- •Общая технология производства полупроводниковых приборов и имс
- •Урок Основы эвг.
- •Урок Микроскопы.
- •Тема: Общая характеристика полупроводникового
- •Производства.
- •Общая характеристика полупроводникового производства.
- •Тема: Механическая обработка. Урок Требования, предъявляемые к полупроводниковым пластинам.
- •Непараллельность
- •Урок Резка слитков на пластины.
- •Шлифовка и полировка.
- •Тема: Химическая обработка. Урок Виды загрязнений. Обезжиривание.
- •Урок Травление. Очистка в h2o
- •Очистка в н2о.
- •Отмывка струей
- •Гидромеханическая отмывка
- •Тема: Эпитаксия. Урок Общие сведения об эпитаксии.
- •Подложка
- •Хлоридный метод эпитаксии.
- •Силановый метод эпитаксии.
- •Тема: Окисление Урок Термическое окисление.
- •Урок Осаждение пленок SiO2.
- •Тема Осаждение пленок Si3n4 и поликремния. Урок Осаждение пленок нитрида кремния.
- •Тема Фотолитография Урок Фотолитография. Назначение основных операций.
- •Урок Подготовка поверхности подложки. Нанесение фоторезиста. Сушка фоторезиста.
- •2. Хорошо смачивается фоторезистом, т.Е. Поверхность гидрофильна к фоторезисту ( θфоторезиста →0° )
- •Нанесение слоя фоторезиста.
- •Метод центрифугирования:
- •Сушка слоя фоторезиста.
- •Урок Совмещение и экспонирование
- •Урок Проявление фоторезиста
- •Задубливание фоторезиста
- •Урок Травление технологического слоя
- •Удаление фоторезиста
- •Тема: Изготовление фотошаблонов Урок Изготовление фотошаблонов
- •1. Изготовление первичного оригинала.
- •2. Изготовление промежуточного фотооригинала (пфо).
- •3. Изготовление эталонного фотошаблона.
- •4. Изготовление рабочих фотошаблонов.
- •Основные механизмы диффузии.
- •1. Вакансионный механизм.
- •2. Межузельный механизм.
- •2. Диффузия из ограниченного источника примеси -
- •Двухстадийная диффузия.
- •Способы проведения диффузии.
- •Тема: Ионное легирование Урок Механизм ионного легирования. Схема установки ионного легирования.
- •Урок Основные параметры ионного легирования. Особенности ионного легирования. Основные параметры процесса ионного легирования.
- •2. Плотность тока ионного пучка j
- •3. Доза облучения q
- •Угол наклона ионного пучка к направлению главной кристаллографической
- •Особенности ионного легирования.
- •Тема: Плазмохимические процессы. Урок Общие сведения о вакууме, ионизации газа, плазме.
- •Урок Плазмохимическое осаждение SiO2
- •Урок Плазмохимическое травление ( пхт )
- •Плазмохимическое удаление фоторезиста ( пхуф )
- •Тема: Металлизация Урок Общие сведения о металлизации
- •Урок Термическое испарение в вакууме
- •Ионное распыление
- •Тема: Общие сведения о технологии сборочных работ. Урок Разделение пластин на кристаллы.
- •Урок Методы сборки.
- •Сварка.
- •Склеивание.
- •Урок Этапы сборки.
- •I. Монтаж кристаллов.
- •II. Подсоединение электродных выводов.
- •III. Герметизация.
- •Тема: Испытания. Заключительные операции. Урок Испытания. Заключительные операции.
- •Список рекомендуемой литературы по курсу "Общая технология производства полупроводниковых приборов".
- •По темам курса:
- •Содержание
Удаление фоторезиста
Удаление фоторезиста бывает жидкостным и сухим.
Методы жидкостного удаления фоторезиста:
Обработка в горячих органических растворителях ( диметилформамиде и др.). При этом слой фоторезиста разбухает и вымывается.
Обработка в кислотах - подложки кипятят в серной H2SO4, азотной HNO3 кислоте или в смеси Каро. При этом слой фоторезиста разлагается и растворяется в
кислоте.
После жидкостного удаления фоторезиста подложки тщательно очищают от его остатков и от загрязнений, вносимых операциями фотолитографии.
Примечание: сухое удаление фоторезиста смотри в теме " ПХТ ".
После удаления фоторезиста на подложке остается рельефный рисунок технологического слоя, переданный с фотошаблона при помощи фоторезиста (см. рисунки в первой теме).
Тема: Изготовление фотошаблонов Урок Изготовление фотошаблонов
Фотошаблоны являются основными инструментами фотолитографии, с их помощью производится локальное облучение фоторезиста в соответствии с рисунком микросхемы.
Фотошаблон - это плоскопараллельная стеклянная пластина с нанесенным на ее рабочую поверхность непрозрачным пленочным рисунком одного из слоев микросхемы, многократно повторенным с определенным шагом.
Для выполнения непрозрачного пленочного рисунка применяют металлы ( хром Cr -металлизированные фотошаблоны ), оксиды ( Fe2O3 - цветные фотошаблоны ).
Точность выполнения рисунка (маски) на фотошаблоне должна отвечать самым высоким требованиям.
Основные этапы изготовления фотошаблонов
1. Изготовление первичного оригинала.
Первичный оригинал представляет собой изготовленный в увеличенном ( 1000:1; 500:1; 200:1 ) масштабе рисунок одного кристалла (модуля) микросхемы. В качестве подложек используют витринное стекло площадью ≈ 100 х 100 см2. Стекло покрывают тонкой пленкой черной эмали. Затем прорезают алмазным резцом рисунок нужной конфигурации, ненужные куски пленки удаляют.
2. Изготовление промежуточного фотооригинала (пфо).
Промежуточный фотооригинал - это уменьшенное в 10 - 50 раз изображение первичного оригинала. Изготовление ПФО выполняется методом фотографирования рисунка на специальную фотопластину (стеклянную пластину со слоем фотоэмульсии) с помощью специальной фотокамеры. Когда рисунок первичного оригинала уже переснят на фотопластину, ее (фотопластину) проявляют и закрепляют (фиксируют) проявленный на фотопластине рисунок.
ПФО используется в качестве шаблона на проекционной фотолитографии.
3. Изготовление эталонного фотошаблона.
Эталонный фотошаблон - это фотошаблон с размерами элементов, соответствующими размерам элементов ИМС. Эталонный фотошаблон предназначен для последующего изготовления рабочих фотошаблонов.
Изготовление эталонного фотошаблона осуществляется уменьшением изображения ПФО до размеров ИМС и многократным повторением этого изображения на рабочей зоне светочувствительной пластины (метод шагового мультиплицирования с уменьшением масштаба). Далее фотопластины со скрытым изображением проявляют и закрепляют проявленное изображение.