- •Общая технология производства полупроводниковых приборов и имс
- •Урок Основы эвг.
- •Урок Микроскопы.
- •Тема: Общая характеристика полупроводникового
- •Производства.
- •Общая характеристика полупроводникового производства.
- •Тема: Механическая обработка. Урок Требования, предъявляемые к полупроводниковым пластинам.
- •Непараллельность
- •Урок Резка слитков на пластины.
- •Шлифовка и полировка.
- •Тема: Химическая обработка. Урок Виды загрязнений. Обезжиривание.
- •Урок Травление. Очистка в h2o
- •Очистка в н2о.
- •Отмывка струей
- •Гидромеханическая отмывка
- •Тема: Эпитаксия. Урок Общие сведения об эпитаксии.
- •Подложка
- •Хлоридный метод эпитаксии.
- •Силановый метод эпитаксии.
- •Тема: Окисление Урок Термическое окисление.
- •Урок Осаждение пленок SiO2.
- •Тема Осаждение пленок Si3n4 и поликремния. Урок Осаждение пленок нитрида кремния.
- •Тема Фотолитография Урок Фотолитография. Назначение основных операций.
- •Урок Подготовка поверхности подложки. Нанесение фоторезиста. Сушка фоторезиста.
- •2. Хорошо смачивается фоторезистом, т.Е. Поверхность гидрофильна к фоторезисту ( θфоторезиста →0° )
- •Нанесение слоя фоторезиста.
- •Метод центрифугирования:
- •Сушка слоя фоторезиста.
- •Урок Совмещение и экспонирование
- •Урок Проявление фоторезиста
- •Задубливание фоторезиста
- •Урок Травление технологического слоя
- •Удаление фоторезиста
- •Тема: Изготовление фотошаблонов Урок Изготовление фотошаблонов
- •1. Изготовление первичного оригинала.
- •2. Изготовление промежуточного фотооригинала (пфо).
- •3. Изготовление эталонного фотошаблона.
- •4. Изготовление рабочих фотошаблонов.
- •Основные механизмы диффузии.
- •1. Вакансионный механизм.
- •2. Межузельный механизм.
- •2. Диффузия из ограниченного источника примеси -
- •Двухстадийная диффузия.
- •Способы проведения диффузии.
- •Тема: Ионное легирование Урок Механизм ионного легирования. Схема установки ионного легирования.
- •Урок Основные параметры ионного легирования. Особенности ионного легирования. Основные параметры процесса ионного легирования.
- •2. Плотность тока ионного пучка j
- •3. Доза облучения q
- •Угол наклона ионного пучка к направлению главной кристаллографической
- •Особенности ионного легирования.
- •Тема: Плазмохимические процессы. Урок Общие сведения о вакууме, ионизации газа, плазме.
- •Урок Плазмохимическое осаждение SiO2
- •Урок Плазмохимическое травление ( пхт )
- •Плазмохимическое удаление фоторезиста ( пхуф )
- •Тема: Металлизация Урок Общие сведения о металлизации
- •Урок Термическое испарение в вакууме
- •Ионное распыление
- •Тема: Общие сведения о технологии сборочных работ. Урок Разделение пластин на кристаллы.
- •Урок Методы сборки.
- •Сварка.
- •Склеивание.
- •Урок Этапы сборки.
- •I. Монтаж кристаллов.
- •II. Подсоединение электродных выводов.
- •III. Герметизация.
- •Тема: Испытания. Заключительные операции. Урок Испытания. Заключительные операции.
- •Список рекомендуемой литературы по курсу "Общая технология производства полупроводниковых приборов".
- •По темам курса:
- •Содержание
Урок Методы сборки.
Основными методами выполнения сборочных операций являются пайка, сварка и склеивание.
Пайка.
Пайкой называется процесс получения неразъемного соединения деталей путем нагрева и последующего охлаждения при наличии между ними промежуточного материала - припоя.
При нагреве припоя до температуры плавления между припоем и соединяемыми деталями одновременно происходят:
растворение соединяемых материалов в жидком припое;
диффузия припоя в соединяемые материалы;
химическое взаимодействие припоя с материалами соединяемых деталей.
При охлаждении припой кристаллизуется у поверхности соединяемых деталей, вступая с ними в прочную металлическую связь.
Для того, чтобы обеспечить качественную пайку, поверхности соединяемых деталей необходимо очистить от оксидов и загрязнений. Для этого используют канифоль.
В зависимости от температуры плавления припоев различают:
низкотемпературную ( до 450°C ) пайку, при которой используются низкотемпературные (мягкие) припои - сплавы олова со свинцом, олова с висмутом и др.
высокотемпературную ( свыше 450°С ) пайку, при которой используются высокотемпературные (твердые) припои - сплавы на основе серебра и др.
Припой дозируется в виде таблеток, дисков, шайб.
Соединение деталей выполняется встык, внахлестку, а также комбинированными способами. Прочность соединений внахлестку выше прочности соединений встык.
Достоинства пайки:
простота процесса;
относительно невысокий нагрев соединяемых деталей;
возможность соединения деталей сложной конфигурации;
после пайки можно разъединить детали без разрушения их конструкции.
Для выполнения операций сборки ИМС применяют пайку в водородных печах, электропаяльником, ультразвуком, погружением в припой, излучением и др.
Сварка.
Сваркой называется процесс получения неразъемного соединения деталей без участия припоя в результате их сближения на расстояние атомного воздействия.
Сварка отличается от пайки меньшими загрязнениями и газонасыщением мест контактирования, что обусловлено отсутствием припоя.
Для выполнения операций сборки ИМС наиболее часто применяют:
сварку давлением (термокомпрессионную, косвенным импульсным нагревом, ультразвуковую).
сварку плавлением (сдвоенным электродом, лазерную, электронно-лучевую).
Сварка давлением основана на одновременном действии температуры и давления на соединяемые детали. Детали при этом не расплавляются, а лишь увеличивается их пластичность, в результате которой между поверхностями соединяемых деталей возникает физический контакт и происходит взаимная диффузия.
Сварка плавлением основана на нагревании свариваемых деталей до температуры плавления. Материалы соединяемых деталей при этом расплавляются, а после охлаждения образуют сварной шов.
Склеивание.
Склеиванием называется процесс получения неразъемного соединения деталей с помощью клея.
Клеевые соединения не требуют сложного оборудования, легко выполняются, но не обеспечивают хорошее качество контакта. Поэтому они применяются в основном для микросхем низкой мощности.
Для операций сборки применяют клеи на основе эпоксидных смол, полиимида и др.