Тема: Общая характеристика полупроводникового

Производства.

Урок

Общая характеристика полупроводникового производства.

Отечественная и зарубежная промышленность выпускают самые разнообразные ИМС. Вместе с тем в технологии изготовления любой микросхемы можно выделить основные этапы, общие для всех микросхем:

1. изготовление пластин (подложек) из монокристаллических слитков полупроводникового материала;

2. изготовление кристаллов ИМС;

3. сборка микросхем;

4. испытания и измерения;

5. заключительные операции.

Монокристаллические слитки полупроводникового материала (кремния, германия, арсенида галлия и др.) имеют форму цилиндров диаметром от 60 до 150 мм и более. Из слитков резкой получают пластины, толщина которых составляет доли миллиметров.

Процесс изготовления кристаллов ИМС на полупроводниковой пластине состоит из множества технологических операций, основными из которых являются:

1. химическая обработка

2. эпитаксия

3. окисление

4. фотолитография

5. диффузия

6. ионное легирование

7. металлизация и ряд других.

Технологические операции выполняются в определенной последовательности, неоднократно повторяются и составляют маршрут изготовления ИМС. Чем сложнее ИМС, тем больше технологических операций нужно выполнить и тем длиннее маршрут ее изготовления.

После изготовления кристаллов ИМС на пластине каждую пластину разрезают на отдельные кристаллы, а затем каждый кристалл заключают в корпус.

Процесс изготовления ИМС сопровождается контрольными операциями и завершается испытаниями. После испытания и измерения параметров удовлетворяющие всем требованиям ИМС проходят заключительные операции (окраска, лакировка, маркировка, упаковка) и поступают на склад готовой продукции для передачи заказчику - изготовителю электронной аппаратуры.

Цель курса «Обшей технологии»:

1. более подробно познакомиться с этапами изготовления ИМС и детально изучить основные технологические операции кристального производства;

2. изучить основные технологии и маршруты изготовления ИМС.

Тема: Механическая обработка. Урок Требования, предъявляемые к полупроводниковым пластинам.

Технология современных микросхем предъявляет жесткие требования к геометрическим параметрам и качеству поверхности пластин.

Геометрические параметры пластин:

1. Диаметр пластин определяется размерами полупроводникового слитка. Стандартные диаметры- 60, 76, 100, 150 мм. На пластинах большего диаметра можно изготовить большее количество кристаллов ИМС.

2. Толщина пластин определяется стойкостью к механическим нагрузкам и способностью сохранять форму при проведении термических операций. Чем больше диаметр пластины, тем большей должна быть ее толщина. Стандартные толщины- 350, 380, 460, 700 мкм.

3. Профиль кромки пластин должен быть скругленным, а не прямоугольным с целью предотвращения появления сколов и трещин при перекладывании пластин в кассеты и при межоперационной транспортировке.

4. Базовый срез необходим для ориентированной установки (базирования) пластин в оборудование на участке фотолитографии. Одна из сторон кристалла ИМС всегда параллельна базовому срезу.

5. Дополнительные (маркировочные) срезы служат для визуального определения марки пластины.