М., Радио и связь, 1991

2. Парфенов О.Д. Технология микросхем, М., Высшая школа, 1986

3. Козырь И.Я., Горбунов Ю.И., Чернозубов Ю.С., Пономарев А.С. Общая технология, М., Высшая школа, 1989

4. Никифорова - Денисова С.Н. Механическая и химическая обработка, М.,

Высшая школа, 1989

5. Никифорова - Денисова С.Н., Любушкин Е.Н. Термические процессы, М.,

Высшая школа, 1989

6. Минайчев В.Е. Нанесение пленок в вакууме, М., Высшая школа, 1989

7. Мартынов В.В., Базарова Т.Е. Литографические процессы, М., Высшая школа, 1990

8. Семенов Ю.Г. Контроль качества, М., Высшая школа, 1990

По темам курса:

1. Введение: [3] - стр. 5-8, 210-214

2. Охрана труда и основы ЭВГ: [2] - стр. 32-38

[6] - стр. 100-106

[7] - стр. 118-127

3. Контрольно-измерительные приборы: материал производственного обучения

4. Оптические приборы: материал производственного обучения

5. Механическая обработка: [1] - стр. 50-70

[3] - стр. 20-30

[4] - стр. 5-8

6. Планарная технология: [1] - стр. 28-32

[2]-стр.6-9

7. Химическая обработка: [1] - стр. 70-83

[4] - стр. 45-64

8. Эпитаксия: [1] - стр. 174-184

[3] - стр. 35-39

9. Окисление: [1] - стр. 151-160

[5] - стр. 5-19

10. Осаждение пленок нитрида кремния и поликремния: [1] - стр. 160-162

[5] - стр. 22-33, 39-46

11. Фотолитография: [1] - стр. 98-121

[7] - стр. 5-44, 49-64

12. Изготовление фотошаблонов: [7] - стр. 64-68

13. Диффузия: [1] - стр. 187-197

[3] - стр. 50-57

[5] - стр. 47-63

14. Ионное легирование: [1] - стр. 198-204

15. ПХО и ПХТ: [1] - стр. 89-93,162-163

[4] - стр. 64-70

[5] - стр. 19-21

[6] - стр. 16-20, 42-44

[7] - стр. 44-48

16. Металлизация: [1] - стр. 141-151

[2] - стр. 82-87

[3] - стр. 57-66

[6] - стр. 11-15

17. Общие сведения о технологии сборочных работ: [1] - стр. 267-286, 290-302

[3] - стр. 155-170

18. Испытания. Заключительные операции: [1] - стр. 305-306

[3] - стр. 203-210

[8] - стр. 83-95

Содержание

1	Основы ЭВГ.	2
2	Микроскопы.	4
3	Общая характеристика полупроводникового производства.	6
4	Требования, предъявляемые к полупроводниковым пластинам.	7
5	Резка слитков на пластины. Шлифовка и полировка.	9
6	Виды загрязнений. Обезжиривание.	11
7	Травление. Очистка в H2O.	13
8	Общие сведения об эпитаксии.	15
9	Хлоридный метод эпитаксии.	15
10	Силановый метод эпитаксии.	16
11	Термическое окисление.	18
12	Осаждение пленок SiO2.	20
13	Осаждение пленок нитрида кремния.	21
14	Фотолитография. Назначение основных операций.	23
15	Подготовка поверхности подложки. Нанесение фоторезиста. Сушка фоторезиста.	25
16	Совмещение и экспонирование.	27
17	Проявление фоторезиста. Задубливание фоторезиста.	29
18	Травление технологического слоя. Удаление фоторезиста.	30
19	Изготовление фотошаблонов.	32
20	Диффузия. Механизмы и виды. Диффузия из бесконечного и ограниченного источников.	34
21	Двухстадийная диффузия.	36
22	Способы проведения диффузии.	37
23	Механизм ионного легирования. Схема установки ионного легирования.	39
24	Основные параметры ионного легирования. Особенности ионного легирования.	41
25	Общие сведения о вакууме, ионизации газа, плазме.	43
26	Плазмохимическое осаждение SiO2	45
27	Плазмохимическое травление. Плазмохимическое удаление фоторезиста.	46
28	Общие сведения о металлизации	48
29	Термическое испарение в вакууме. Ионное распыление.	49
30	Разделение пластин на кристаллы.	51
31	Методы сборки.	53
32	Этапы сборки.	55
33	Испытания. Заключительные операции.	57
34	Список рекомендуемой литературы	59

3